公开(公告)号：TWI609998B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW101109112

申请日：2012-03-16

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 牧川新二 ,  MAKIKAWA, SHINJI ,  矢作晃 ,  YAHAGI, AKIRA ,  池末明生 ,  IKESUE, AKIO

IPC分类号： C30B29/16 ,  C04B35/50

CPC分类号： G02F1/093 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9653 ,  G02F1/0036

公开(公告)号：TWI597254B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105126268

申请日：2013-01-10

申请人： 聖高拜陶器塑膠公司 ,  SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

发明人： 西緹 奧利維 ,  CITTI, OLIVIER ,  福卡德 朱利安P ,  FOURCADE, JULIEN P. ,  卡斯美亞薩克 安德亞L ,  KAZMIERCZAK, ANDREA L.

IPC分类号： C04B35/101 ,  C03B5/43

CPC分类号： C04B35/1015 ,  C03B17/064 ,  C04B35/111 ,  C04B35/117 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  Y02P40/57

公开(公告)号：TWI586528B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW104137079

申请日：2015-11-10

申请人： 太陽誘電股份有限公司 ,  TAIYO YUDEN CO., LTD.

发明人： 森田浩一郎 ,  MORITA, KOUICHIRO ,  川村知栄 ,  KAWAMURA, CHIE ,  龍穣 ,  RYU, MINORU ,  谷口克哉 ,  TANIGUCHI, KATSUYA ,  広井一路 ,  HIROI, KAZUMICHI ,  岩崎誉志紀 ,  IWAZAKI, YOSHIKI

IPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30

公开(公告)号：TW201713599A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105124070

申请日：2016-07-29

申请人： TDK股份有限公司 ,  TDK CORPORATION

发明人： 藤井祥平 ,  FUJII, SHOHEI ,  政岡雷太郎 ,  MASAOKA, RAITAROU ,  內山弘基 ,  UCHIYAMA, HIROKI ,  城川真生子 ,  SHIROKAWA, MAIKO

IPC分类号： C01G33/00 ,  C01G35/00 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33

CPC分类号： C04B35/057 ,  C01F11/02 ,  C01G33/006 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L28/55

摘要： 本發明的目的在於提供一種即使是在以高頻(2GHz)進行使用的情況下，相對介電常數高且介電損耗小，亦即Q值高，而且絕緣破壞電壓高的介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件。本發明的介電組成物之特徵在於：作為主成分含有由化學式AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr中的至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)表示的複合氧化物，α、β、γ的關係滿足α+β+γ=1.000；0.000

简体摘要： 本发明的目的在于提供一种即使是在以高频(2GHz)进行使用的情况下，相对介电常数高且介电损耗小，亦即Q值高，而且绝缘破坏电压高的介电组成物及使用了该介电组成物的电子组件。本发明的介电组成物之特征在于：作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足α+β+γ=1.000；0.000<α0.375；0.625β<1.000；0.000γ0.375。

公开(公告)号：TWI573775B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW104123019

申请日：2015-07-16

申请人： 國立臺北科技大學

发明人： 王錫福 ,  張峻維 ,  翁爵威 ,  李建樺 ,  賴元正

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/49 ,  C04B35/78 ,  H01G4/12

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/95 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245

公开(公告)号：TW201641467A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105126268

申请日：2013-01-10

申请人： 聖高拜陶器塑膠公司 ,  SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

发明人： 西緹 奧利維 ,  CITTI, OLIVIER ,  福卡德 朱利安P ,  FOURCADE, JULIEN P. ,  卡斯美亞薩克 安德亞L ,  KAZMIERCZAK, ANDREA L.

IPC分类号： C04B35/101 ,  C03B5/43

CPC分类号： C04B35/1015 ,  C03B17/064 ,  C04B35/111 ,  C04B35/117 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  Y02P40/57

摘要： 本發明係關於一種耐火物件，其包括：Al2O3，其含量在約10wt%至約94wt%之範圍內的Al2O3；SiO2，其含量為至少約1.1wt%的SiO2；添加劑，其含量為至少0.2wt%的添加劑，其中該添加劑包括TiO2、Y2O3、CaO、MgO或其任何組合；及其中該耐火物件的蠕變速率係不超過約1×10-4h-1。

简体摘要： 本发明系关于一种耐火对象，其包括：Al2O3，其含量在约10wt%至约94wt%之范围内的Al2O3；SiO2，其含量为至少约1.1wt%的SiO2；添加剂，其含量为至少0.2wt%的添加剂，其中该添加剂包括TiO2、Y2O3、CaO、MgO或其任何组合；及其中该耐火对象的蠕变速率系不超过约1×10-4h-1。

公开(公告)号：TWI551571B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW103117406

申请日：2011-11-30

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 魁克夏科 大衛 鮑伊 ,  CRUICKSHANK, DAVID BOWIE ,  希爾 麥克D ,  HILL, MICHAEL D.

IPC分类号： C04B35/505 ,  C04B35/622

CPC分类号： H01F10/24 ,  C04B35/26 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/764 ,  C30B29/28

公开(公告)号：TW201630730A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104137079

申请日：2015-11-10

申请人： 太陽誘電股份有限公司 ,  TAIYO YUDEN CO., LTD.

发明人： 森田浩一郎 ,  MORITA, KOUICHIRO ,  川村知栄 ,  KAWAMURA, CHIE ,  龍穣 ,  RYU, MINORU ,  谷口克哉 ,  TANIGUCHI, KATSUYA ,  広井一路 ,  HIROI, KAZUMICHI ,  岩崎誉志紀 ,  IWAZAKI, YOSHIKI

IPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30

摘要： 本發明之目的在於提供即使介電質層厚度為0.8μm以下亦壽命特性優異、且漏電流得到抑制之積層陶瓷電容器。 一種積層陶瓷電容器，其具備將介電質層與極性不同之內部電極層交替地積層而形成之積層體；上述介電質層包含以BaTiO3為主要成分之陶瓷粒子，該陶瓷粒子含有自包含Nb、Mo、Ta及W之群選出之至少一種供體元素(D)、以及自包含Mg及Mn之群選出之至少一種受體元素(A)；於上述陶瓷粒子之中心部分，供體元素(D)之濃度與受體元素(A)之濃度之比(D/A)大於1；於上述陶瓷粒子之外緣部分，D/A不足1(其中：於A=0之情形時，設定D/A=∞，不存在D=A=0)。

简体摘要： 本发明之目的在于提供即使介电质层厚度为0.8μm以下亦寿命特性优异、且漏电流得到抑制之积层陶瓷电容器。 一种积层陶瓷电容器，其具备将介电质层与极性不同之内部电极层交替地积层而形成之积层体；上述介电质层包含以BaTiO3为主要成分之陶瓷粒子，该陶瓷粒子含有自包含Nb、Mo、Ta及W之群选出之至少一种供体元素(D)、以及自包含Mg及Mn之群选出之至少一种受体元素(A)；于上述陶瓷粒子之中心部分，供体元素(D)之浓度与受体元素(A)之浓度之比(D/A)大于1；于上述陶瓷粒子之外缘部分，D/A不足1(其中：于A=0之情形时，设置D/A=∞，不存在D=A=0)。

公开(公告)号：TWI541216B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW100103485

申请日：2011-01-28

申请人： 聖高拜歐洲實驗及研究中心 ,  SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN

发明人： 卡波迪 伊莎貝拉 ,  CABODI, ISABELLE ,  甘比爾 米契爾 ,  GAUBIL, MICHEL

IPC分类号： C04B35/484 ,  C03B5/43

CPC分类号： C03B5/43 ,  C04B35/481 ,  C04B35/484 ,  C04B35/657 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/95

公开(公告)号：TW201546831A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104110055

申请日：2015-03-27

申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 ,  MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION

发明人： 土井利浩 ,  DOI, TOSHIHIRO ,  桜井英章 ,  SAKURAI, HIDEAKI ,  曽山信幸 ,  SOYAMA, NOBUYUKI

IPC分类号： H01B3/12 ,  H01L41/18 ,  C01G25/02

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/74 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/318

摘要： 使用於由摻雜Mn之複合金屬氧化物所構成之PZT系壓電體膜之形成的組成物，含有包含構成前述複合金屬氧化物之各金屬原子的PZT系前驅物、二醇、與聚乙烯基吡咯啶酮，將前述組成物中之金屬原子比表示為Pb：Mn：Zr：Ti時，係以Pb滿足1.00~1.20、Mn滿足0.002以上且未達0.05、Zr滿足0.40~0.55、Ti滿足0.45~0.60，且前述Zr與前述Ti之金屬原子比的合計比例成為1之比例，含有前述PZT系前驅物。

简体摘要： 使用于由掺杂Mn之复合金属氧化物所构成之PZT系压电体膜之形成的组成物，含有包含构成前述复合金属氧化物之各金属原子的PZT系前驱物、二醇、与聚乙烯基吡咯啶酮，将前述组成物中之金属原子比表示为Pb：Mn：Zr：Ti时，系以Pb满足1.00~1.20、Mn满足0.002以上且未达0.05、Zr满足0.40~0.55、Ti满足0.45~0.60，且前述Zr与前述Ti之金属原子比的合计比例成为1之比例，含有前述PZT系前驱物。