面漆組合物及圖案形成方法
    7.
    发明专利
    面漆組合物及圖案形成方法 审中-公开
    面漆组合物及图案形成方法

    公开(公告)号:TW201817830A

    公开(公告)日:2018-05-16

    申请号:TW106136565

    申请日:2017-10-24

    摘要: 一種面漆組合物,包括:基質聚合物;表面活性聚合物,包括由以下通式(I)的單體形成的聚合單元: 其中:R1表示H、F、甲基或氟化甲基;R2表示視情況經取代之C1至C8伸烷基或視情況經取代之C1至C8氟伸烷基,視情況包括一個或多個雜原子;R3表示H、F、視情況經取代之C1至C10烷基或視情況經取代之C5至C15芳基,視情況包括一個或多個雜原子;R4表示視情況經取代之C1至C8烷基、視情況經取代之C1至C8氟烷基或視情況經取代之C5至C15芳基,視情況包括一個或多個雜原子;X表示O、S或NR5,其中R5選自氫及視情況經取代之C1至C5烷基;且a是0或1;以及溶劑。亦提供利用所述面漆組合物的經塗佈基板及圖案形成方法。本發明尤其適用於光微影製程中作為光致抗蝕劑面漆層來製造半導體裝置。

    简体摘要: 一种面漆组合物,包括:基质聚合物;表面活性聚合物,包括由以下通式(I)的单体形成的聚合单元: 其中:R1表示H、F、甲基或氟化甲基;R2表示视情况经取代之C1至C8伸烷基或视情况经取代之C1至C8氟伸烷基,视情况包括一个或多个杂原子;R3表示H、F、视情况经取代之C1至C10烷基或视情况经取代之C5至C15芳基,视情况包括一个或多个杂原子;R4表示视情况经取代之C1至C8烷基、视情况经取代之C1至C8氟烷基或视情况经取代之C5至C15芳基,视情况包括一个或多个杂原子;X表示O、S或NR5,其中R5选自氢及视情况经取代之C1至C5烷基;且a是0或1;以及溶剂。亦提供利用所述面漆组合物的经涂布基板及图案形成方法。本发明尤其适用于光微影制程中作为光致抗蚀剂面漆层来制造半导体设备。

    光致抗蝕劑面漆組合物及加工光致抗蝕劑組合物之方法
    10.
    发明专利
    光致抗蝕劑面漆組合物及加工光致抗蝕劑組合物之方法 审中-公开
    光致抗蚀剂面漆组合物及加工光致抗蚀剂组合物之方法

    公开(公告)号:TW201817829A

    公开(公告)日:2018-05-16

    申请号:TW106136390

    申请日:2017-10-23

    摘要: 光致抗蝕劑面漆組合物,其包括:包括通式(I)之第一重複單元及通式(II)之第二重複單元之第一聚合物: 其中:R1獨立地表示H、F或視情況氟化之C1至C4烷基;R2表示視情況氟化之直鏈、分支鏈或環狀C1至C20烷基;L1表示單鍵或多價鍵聯基團;且n為1至5之整數;包括通式(III)之第一重複單元及通式(IV)之第二重複單元之第二聚合物: 其中:R3獨立地表示H、F或視情況氟化之C1至C4烷 基;R4表示直鏈、分支鏈或環狀C1至C20烷基;R5表示直鏈、分支鏈或環狀C1至C20氟烷基;L2表示單鍵或多價鍵聯基團;且n為1至5之整數;以及溶劑。亦提供塗佈有所述面漆組合物之經塗佈基板及加工光致抗蝕劑組合物之方法。本發明尤其適用於製造半導體裝置。

    简体摘要: 光致抗蚀剂面漆组合物,其包括:包括通式(I)之第一重复单元及通式(II)之第二重复单元之第一聚合物: 其中:R1独立地表示H、F或视情况氟化之C1至C4烷基;R2表示视情况氟化之直链、分支链或环状C1至C20烷基;L1表示单键或多价键联基团;且n为1至5之整数;包括通式(III)之第一重复单元及通式(IV)之第二重复单元之第二聚合物: 其中:R3独立地表示H、F或视情况氟化之C1至C4烷 基;R4表示直链、分支链或环状C1至C20烷基;R5表示直链、分支链或环状C1至C20氟烷基;L2表示单键或多价键联基团;且n为1至5之整数;以及溶剂。亦提供涂布有所述面漆组合物之经涂布基板及加工光致抗蚀剂组合物之方法。本发明尤其适用于制造半导体设备。