公开(公告)号：TW201719649A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105127856

申请日：2016-08-30

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 尼可拉斯 史帝芬 C ,  NICHOLES, STEVEN C. ,  查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  洛克萊 馬修 N ,  ROCKLEIN, MATTHEW N.

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/76

CPC classification number: G11C11/225 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/047 ,  G11C14/00 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 本發明揭示操作一鐵電記憶體胞之方法。該方法包括：將一正偏壓電壓及一負偏壓電壓之一者施加至包括一電容器之一鐵電記憶體胞，該電容器包含一上電極、一下電極、該上電極與該下電極之間之一鐵電材料、及該鐵電材料與該上電極及該下電極之一者之間之一界面材料。該方法進一步包括：將該正偏壓電壓及該負偏壓電壓之另一者施加至該鐵電記憶體胞以切換該鐵電記憶體胞之一極化，其中該負偏壓電壓之一絕對值不同於該正偏壓電壓之一絕對值。本發明亦描述鐵電記憶體胞。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示操作一铁电内存胞之方法。该方法包括：将一正偏压电压及一负偏压电压之一者施加至包括一电容器之一铁电内存胞，该电容器包含一上电极、一下电极、该上电极与该下电极之间之一铁电材料、及该铁电材料与该上电极及该下电极之一者之间之一界面材料。该方法进一步包括：将该正偏压电压及该负偏压电压之另一者施加至该铁电内存胞以切换该铁电内存胞之一极化，其中该负偏压电压之一绝对值不同于该正偏压电压之一绝对值。本发明亦描述铁电内存胞。

公开(公告)号：TWI608477B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105127856

申请日：2016-08-30

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 尼可拉斯 史帝芬 C ,  NICHOLES, STEVEN C. ,  查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  洛克萊 馬修 N ,  ROCKLEIN, MATTHEW N.

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/76

CPC classification number: G11C11/225 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/047 ,  G11C14/00 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75