公开(公告)号：TWI645539B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW107100725

申请日：2018-01-09

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  拉瑪斯瓦米 杜拉 西沙 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL

IPC: H01L27/06 ,  H01G2/06

公开(公告)号：TW201719649A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105127856

申请日：2016-08-30

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 尼可拉斯 史帝芬 C ,  NICHOLES, STEVEN C. ,  查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  洛克萊 馬修 N ,  ROCKLEIN, MATTHEW N.

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/76

CPC classification number: G11C11/225 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/047 ,  G11C14/00 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 本發明揭示操作一鐵電記憶體胞之方法。該方法包括：將一正偏壓電壓及一負偏壓電壓之一者施加至包括一電容器之一鐵電記憶體胞，該電容器包含一上電極、一下電極、該上電極與該下電極之間之一鐵電材料、及該鐵電材料與該上電極及該下電極之一者之間之一界面材料。該方法進一步包括：將該正偏壓電壓及該負偏壓電壓之另一者施加至該鐵電記憶體胞以切換該鐵電記憶體胞之一極化，其中該負偏壓電壓之一絕對值不同於該正偏壓電壓之一絕對值。本發明亦描述鐵電記憶體胞。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示操作一铁电内存胞之方法。该方法包括：将一正偏压电压及一负偏压电压之一者施加至包括一电容器之一铁电内存胞，该电容器包含一上电极、一下电极、该上电极与该下电极之间之一铁电材料、及该铁电材料与该上电极及该下电极之一者之间之一界面材料。该方法进一步包括：将该正偏压电压及该负偏压电压之另一者施加至该铁电内存胞以切换该铁电内存胞之一极化，其中该负偏压电压之一绝对值不同于该正偏压电压之一绝对值。本发明亦描述铁电内存胞。

公开(公告)号：TWI696271B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW107143575

申请日：2018-12-05

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  庫克 貝絲 R ,  COOK, BETH R. ,  那哈 馬紐 ,  NAHAR, MANUJ ,  拉瑪斯瓦米 杜來 維莎卡 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL

IPC: H01L27/11502 ,  H01L27/06

公开(公告)号：TW201826498A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW107100725

申请日：2018-01-09

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  拉瑪斯瓦米 杜拉 西沙 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL

IPC: H01L27/06 ,  H01G2/06

Abstract: 本發明揭示一種形成包含垂直對置之電容器對之一陣列之方法，其包含：在支撐材料中之個別電容器開口中形成一導電內襯。移除該等導電內襯之個別者之一豎向中間部分，以在該等個別電容器開口中形成彼此豎向分離及間隔之一上電容器電極內襯及一下電容器電極內襯。使一電容器絕緣體形成於該上電容器電極內襯及該下電容器電極內襯之橫向外。使導電材料形成於該電容器絕緣體之橫向外，以構成由該等垂直對置之電容器對之個別者中之垂直對置之電容器共用之一共用電容器電極。本發明揭示獨立於該方法之其他方法及結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种形成包含垂直对置之电容器对之一数组之方法，其包含：在支撑材料中之个别电容器开口中形成一导电内衬。移除该等导电内衬之个别者之一竖向中间部分，以在该等个别电容器开口中形成彼此竖向分离及间隔之一上电容器电极内衬及一下电容器电极内衬。使一电容器绝缘体形成于该上电容器电极内衬及该下电容器电极内衬之横向外。使导电材料形成于该电容器绝缘体之横向外，以构成由该等垂直对置之电容器对之个别者中之垂直对置之电容器共享之一共享电容器电极。本发明揭示独立于该方法之其他方法及结构。

公开(公告)号：TWI608477B

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：TW105127856

申请日：2016-08-30

Applicant: 美商美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 尼可拉斯 史帝芬 C ,  NICHOLES, STEVEN C. ,  查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  洛克萊 馬修 N ,  ROCKLEIN, MATTHEW N.

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/76

CPC classification number: G11C11/225 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/047 ,  G11C14/00 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

公开(公告)号：TWI594236B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105102738

申请日：2016-01-28

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 卡達 卡摩M ,  KARDA, KAMAL M. ,  陶謙 ,  TAO, QIAN ,  拉瑪斯瓦米 杜來 維莎卡 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL ,  劉海濤 ,  LIU, HAITAO ,  普拉爾 克拉克D ,  PRALL, KIRK D. ,  查文 亞許尼塔A ,  CHAVAN, ASHONITA A.

IPC: G11C11/24

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01G4/08 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

公开(公告)号：TWI600057B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW105139886

申请日：2016-12-02

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  拉瑪斯瓦 杜來 維莎卡 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL ,  那哈 馬紐 ,  NAHAR, MANUJ

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

公开(公告)号：TW201730922A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105139886

申请日：2016-12-02

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 查文 亞許尼塔 A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  拉瑪斯瓦 杜來 維莎卡 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL ,  那哈 馬紐 ,  NAHAR, MANUJ

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 一種使用在形成包含導電材料與鐵電材料之一電子組件之方法包含在一基板上方形成一非鐵電含金屬氧化物絕緣體材料。在該基板上方形成包含至少兩種不同組成非鐵電金屬氧化物之一複合堆疊。該複合堆疊具有至少1 x 102西門子/釐米之一總體導電率。使用該複合堆疊來使該非鐵電含金屬氧化物絕緣體材料變為鐵電的。在該複合堆疊及該絕緣體材料上方形成導電材料。本發明亦揭示獨立於製造方法之鐵電電容器及鐵電場效電晶體。

Abstract in simplified Chinese: 一种使用在形成包含导电材料与铁电材料之一电子组件之方法包含在一基板上方形成一非铁电含金属氧化物绝缘体材料。在该基板上方形成包含至少两种不同组成非铁电金属氧化物之一复合堆栈。该复合堆栈具有至少1 x 102西门子/厘米之一总体导电率。使用该复合堆栈来使该非铁电含金属氧化物绝缘体材料变为铁电的。在该复合堆栈及该绝缘体材料上方形成导电材料。本发明亦揭示独立于制造方法之铁电电容器及铁电场效应管。

公开(公告)号：TWI570896B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW104113572

申请日：2015-04-28

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 查文 亞許尼塔A ,  CHAVAN, ASHONITA A. ,  卡德羅尼 亞歷山卓 ,  CALDERONI, ALESSANDRO ,  拉瑪斯瓦米 D V 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, D. V. NIRMAL

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L28/90 ,  H01L29/4236

公开(公告)号：TW201635286A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105102738

申请日：2016-01-28

Applicant: 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 卡達 卡摩M ,  KARDA, KAMAL M. ,  陶謙 ,  TAO, QIAN ,  拉瑪斯瓦米 杜來 維莎卡 尼爾摩 ,  RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL ,  劉海濤 ,  LIU, HAITAO ,  普拉爾 克拉克D ,  PRALL, KIRK D. ,  查文 亞許尼塔A ,  CHAVAN, ASHONITA A.

IPC: G11C11/24

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01G4/08 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 本發明揭示一種記憶體胞，其包含一選擇裝置及與該選擇裝置串聯電耦合之一電容器。該電容器包含兩個導電電容器電極，其等具有介於其等之間之鐵電材料。該電容器具有自該等電容器電極之一者穿過該鐵電材料而至另一電容器電極之一本徵電流洩漏路徑。存在自該電容器電極至該另一電容器電極之一平行電流洩漏路徑。該平行電流洩漏路徑係電路平行於該本徵路徑，且具有比該本徵路徑低之總電阻。本發明揭示其他態樣。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种内存胞，其包含一选择设备及与该选择设备串联电耦合之一电容器。该电容器包含两个导电电容器电极，其等具有介于其等之间之铁电材料。该电容器具有自该等电容器电极之一者穿过该铁电材料而至另一电容器电极之一本征电流泄漏路径。存在自该电容器电极至该另一电容器电极之一平行电流泄漏路径。该平行电流泄漏路径系电路平行于该本征路径，且具有比该本征路径低之总电阻。本发明揭示其他态样。