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    釋放採用可熱成膜之諧振器
    2.
    发明专利
    釋放採用可熱成膜之諧振器 审中-公开
    释放采用可热成膜之谐振器

    公开(公告)号：TW201817005A

    公开(公告)日：2018-05-01

    申请号：TW106127647

    申请日：2017-08-15

    申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

    IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/76 ,  H01L21/324

    摘要： 揭露了用於釋放採用可熱成型層的諧振器裝置的技術。在一些情況下，諧振器裝置形成於可被加熱的可熱成型層之上或上面，以降低該層的體積，並且在該諧振器裝置下方形成氣腔。可熱成型層可以包含響應於升高的溫度而降低體積的任何合適的材料。例如，在一些範例情況下，可熱成型層可以包含熱塑性材料、多孔材料、具有負熱膨脹係數(CTE)的材料和/或當對其施加熱時會縮小或收縮(或以其它方式降低體積)的任何其它材料。雖然寬泛範圍的腔體尺寸可被提供，使用本文描述的技術所形成的諧振器裝置可以僅需要具有僅2nm的最大垂直尺寸的氣腔以有效地諧振。

    简体摘要： 揭露了用于释放采用可热成型层的谐振器设备的技术。在一些情况下，谐振器设备形成于可被加热的可热成型层之上或上面，以降低该层的体积，并且在该谐振器设备下方形成气腔。可热成型层可以包含响应于升高的温度而降低体积的任何合适的材料。例如，在一些范例情况下，可热成型层可以包含热塑性材料、多孔材料、具有负热膨胀系数(CTE)的材料和/或当对其施加热时会缩小或收缩(或以其它方式降低体积)的任何其它材料。虽然宽泛范围的腔体尺寸可被提供，使用本文描述的技术所形成的谐振器设备可以仅需要具有仅2nm的最大垂直尺寸的气腔以有效地谐振。

    具有磊晶層的薄膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ）射頻（ＲＦ）濾波器
    4.
    发明专利
    具有磊晶層的薄膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ）射頻（ＲＦ）濾波器 审中-公开
    具有磊晶层的薄膜体声波共振器（ＦＢＡＲ）射频（ＲＦ）滤波器

    公开(公告)号：TW201826702A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106127640

    申请日：2017-08-15

    申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

    IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/10 ,  H03H9/25 ,  H03H9/54

    摘要： 揭示了使用磊晶生長的壓電膜形成共振器裝置的技術。考慮磊晶，膜為單晶或單結晶。於一些例子，共振器裝置的壓電層可為磊晶的III-V層，例如氮化鋁、氮化鎵或其它III族氮化物材料(III-N)化合物膜，生長作為單晶III-V材料堆疊的部分。於實施方式中，III-V材料堆疊包含，例如，單晶AlN層及單晶GaN層，雖然可使用任意其它適合的單晶壓電材料。交叉指型換能器(IDT)電極提供於壓電層上且定義濾波器的操作頻率。複數共振器裝置可用以致能於相同基板上過濾特定不同頻率(由改變IDT電極的尺度)。

    简体摘要： 揭示了使用磊晶生长的压电膜形成共振器设备的技术。考虑磊晶，膜为单晶或单结晶。于一些例子，共振器设备的压电层可为磊晶的III-V层，例如氮化铝、氮化镓或其它III族氮化物材料(III-N)化合物膜，生长作为单晶III-V材料堆栈的部分。于实施方式中，III-V材料堆栈包含，例如，单晶AlN层及单晶GaN层，虽然可使用任意其它适合的单晶压电材料。交叉指型换能器(IDT)电极提供于压电层上且定义滤波器的操作频率。复数共振器设备可用以致能于相同基板上过滤特定不同频率(由改变IDT电极的尺度)。

    具有二維電子氣體（２ＤＥＧ）底部電極的單翻轉式諧振器裝置
    5.
    发明专利
    具有二維電子氣體（２ＤＥＧ）底部電極的單翻轉式諧振器裝置 审中-公开
    具有二维电子气体（２ＤＥＧ）底部电极的单翻转式谐振器设备

    公开(公告)号：TW201824745A

    公开(公告)日：2018-07-01

    申请号：TW106127488

    申请日：2017-08-14

    申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

    IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/17

    摘要： 揭示用以形成包含由二維電子氣體(2DEG)層所構成之電極之積體電路單翻轉式諧振器裝置的技術。所揭示之諧振器裝置可以用各種第III族-氮化物(III-N)材料來予以施行，並且在有些情況中，2DEG可被形成於各自由III-N材料所構成之兩個磊晶層的異質接面處，該III-N材料諸如氮化鋁(AlN)層和氮化鎵(GaN)層。相較於具有由金屬所構成之電極的諧振器裝置，該2DEG電極可以能夠達成類似或增進的載體運輸。除此之外，在有些實施例中，其中，AlN被使用作為諧振器裝置的壓電材料，AlN可以被磊晶地生長，其相較於藉由習知濺鍍技術所沉積的壓電材料，可提供增進的性能。

    简体摘要： 揭示用以形成包含由二维电子气体(2DEG)层所构成之电极之集成电路单翻转式谐振器设备的技术。所揭示之谐振器设备可以用各种第III族-氮化物(III-N)材料来予以施行，并且在有些情况中，2DEG可被形成于各自由III-N材料所构成之两个磊晶层的异质接面处，该III-N材料诸如氮化铝(AlN)层和氮化镓(GaN)层。相较于具有由金属所构成之电极的谐振器设备，该2DEG电极可以能够达成类似或增进的载体运输。除此之外，在有些实施例中，其中，AlN被使用作为谐振器设备的压电材料，AlN可以被磊晶地生长，其相较于借由习知溅镀技术所沉积的压电材料，可提供增进的性能。

    用於高頻射頻（ＲＦ）濾波器的薄膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ）
    6.
    发明专利
    用於高頻射頻（ＲＦ）濾波器的薄膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ） 审中-公开
    用于高频射频（ＲＦ）滤波器的薄膜体声波共振器（ＦＢＡＲ）

    公开(公告)号：TW201820624A

    公开(公告)日：2018-06-01

    申请号：TW106128459

    申请日：2017-08-22

    申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

    IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L29/12

    摘要： 本發明揭露了用於形成具有共同基材上的多個共振器厚度的高頻薄膜體聲波共振器(FBAR)裝置之技術。在一淺溝槽隔離(STI)溝槽中形成一壓電堆疊，且使該壓電堆疊增生到STI材料之上。在某些例子中，該壓電堆疊可包含以磊晶方式生長的氮化鋁(AlN)。在某些例子中，該壓電堆疊可包含單晶(磊晶)AlN與多晶(例如，濺鍍)AlN的組合。該壓電堆疊因而形成有一第一共振器厚度之一中央部分、以及一些自該中央部分延伸且有不同的共振器厚度之端翼。每一翼亦可有不同的厚度。因此，可在一共同基材上實現多個共振器厚度，且因而在相同基材上有多個共振頻率。該等端翼在其上形成的金屬電極，且該中央部分可具有在該中央部分上產生圖案的複數個指叉(IDT)電極。

    简体摘要： 本发明揭露了用于形成具有共同基材上的多个共振器厚度的高频薄膜体声波共振器(FBAR)设备之技术。在一浅沟槽隔离(STI)沟槽中形成一压电堆栈，且使该压电堆栈增生到STI材料之上。在某些例子中，该压电堆栈可包含以磊晶方式生长的氮化铝(AlN)。在某些例子中，该压电堆栈可包含单晶(磊晶)AlN与多晶(例如，溅镀)AlN的组合。该压电堆栈因而形成有一第一共振器厚度之一中央部分、以及一些自该中央部分延伸且有不同的共振器厚度之端翼。每一翼亦可有不同的厚度。因此，可在一共同基材上实现多个共振器厚度，且因而在相同基材上有多个共振频率。该等端翼在其上形成的金属电极，且该中央部分可具有在该中央部分上产生图案的复数个指叉(IDT)电极。

    具有二維電子氣體底部電極的膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ）裝置
    8.
    发明专利
    具有二維電子氣體底部電極的膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ）裝置 审中-公开
    具有二维电子气体底部电极的膜体声波共振器（ＦＢＡＲ）设备

    公开(公告)号：TW201824742A

    公开(公告)日：2018-07-01

    申请号：TW106127645

    申请日：2017-08-15

    申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

    IPC分类号： H03H3/04 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58

    摘要： 揭示用以形成包含由二維電子氣體(2DEG)所構成之底部電極之高頻膜體聲波共振器(FBAR)裝置的技術。所揭示之FBAR裝置可以用各種第III族-氮化物(III-N)材料來予以施行，並且在有些情況中，2DEG可被形成於各自由III-N材料所構成之兩個磊晶層的異質接面處，諸如氮化鎵(GaN)層和氮化鋁(AlN)層。相較於具有由金屬所構成之底部電極的FBAR裝置，該2DEG底部電極可以能夠達成類似或增進的載體運輸。除此之外，在有些實施方式中，其中，AlN被使用作為FBAR裝置的壓電材料，AlN可以被磊晶地生長，其相較於藉由傳統濺鍍技術所沉積的壓電材料，可提供增進的性能。

    简体摘要： 揭示用以形成包含由二维电子气体(2DEG)所构成之底部电极之高频膜体声波共振器(FBAR)设备的技术。所揭示之FBAR设备可以用各种第III族-氮化物(III-N)材料来予以施行，并且在有些情况中，2DEG可被形成于各自由III-N材料所构成之两个磊晶层的异质接面处，诸如氮化镓(GaN)层和氮化铝(AlN)层。相较于具有由金属所构成之底部电极的FBAR设备，该2DEG底部电极可以能够达成类似或增进的载体运输。除此之外，在有些实施方式中，其中，AlN被使用作为FBAR设备的压电材料，AlN可以被磊晶地生长，其相较于借由传统溅镀技术所沉积的压电材料，可提供增进的性能。

    用於高頻射頻濾波器的薄膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ）裝置
    9.
    发明专利
    用於高頻射頻濾波器的薄膜體聲波共振器（ＦＢＡＲ）裝置 审中-公开
    用于高频射频滤波器的薄膜体声波共振器（ＦＢＡＲ）设备

    公开(公告)号：TW201822353A

    公开(公告)日：2018-06-16

    申请号：TW106127966

    申请日：2017-08-17

    申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

    发明人： 布拉克 布魯斯 ,  BLOCK, BRUCE ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/66

    摘要： 揭示用於形成在共用基板上具有數種共振器厚度的積體電路薄膜體聲波共振器(FBAR)裝置之技術。形成壓電堆疊在STI溝槽中並且過度生長到STI材料之上。在若干情況中，壓電堆疊可包括磊晶生長的AlN。在若干情況中，壓電堆疊可包括與多晶(例如，濺鍍)AlN結合的單晶(磊晶)AlN。壓電堆疊因此形成具有第一共振器厚度之中央部分以及從中央部分延伸並具有不同共振器厚度之終端翼部。各翼部彼此亦可具有不同厚度。因此，數種共振器厚度可實踐於共用基板上，且因此，在相同基板實踐數種共振頻率。終端翼部上可形成有金屬電極，且中央部分上可圖案化有複數個IDT電極。

    简体摘要： 揭示用于形成在共享基板上具有数种共振器厚度的集成电路薄膜体声波共振器(FBAR)设备之技术。形成压电堆栈在STI沟槽中并且过度生长到STI材料之上。在若干情况中，压电堆栈可包括磊晶生长的AlN。在若干情况中，压电堆栈可包括与多晶(例如，溅镀)AlN结合的单晶(磊晶)AlN。压电堆栈因此形成具有第一共振器厚度之中央部分以及从中央部分延伸并具有不同共振器厚度之终端翼部。各翼部彼此亦可具有不同厚度。因此，数种共振器厚度可实践于共享基板上，且因此，在相同基板实践数种共振频率。终端翼部上可形成有金属电极，且中央部分上可图案化有复数个IDT电极。