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    多層壓電基板
    1.
    发明专利
    多層壓電基板 审中-公开
    多层压电基板

    公开(公告)号：TW202023187A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108129961

    申请日：2019-08-22

    申请人： 美商天工方案公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

    发明人： 卷圭一 ,  MAKI, KEIICHI ,  後藤令 ,  GOTO, REI ,  福原寛則 ,  FUKUHARA, HIRONORI

    IPC分类号： H03H9/00 ,  H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/08 ,  H03H9/10 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

    摘要： 本發明揭示一種聲波裝置，其包含：一分層基板，其具有接合至一第二材料層之一壓電材料層，該第二材料層包含具有高於該壓電材料層之一導熱率的一材料；數個叉指換能器電極，其等安置於該壓電材料層之一表面上；數個接觸墊，其等安置於該壓電材料層上且與該等叉指換能器電極電接觸；數個外部接合墊，其等安置於該第二材料層上；及數個導電通路，其等穿過該分層基板且提供該等接觸墊與該等外部接合墊之間的電接觸。

    简体摘要： 本发明揭示一种声波设备，其包含：一分层基板，其具有接合至一第二材料层之一压电材料层，该第二材料层包含具有高于该压电材料层之一导热率的一材料；数个叉指换能器电极，其等安置于该压电材料层之一表面上；数个接触垫，其等安置于该压电材料层上且与该等叉指换能器电极电接触；数个外部接合垫，其等安置于该第二材料层上；及数个导电通路，其等穿过该分层基板且提供该等接触垫与该等外部接合垫之间的电接触。

    橫向激發薄膜體聲波共振器
    2.
    发明专利
    橫向激發薄膜體聲波共振器 审中-公开
    横向激发薄膜体声波共振器

    公开(公告)号：TW202019087A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW108120633

    申请日：2019-06-14

    申请人： 美商諧振股份有限公司 ,  RESONANT INC.

    发明人： 普萊斯可 維克多 ,  PLESSKI, VIKTOR ,  楊德拉帕里 松亞 ,  YANDRAPALLI, SOUMYA ,  哈蒙 羅伯特 B ,  HAMMOND, ROBERT B. ,  蓋西亞 布萊恩 ,  GARCIA, BRYANT ,  特納 派翠克 ,  TURNER, PATRICK ,  約翰 傑森 ,  JOHN, JESSON ,  楊切 凡斯拉夫 ,  YANTCHEV, VENTSISLAV

    IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/46 ,  H03H9/64 ,  H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H01L41/332

    摘要： 本發明揭示聲波共振器器件及濾波器。一濾波器包含一基板及一壓電板，該壓電板具有平行之前表面及後表面，該後表面附接至該基板。一導體圖案形成於該前表面上，該導體圖案包含各自複數個共振器之複數個交叉指形傳感器(IDT)，其中該複數個IDT之各者之交錯指狀部安置於懸置於形成於該基板中之一或多個腔上方之該壓電板之各自部分上。該複數個共振器包含一並聯共振器及一串聯共振器。安置於該並聯共振器之該IDT之該等指狀部之間的一第一介電層之一第一厚度大於安置於該串聯共振器之該IDT之該等指狀部之間的一第二介電層之一第二厚度。

    简体摘要： 本发明揭示声波共振器器件及滤波器。一滤波器包含一基板及一压电板，该压电板具有平行之前表面及后表面，该后表面附接至该基板。一导体图案形成于该前表面上，该导体图案包含各自复数个共振器之复数个交叉指形传感器(IDT)，其中该复数个IDT之各者之交错指状部安置于悬置于形成于该基板中之一或多个腔上方之该压电板之各自部分上。该复数个共振器包含一并联共振器及一串联共振器。安置于该并联共振器之该IDT之该等指状部之间的一第一介电层之一第一厚度大于安置于该串联共振器之该IDT之该等指状部之间的一第二介电层之一第二厚度。

    接合體及彈性波元件
    8.
    发明专利
    接合體及彈性波元件 审中-公开
    接合体及弹性波组件

    公开(公告)号：TW202015334A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW108116354

    申请日：2019-05-13

    申请人： 日商日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

    发明人： 鵜野雄大 ,  UNO, YUDAI ,  後藤萬佐司 ,  GOTO, MASASHI ,  多井知義 ,  TAI, TOMOYOSHI

    IPC分类号： H03H9/25

    摘要： 發明提供一種接合體及彈性波元件，在將由單晶矽構成的支持基板對壓電性單晶基板接合之接合體中，使用高電阻接合層，並改善支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。接合體5、5A，具備：壓電性單晶基板4、4A；支持基板1，由單晶矽構成；接合層2A，設置於支持基板1與壓電性單晶基板4、4A之間，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）之組成；以及非晶質層8，設置於支持基板1與接合層2A之間，含有矽原子、氧原子及氬原子。非晶質層8的接合層2A側端部之氧原子的濃度，較接合層2A內之氧原子的平均濃度更高。

    简体摘要： 发明提供一种接合体及弹性波组件，在将由单晶硅构成的支持基板对压电性单晶基板接合之接合体中，使用高电阻接合层，并改善支持基板与压电性单晶基板之接合强度。接合体5、5A，具备：压电性单晶基板4、4A；支持基板1，由单晶硅构成；接合层2A，设置于支持基板1与压电性单晶基板4、4A之间，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）之组成；以及非晶质层8，设置于支持基板1与接合层2A之间，含有硅原子、氧原子及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部之氧原子的浓度，较接合层2A内之氧原子的平均浓度更高。

    表面聲波元件用複合結構
    9.
    发明专利
    表面聲波元件用複合結構 审中-公开
    表面声波组件用复合结构

    公开(公告)号：TW201803268A

    公开(公告)日：2018-01-16

    申请号：TW106121443

    申请日：2017-06-27

    申请人： 索泰克公司 ,  SOITEC

    发明人： 加丁 葛威泰 ,  GAUDIN, GWELTAZ ,  于耶 伊莎貝 ,  HUYET, ISABELLE

    IPC分类号： H03H9/15 ,  H03H9/25

    CPC分类号： H01L41/0815 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02622 ,  H03H9/02818

    摘要： 本發明與一種表面聲波元件用複合結構(100)有關，其包括壓電材料製成之一有用層(10)，其具有自由之一第一面(1)及設置在一支撐底材(20)上之一第二面(2)，該支撐底材(20)之熱膨脹係數低於該有用層(10)之熱膨脹係數。 該複合結構(100)包括： 插入在該有用層(10)與該支撐底材(20)間之一捕捉層(30)；及 位於該有用層(10)與該捕捉層(30)間具有確定粗糙度之至少一功能介面(31)。

    简体摘要： 本发明与一种表面声波组件用复合结构(100)有关，其包括压电材料制成之一有用层(10)，其具有自由之一第一面(1)及设置在一支撑底材(20)上之一第二面(2)，该支撑底材(20)之热膨胀系数低于该有用层(10)之热膨胀系数。 该复合结构(100)包括： 插入在该有用层(10)与该支撑底材(20)间之一捕捉层(30)；及 位于该有用层(10)与该捕捉层(30)间具有确定粗糙度之至少一功能界面(31)。