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公开(公告)号：TWI422030B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW100127075
申请日：2011-07-29
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司 , FORMOSA MICROSEMI CO., LTD.
Inventor： 蔡曉峰 , TSAI, SHEAU FENG , 黃文彬 , HUANG, WEN PING , 胡祖溪 , HU, TZUU CHI
IPC: H01L29/47 , H01L29/812
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公开(公告)号：TW201308409A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW100128535
申请日：2011-08-10
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司 , FORMOSA MICROSEMI CO., LTD.
Inventor： 黃文彬 , HUANG, WEN PING , 吳文湖 , WU, PAUL
IPC: H01L21/30 , H01L29/861
Abstract: 本發明提供一種覆晶式半導體全波整流元件，至少包含一顆PNNP型及/或NPPN型覆晶(Flip-Chip)、以及一片包含複數根接腳的料片或基板，其特徵在於：該PNNP型及/或NPPN型覆晶之全部焊點(bump)皆位於同一面，能簡易地讓複數根接腳分別與該等覆晶之焊點依照全波整流器的電路配置來焊接組合後，經過成型封裝及切腳步驟即完成成品的製作；其成品具備全波整流功能，並具有簡化製程、降低成本以及縮小體積之功效，有別於傳統由二/四顆單晶粒所組成之全波整流器。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种覆晶式半导体全波整流组件，至少包含一颗PNNP型及/或NPPN型覆晶(Flip-Chip)、以及一片包含复数根接脚的料片或基板，其特征在于：该PNNP型及/或NPPN型覆晶之全部焊点(bump)皆位于同一面，能简易地让复数根接脚分别与该等覆晶之焊点依照全波整流器的电路配置来焊接组合后，经过成型封装及切脚步骤即完成成品的制作；其成品具备全波整流功能，并具有简化制程、降低成本以及缩小体积之功效，有别于传统由二/四颗单晶粒所组成之全波整流器。
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公开(公告)号：TW201306253A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW100127075
申请日：2011-07-29
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司 , FORMOSA MICROSEMI CO., LTD.
Inventor： 蔡曉峰 , TSAI, SHEAU FENG , 黃文彬 , HUANG, WEN PING , 胡祖溪 , HU, TZUU CHI
IPC: H01L29/47 , H01L29/812
Abstract: 本發明為一種定電流半導體元件，特別是指一種利用金屬/半導體接觸原理製成具備蕭特基能障(Schottky Barrier)之定電流半導體元件。其構造係於一成長在半絕緣基板上的N型或P型半導體磊晶層(Epitaxial Layer)表面設置第一、二金屬電極端，其中第一金屬電極端與磊晶層之間包括有第一毆姆接觸(Ohmic Contact)區段及蕭特基接觸(Schottky Contact)區段，第二金屬電極端與磊晶層之間為第二毆姆接觸區段，使該半導體元件具備蕭特基能障及定電流之特性，不但具有較低啟動電壓，而且其製程中容易將數個隔離單體積體組合成適用於較大驅動電流的定電流半導體元件。
Abstract in simplified Chinese: 本发明为一种定电流半导体组件，特别是指一种利用金属/半导体接触原理制成具备萧特基能障(Schottky Barrier)之定电流半导体组件。其构造系于一成长在半绝缘基板上的N型或P型半导体磊晶层(Epitaxial Layer)表面设置第一、二金属电极端，其中第一金属电极端与磊晶层之间包括有第一殴姆接触(Ohmic Contact)区段及萧特基接触(Schottky Contact)区段，第二金属电极端与磊晶层之间为第二殴姆接触区段，使该半导体组件具备萧特基能障及定电流之特性，不但具有较低启动电压，而且其制程中容易将数个隔离单体积体组合成适用于较大驱动电流的定电流半导体组件。
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公开(公告)号：TW201131670A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099106657
申请日：2010-03-08
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L24/33 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本發明係為矽晶片與基板共構表面黏著型二極體元件製造方法及構造;該製造方法係將一擴散後晶片與一可耐高溫之高强度基板燒結熔接共構後,再對該擴散後晶片進行蝕刻開溝、填入絕緣物質、以及表面金屬化等製程,使複數電極皆建構在同一平面上,以完成所有功能線路製作後,再對該共構體進行切割,即可分離出複數個可直接應用的單一表面黏著型二極體元件;相較習知先將矽晶圓片所有功能線路製作完成並切割成單一晶粒之後,再經封裝及測試的二極體元件製造方法,本發明具有簡化製程、降低工時的功效,且製程中晶片不易破裂損壞,並符合輕薄短小的世界潮流。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系为硅芯片与基板共构表面黏着型二极管组件制造方法及构造;该制造方法系将一扩散后芯片与一可耐高温之高强度基板烧结熔接共构后,再对该扩散后芯片进行蚀刻开沟、填入绝缘物质、以及表面金属化等制程,使复数电极皆建构在同一平面上,以完成所有功能线路制作后,再对该共构体进行切割,即可分离出复数个可直接应用的单一表面黏着型二极管组件;相较习知先将硅晶圆片所有功能线路制作完成并切割成单一晶粒之后,再经封装及测试的二极管组件制造方法,本发明具有简化制程、降低工时的功效,且制程中芯片不易破裂损坏,并符合轻薄短小的世界潮流。
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公开(公告)号：TWI624884B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW105122390
申请日：2016-07-15
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L29/41 , H01L29/861
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201804539A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105122390
申请日：2016-07-15
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L29/41 , H01L29/861
Abstract: 本發明為一種具有具備超低順向電壓的晶粒尺寸封裝二極體元件及其製造方法，該二極體元件是直接利用第二電極以外的全部區域作為第一電極，及/或採用穿孔貫穿第一電極的正背面並導通後，經切割後即可形成一體積更小的晶粒尺寸封裝(CSP)二極體元件成品；由於本發明第一電極無須通過磊晶層或擴散層作導通，因此能避開內阻而降低順向電壓(VF)，並具備簡化製程、提升品質、降低成本、以及讓二極體元件更輕薄短小等諸多優點。
Abstract in simplified Chinese: 本发明为一种具有具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管组件及其制造方法，该二极管组件是直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，及/或采用穿孔贯穿第一电极的正背面并导通后，经切割后即可形成一体积更小的晶粒尺寸封装(CSP)二极管组件成品；由于本发明第一电极无须通过磊晶层或扩散层作导通，因此能避开内阻而降低顺向电压(VF)，并具备简化制程、提升品质、降低成本、以及让二极管组件更轻薄短小等诸多优点。
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公开(公告)号：TW201336090A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101105533
申请日：2012-02-20
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 一種掘井引流式(Well-through Type)二極體元件或二極體組件之製造方法，係利用掘井方式穿過PN接面空乏/能障區後，利用金屬化製程將二極體元件/組件的兩極建構在同一面上，並引導其中一極的電子無障礙地流經空乏/能障區；此外，本發明直接在晶片狀態下做絕緣保護、金屬化、長焊球等作業，即可完成獨立元件/組件之晶粒尺寸級封裝(CSP)新技術。具有：晶粒就是成品、無接線、低耗能、低成本、輕薄短小等特色，能夠有效滿足未來趨勢及應用之需求。本方法可適用在所有二極體元件以及由該等二極體元件所延伸運用之相關二極體組件，例如：全波整流器、陣列式整流器等等。
Abstract in simplified Chinese: 一种掘井引流式(Well-through Type)二极管组件或二极管组件之制造方法，系利用掘井方式穿过pn结空乏/能障区后，利用金属化制程将二极管组件/组件的两极建构在同一面上，并引导其中一极的电子无障碍地流经空乏/能障区；此外，本发明直接在芯片状态下做绝缘保护、金属化、长焊球等作业，即可完成独立组件/组件之晶粒尺寸级封装(CSP)新技术。具有：晶粒就是成品、无接线、低耗能、低成本、轻薄短小等特色，能够有效满足未来趋势及应用之需求。本方法可适用在所有二极管组件以及由该等二极管组件所延伸运用之相关二极管组件，例如：全波整流器、数组式整流器等等。
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公开(公告)号：TWI555233B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW103111640
申请日：2014-03-28
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L23/49555 , H01L23/49575 , H01L25/167 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2224/16245
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公开(公告)号：TWI253150B
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：TW093122512
申请日：2004-07-28
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本發明係為一種與功率半導體有關之設計，尤指一種利用雙金屬與陶瓷為基材所組成之功率半導體結構。該功率半導體主要係將預設有容置槽之陶瓷基板表面金屬化，並且將延伸有接腳之兩片金屬基板分別置於陶瓷基板兩側後，將晶片置入陶瓷基板之容置槽，使金屬基板與陶瓷基板共燒結，即可構成一雙金屬與陶瓷組成之功率半導體構造者。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系为一种与功率半导体有关之设计，尤指一种利用双金属与陶瓷为基材所组成之功率半导体结构。该功率半导体主要系将默认有容置槽之陶瓷基板表面金属化，并且将延伸有接脚之两片金属基板分别置于陶瓷基板两侧后，将芯片置入陶瓷基板之容置槽，使金属基板与陶瓷基板共烧结，即可构成一双金属与陶瓷组成之功率半导体构造者。
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公开(公告)号：TW200605284A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW093122512
申请日：2004-07-28
Applicant: 美麗微半導體股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本發明係為一種與功率半導體有關之設計，尤指一種利用雙金屬與陶瓷為基材所組成之功率半導體結構。該功率半導體主要係將預設有容置槽之陶瓷基板表面金屬化，並且將延伸有接腳之兩片金屬基板分別置於陶瓷基板兩側後，將晶片置入陶瓷基板之容置槽，使金屬基板與陶瓷基板共燒結，即可構成一雙金屬與陶瓷組成之功率半導體構造者。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系为一种与功率半导体有关之设计，尤指一种利用双金属与陶瓷为基材所组成之功率半导体结构。该功率半导体主要系将默认有容置槽之陶瓷基板表面金属化，并且将延伸有接脚之两片金属基板分别置于陶瓷基板两侧后，将芯片置入陶瓷基板之容置槽，使金属基板与陶瓷基板共烧结，即可构成一双金属与陶瓷组成之功率半导体构造者。
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