-
公开(公告)号:TWI621005B
公开(公告)日:2018-04-11
申请号:TW103108230
申请日:2014-03-10
发明人: 李 湯瑪斯 約鮑克 , LEE, THOMAS YOUBOK , 傑拉米洛 魯迪 , JARAMILLO, RUDY , 理查斯 派翠克 凱莉 , RICHARDS, PATRICK KELLY , 富瑞 李 , FUREY, LEE
IPC分类号: G05F1/46
CPC分类号: H04L25/4902 , H01L23/49575 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H02M3/00 , H02M3/33523 , H04L25/0266 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
-
公开(公告)号:TWI620407B
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW105142891
申请日:2016-12-23
发明人: 吳繼開 , WU, CHI-KAI
CPC分类号: B60L11/18 , G01K3/08 , G01R19/16523 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L2224/48245 , H01L2924/12035 , H01L2924/13091 , H02M7/003 , H02M7/06
-
公开(公告)号:TWI620305B
公开(公告)日:2018-04-01
申请号:TW106101884
申请日:2014-03-04
发明人: 船矢琢央 , FUNAYA, TAKUO , 五十嵐孝行 , IGARASHI, TAKAYUKI
CPC分类号: H01L21/3205 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/0688 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015
-
公开(公告)号:TW201807802A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW106127980
申请日:2017-08-17
CPC分类号: H02H9/046 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/60 , H01L25/18 , H01L27/0248 , H01L27/0277 , H01L29/0688 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/0847 , H01L29/1008 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4916 , H01L29/735 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L2224/04042 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012
摘要: 在一個公共晶片上的金屬氧化物半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,以下簡稱MOSFET)和靜電放電(Electrostatic Discharge,以下簡稱ESD)保護裝置,包括一個帶有源極、閘極和汲極的MOSFET,以及一個ESD保護裝置,用於實現二極管功能,偏置後防止電流通過公共晶片從源極流至汲極。
简体摘要: 在一个公共芯片上的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,以下简称MOSFET)和静电放电(Electrostatic Discharge,以下简称ESD)保护设备,包括一个带有源极、闸极和汲极的MOSFET,以及一个ESD保护设备,用于实现二极管功能,偏置后防止电流通过公共芯片从源极流至汲极。
-
公开(公告)号:TW201801273A
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW105130534
申请日:2016-09-22
发明人: 薛 彥迅 , XUE, YANXUN , 牛志強 , NIU, ZHIQIANG
IPC分类号: H01L23/495
CPC分类号: H01L23/49562 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49524 , H01L23/49555 , H01L23/49575 , H01L24/90 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2924/1815
摘要: 本發明提出一種半導體功率器件和製備方法。半導體功率器件包括引線框單元、兩組或更多組單列直插引線組、兩個或多個半導體晶片堆疊和一成型封裝。每個半導體晶片堆疊包括一個高端半導體晶片、一個低端半導體晶片和一個將高端半導體晶片頂面連接到低端半導體晶片底面的夾片。方法包括製備具有多個引線框單元的引線框帶;製備兩組或更多組單列直插引線組;將兩個或多個高端半導體晶片連接到每個引線框單元;將兩個或多個高端半導體晶片都通過兩個或多個第一夾片的各自夾片,分別連接到各自引線;將兩個或多個低端半導體晶片各自的低端半導體晶片連接到兩個或多個第一夾片的每個夾片上;使封裝成型;並且分割引線框帶和密封包裝,製成半導體功率器件。
简体摘要: 本发明提出一种半导体功率器件和制备方法。半导体功率器件包括引线框单元、两组或更多组单列直插引线组、两个或多个半导体芯片堆栈和一成型封装。每个半导体芯片堆栈包括一个高端半导体芯片、一个低端半导体芯片和一个将高端半导体芯片顶面连接到低端半导体芯片底面的夹片。方法包括制备具有多个引线框单元的引线框带;制备两组或更多组单列直插引线组;将两个或多个高端半导体芯片连接到每个引线框单元;将两个或多个高端半导体芯片都通过两个或多个第一夹片的各自夹片,分别连接到各自引线;将两个或多个低端半导体芯片各自的低端半导体芯片连接到两个或多个第一夹片的每个夹片上;使封装成型;并且分割引线框带和密封包装,制成半导体功率器件。
-
公开(公告)号:TWI609511B
公开(公告)日:2017-12-21
申请号:TW105114817
申请日:2016-05-13
发明人: 里西特 丹尼爾 , RICHTER, DANIEL , 赫蘭 布蘭登 , HOLLAND, BRENDAN
IPC分类号: H01L33/62
CPC分类号: H01L21/4839 , H01L21/4828 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/27013 , H01L2933/0033
-
公开(公告)号:TWI608589B
公开(公告)日:2017-12-11
申请号:TW105137893
申请日:2016-11-18
发明人: 河野賢哉 , KAWANO, KENYA , 石丸哲也 , ISHIMARU, TETSUYA , 栗田信一 , KURITA, SHINICHI , 寺川武士 , TERAKAWA, TAKESHI
CPC分类号: H01L23/49568 , H01L23/051 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49589 , H01L2224/01 , H01L2224/73265 , H02K11/046
-
公开(公告)号:TW201733062A
公开(公告)日:2017-09-16
申请号:TW105138398
申请日:2016-11-23
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 迪拉克魯茲 賈維爾A , DELACRUZ, JAVIER A. , 哈巴 貝爾格森 , HABA, BELGACEM , 于 圖三 , VU, TU TAM , 卡特卡爾 拉傑許 , KATKAR, RAJESH
IPC分类号: H01L23/495 , H01L25/065
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49555 , H01L23/49575 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/49051 , H01L2224/4909 , H01L2224/49113 , H01L2224/49173 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/06 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要: 堆疊式微電子封裝包括多個微電子元件,每一個微電子元件皆具有一承載接點的前表面以及延伸遠離該前表面的多個邊緣表面,以及一接觸一邊緣表面的介電囊封區。該囊封定義該封裝的第一主要表面與第二主要表面以及一介於該些主要表面之間的遠端表面。位在該遠端表面處的封裝接點包含一第一組接點以及一第二組接點,該第一組接點位在比該第二組接點靠近該第一主要表面的位置處,該第二組接點則為在比較靠近該第二主要表面的位置處。該些封裝被配置成用以使得每一個封裝的主要表面被配向在不平行於一基板之主要表面的方向中,該些封裝接點被電氣耦接至該基板表面處的對應接點。該封裝堆疊與配向能夠提供增加的封裝密度。
简体摘要: 堆栈式微电子封装包括多个微电子组件,每一个微电子组件皆具有一承载接点的前表面以及延伸远离该前表面的多个边缘表面,以及一接触一边缘表面的介电囊封区。该囊封定义该封装的第一主要表面与第二主要表面以及一介于该些主要表面之间的远程表面。位在该远程表面处的封装接点包含一第一组接点以及一第二组接点,该第一组接点位在比该第二组接点靠近该第一主要表面的位置处,该第二组接点则为在比较靠近该第二主要表面的位置处。该些封装被配置成用以使得每一个封装的主要表面被配向在不平行于一基板之主要表面的方向中,该些封装接点被电气耦接至该基板表面处的对应接点。该封装堆栈与配向能够提供增加的封装密度。
-
公开(公告)号:TWI595656B
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:TW102123354
申请日:2013-06-28
IPC分类号: H01L29/78 , H01L27/105
CPC分类号: H01L29/732 , H01L23/49503 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/0826 , H01L29/36 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/0612 , H01L2224/32245 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48471 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F3/195 , H03F2200/111 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
-
公开(公告)号:TWI585978B
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:TW102130926
申请日:2013-08-28
发明人: 安藤英子 , ANDOU, HIDEKO
CPC分类号: H01L23/49503 , H01L21/4842 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/89 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/32245 , H01L2224/37013 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45014 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/83908 , H01L2224/8485 , H01L2224/85399 , H01L2224/85801 , H01L2224/859 , H01L2224/92246 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2224/84 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
-
-
-
-
-
-
-
-
-