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公开(公告)号:TW201405592A
公开(公告)日:2014-02-01
申请号:TW101127714
申请日:2012-07-31
发明人: 利文峯 , LEE, WEN FENG , 陳國勳 , CHEN, KUO HSUN , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 沙益安 , SHA, YI AN , 呂明勳 , LU, MING HSUN
CPC分类号: H01C7/008 , H01C1/028 , H01C1/1406 , H01C7/02 , H01C17/00 , H01C17/02 , Y10T29/49085
摘要: 一過電流保護元件包含至少一PTC元件、第一電極、第二電極及絕緣層。PTC元件之厚度小於0.4mm,且包括:第一導電構件、第二導電構件及疊設於該第一導電構件和第二導電構件之間之PTC材料層。第一電極係電氣連接該第一導電構件,第二電極係電氣連接該第二導電構件。絕緣層係設於該第一導電構件表面,其厚度介於10~65μm之間。其中該過電流保護元件形成沿第一方向延伸的層疊結構,且包含於垂直該第一方向之第二方向上之至少一孔洞。該至少一孔洞的涵蓋面積佔該過電流保護元件的形狀因數面積之值不小於2%,且該過電流保護元件的厚度除以該PTC元件的個數之值小於0.7mm。
简体摘要: 一过电流保护组件包含至少一PTC组件、第一电极、第二电极及绝缘层。PTC组件之厚度小于0.4mm,且包括:第一导电构件、第二导电构件及叠设于该第一导电构件和第二导电构件之间之PTC材料层。第一电极系电气连接该第一导电构件,第二电极系电气连接该第二导电构件。绝缘层系设于该第一导电构件表面,其厚度介于10~65μm之间。其中该过电流保护组件形成沿第一方向延伸的层叠结构,且包含于垂直该第一方向之第二方向上之至少一孔洞。该至少一孔洞的涵盖面积占该过电流保护组件的形状因子面积之值不小于2%,且该过电流保护组件的厚度除以该PTC组件的个数之值小于0.7mm。
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公开(公告)号:TWI456596B
公开(公告)日:2014-10-11
申请号:TW101127714
申请日:2012-07-31
发明人: 利文峯 , LEE, WEN FENG , 陳國勳 , CHEN, KUO HSUN , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 沙益安 , SHA, YI AN , 呂明勳 , LU, MING HSUN
CPC分类号: H01C7/008 , H01C1/028 , H01C1/1406 , H01C7/02 , H01C17/00 , H01C17/02 , Y10T29/49085
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公开(公告)号:TW201421496A
公开(公告)日:2014-06-01
申请号:TW101144921
申请日:2012-11-29
发明人: 王紹裘 , WANG, DAVID SHAU CHEW , 利文峯 , LEE, WEN FENG , 楊恩典 , YANG, EN TIEN , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 沙益安 , SHA, YI AN
摘要: 一種表面黏著型過電流保護元件包含至少一PTC材料層、第一導電層、第二導電層、第一電極、第二電極及至少一絕緣層。PTC材料層包含結晶性高分子聚合物及散佈於該結晶性高分子聚合物中之導電填料。第一及第二導電層分別設於PTC材料層之第一及第二表面。第一及第二電極分別電氣連接該第一及第二導電層。絕緣層設置於該第一及第二電極之間,作為電氣隔離。在結晶性高分子聚合物對應之熔點溫度時,結晶性高分子聚合物與該第一及第二導電層的熱膨脹係數相差100倍以上,且至少該第一導電層及第二導電層中之一者的厚度大到足以使得該表面黏著型過電流保護元件的電阻再現性R3/Ri小於1.4,其中Ri為元件的起始電阻值,R3為觸發3次後的電阻值。
简体摘要: 一种表面黏着型过电流保护组件包含至少一PTC材料层、第一导电层、第二导电层、第一电极、第二电极及至少一绝缘层。PTC材料层包含结晶性高分子聚合物及散布于该结晶性高分子聚合物中之导电填料。第一及第二导电层分别设于PTC材料层之第一及第二表面。第一及第二电极分别电气连接该第一及第二导电层。绝缘层设置于该第一及第二电极之间,作为电气隔离。在结晶性高分子聚合物对应之熔点温度时,结晶性高分子聚合物与该第一及第二导电层的热膨胀系数相差100倍以上,且至少该第一导电层及第二导电层中之一者的厚度大到足以使得该表面黏着型过电流保护组件的电阻再现性R3/Ri小于1.4,其中Ri为组件的起始电阻值,R3为触发3次后的电阻值。
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公开(公告)号:TWI464755B
公开(公告)日:2014-12-11
申请号:TW101144921
申请日:2012-11-29
发明人: 王紹裘 , WANG, DAVID SHAU CHEW , 利文峯 , LEE, WEN FENG , 楊恩典 , YANG, EN TIEN , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 沙益安 , SHA, YI AN
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公开(公告)号:TW201430896A
公开(公告)日:2014-08-01
申请号:TW102103639
申请日:2013-01-31
发明人: 蔡東成 , TSAI, TONG CHENG , 利文峰 , LEE, WEN FENG , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 蘇啟仁 , SU, CHI JEN , 沙益安 , SHA, YI AN
CPC分类号: H01C7/021 , H01C1/1406 , H05K1/0263 , H05K1/0373 , H05K1/181 , H05K2201/10196
摘要: 本發明揭示一種過電流保護元件,其係用於以表面黏著方式設置於電路板上,且可承受60至600伏特的電壓。該過電流保護元件包含PTC元件、第一電極及第二電極。PTC元件為層疊結構,包含第一導電層、第二導電層及PTC材料層。該第一導電層設於該PTC材料層之第一表面,第二導電層設於該PTC材料層之第二表面,第二表面係位於第一表面之相對側。第一電極設於第一導電層表面。第二電極設於第二導電層表面,且與該第一電極電氣隔離。該第一電極、第二電極及PTC元件共同形成一端平面,該端平面實質垂直於該第一及第二表面,位於該端平面之該第一電極和第二電極作為電氣連接該電路板的介面。
简体摘要: 本发明揭示一种过电流保护组件,其系用于以表面黏着方式设置于电路板上,且可承受60至600伏特的电压。该过电流保护组件包含PTC组件、第一电极及第二电极。PTC组件为层叠结构,包含第一导电层、第二导电层及PTC材料层。该第一导电层设于该PTC材料层之第一表面,第二导电层设于该PTC材料层之第二表面,第二表面系位于第一表面之相对侧。第一电极设于第一导电层表面。第二电极设于第二导电层表面,且与该第一电极电气隔离。该第一电极、第二电极及PTC组件共同形成一端平面,该端平面实质垂直于该第一及第二表面,位于该端平面之该第一电极和第二电极作为电气连接该电路板的界面。
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公开(公告)号:TWI486988B
公开(公告)日:2015-06-01
申请号:TW102103639
申请日:2013-01-31
发明人: 蔡東成 , TSAI, TONG CHENG , 利文峰 , LEE, WEN FENG , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 蘇啟仁 , SU, CHI JEN , 沙益安 , SHA, YI AN
CPC分类号: H01C7/021 , H01C1/1406 , H05K1/0263 , H05K1/0373 , H05K1/181 , H05K2201/10196
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公开(公告)号:TW201521045A
公开(公告)日:2015-06-01
申请号:TW102142744
申请日:2013-11-25
发明人: 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 蘇啟仁 , SU, CHI JEN , 利文峯 , LEE, WEN FENG
CPC分类号: H05K1/181 , H01C7/02 , H01C7/021 , H05K1/111 , H05K1/189 , H05K3/3442 , Y02P70/611 , Y02P70/613
摘要: 一種過電流保護元件,用於焊接於一電路板表面,其包含PTC材料層、第一電極箔、第二電極箔、焊接區及金屬連接件。PTC材料層具有相對之第一和第二表面,第一電極箔物理接觸該第一表面,第二電極箔電氣連接該PTC材料層之第二表面。第二電極箔和焊接區均位於該過電流保護元件下表面,且焊接區與該第二電極箔隔離。金屬連接件位於過電流保護元件側表面。其中該第二電極箔用於焊接於該電路板中之電極區,該焊接區與金屬連接件作為焊接固定於該電路板中之相應焊墊之用。
简体摘要: 一种过电流保护组件,用于焊接于一电路板表面,其包含PTC材料层、第一电极箔、第二电极箔、焊接区及金属连接件。PTC材料层具有相对之第一和第二表面,第一电极箔物理接触该第一表面,第二电极箔电气连接该PTC材料层之第二表面。第二电极箔和焊接区均位于该过电流保护组件下表面,且焊接区与该第二电极箔隔离。金属连接件位于过电流保护组件侧表面。其中该第二电极箔用于焊接于该电路板中之电极区,该焊接区与金属连接件作为焊接固定于该电路板中之相应焊垫之用。
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公开(公告)号:TWM467242U
公开(公告)日:2013-12-01
申请号:TW102214255
申请日:2013-07-30
发明人: 利文峯 , LEE, WEN FENG , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 沙益安 , SHA, YI AN , 陳以諾 , CHEN, YI NUO
IPC分类号: H02J7/00
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公开(公告)号:TWI493576B
公开(公告)日:2015-07-21
申请号:TW102142744
申请日:2013-11-25
发明人: 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 蘇啟仁 , SU, CHI JEN , 利文峯 , LEE, WEN FENG
CPC分类号: H05K1/181 , H01C7/02 , H01C7/021 , H05K1/111 , H05K1/189 , H05K3/3442 , Y02P70/611 , Y02P70/613
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公开(公告)号:TWM484176U
公开(公告)日:2014-08-11
申请号:TW103204078
申请日:2014-03-11
发明人: 利文峯 , LEE, WEN FENG , 沙益安 , SHA, YI AN , 張耀德 , CHANG, YAO TE
IPC分类号: H01C7/02
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