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公开(公告)号：TW201801310A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105123122
申请日：2016-07-22
发明人： 林猷穎 , LIN, YU-YING , 古冠軒 , KU, KUAN-HSUAN , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 劉厥揚 , LIU, CHUEH-YANG , 呂水煙 , LU, SHUI-YEN , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 楊鈞耀 , YANG, CHUN-YAO , 王俞仁 , WANG, YU-REN , 楊能輝 , YANG, NENG-HUI
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/31144 , H01L21/76877 , H01L27/0922 , H01L29/0688 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66636
摘要： 一種半導體裝置包括一半導體基底、一形成於該半導體基底上之閘極結構以及一部分形成於該半導體基底中之磊晶結構。該磊晶結構之一垂直延伸部係於與該閘極結構相鄰之一區域中的該半導體基底之一上表面上方垂直延伸。該磊晶結構之一側向延伸部係於該半導體基底之該上表面下方之一區域朝一往該閘極結構下方之一區域以及遠離該磊晶結構垂直延伸之一區域的方向上側向延伸。該半導體裝置更包括一層間介電層位於該磊晶結構之該垂直延伸部之一側表面以及該閘極結構之一側表面之間。該磊晶結構之該側向延伸部之一上表面直接接觸該層間介電層。
简体摘要： 一种半导体设备包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上之闸极结构以及一部分形成于该半导体基底中之磊晶结构。该磊晶结构之一垂直延伸部系于与该闸极结构相邻之一区域中的该半导体基底之一上表面上方垂直延伸。该磊晶结构之一侧向延伸部系于该半导体基底之该上表面下方之一区域朝一往该闸极结构下方之一区域以及远离该磊晶结构垂直延伸之一区域的方向上侧向延伸。该半导体设备更包括一层间介电层位于该磊晶结构之该垂直延伸部之一侧表面以及该闸极结构之一侧表面之间。该磊晶结构之该侧向延伸部之一上表面直接接触该层间介电层。
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公开(公告)号：TWI675476B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW105123122
申请日：2016-07-22
发明人： 林猷穎 , LIN, YU-YING , 古冠軒 , KU, KUAN-HSUAN , 胡益誠 , HU, I-CHENG , 劉厥揚 , LIU, CHUEH-YANG , 呂水煙 , LU, SHUI-YEN , 林鈺書 , LIN, YU-SHU , 楊鈞耀 , YANG, CHUN-YAO , 王俞仁 , WANG, YU-REN , 楊能輝 , YANG, NENG-HUI
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW202008425A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107127274
申请日：2018-08-06
发明人： 蔡晉欽 , TSAI, CHIN-CHIN , 葉宇寰 , YEH, YU-HUANG , 呂水煙 , LU, SHUI-YEN , 翁堂鈞 , WENG, TANG-CHUN , 王榮昌 , WANG, JUNG-CHANG , 陳彥溥 , CHEN, YEN-PU , 古冠軒 , KU, KUAN-HSUAN
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 一種的圖案化方法在此提出。在此方法中，首先，提供晶圓以及形成於晶圓上的多層膜，其中多層膜包括平坦層與分隔層。平坦層形成於晶圓上，而分隔層形成於平坦層上。接著，依序在分隔層上形成抗反射層與光阻圖案，其中光阻圖案局部暴露抗反射層。接著，以光阻圖案為遮罩，移除部分抗反射層與分隔層，以使分隔層形成第一圖案層，其中第一圖案層局部暴露平坦層。之後，以第一圖案層為遮罩，移除部分平坦層，以局部暴露晶圓。
简体摘要： 一种的图案化方法在此提出。在此方法中，首先，提供晶圆以及形成于晶圆上的多层膜，其中多层膜包括平坦层与分隔层。平坦层形成于晶圆上，而分隔层形成于平坦层上。接着，依序在分隔层上形成抗反射层与光阻图案，其中光阻图案局部暴露抗反射层。接着，以光阻图案为遮罩，移除部分抗反射层与分隔层，以使分隔层形成第一图案层，其中第一图案层局部暴露平坦层。之后，以第一图案层为遮罩，移除部分平坦层，以局部暴露晶圆。
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