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    記憶體及其操作方法
    1.
    发明专利
    記憶體及其操作方法 审中-公开
    内存及其操作方法

    公开(公告)号：TW201421474A

    公开(公告)日：2014-06-01

    申请号：TW101144317

    申请日：2012-11-27

    申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： 陳璽文 ,  CHEN, SHI WEN ,  帥祺昌 ,  SHUAI, CHI CHANG ,  蔡忠政 ,  TSAI, CHUNG CHENG ,  莫亞楠 ,  MOU, YANAN

    IPC分类号： G11C16/06

    摘要： 一種記憶體及其操作方法。所述之操作方法包括有下列步驟：取得記憶體之一N位元輸入資料，並判斷記憶體在依據上述N位元輸入資料執行一程式化操作時，需要改變多少個記憶單元的儲存內容，並據以產生第一判斷結果；以及當第一判斷結果顯示共有M個記憶單元之儲存內容需要改變時，便依據第一判斷結果來提供N-M個負載給記憶體之源極線的解碼器，以進一步將所提供之N-M個負載並聯至上述電源電壓的一傳輸路徑上，其中N與M皆為自然數。

    简体摘要： 一种内存及其操作方法。所述之操作方法包括有下列步骤：取得内存之一N比特输入数据，并判断内存在依据上述N比特输入数据运行一进程化操作时，需要改变多少个记忆单元的存储内容，并据以产生第一判断结果；以及当第一判断结果显示共有M个记忆单元之存储内容需要改变时，便依据第一判断结果来提供N-M个负载给内存之源极线的译码器，以进一步将所提供之N-M个负载并联至上述电源电压的一传输路径上，其中N与M皆为自然数。

    記憶體裝置以及讀取位元線的電壓判讀方法
    2.
    发明专利
    記憶體裝置以及讀取位元線的電壓判讀方法 审中-公开
    内存设备以及读取比特线的电压判读方法

    公开(公告)号：TW201331950A

    公开(公告)日：2013-08-01

    申请号：TW101102046

    申请日：2012-01-18

    申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： 陳璽文 ,  CHEN, SHI WEN ,  陳燦堂 ,  CHEN, TSAN TANG ,  帥祺昌 ,  SHUAI, CHI CHANG

    IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C7/06

    摘要： 一種記憶體裝置以及讀取位元線的電壓判讀方法。所述記憶體裝置除了既有的記憶胞陣列、第一預充電開關電路、選擇電路以及感測放大器之外，還新增輔助記憶胞陣列、第二預充電開關電路以及動態電壓控制器。輔助記憶胞陣列包括有一輔助讀取位元線以及多個排成一行且皆電性連接輔助讀取位元線的記憶胞。第二預充電開關電路依據預充電控制訊號決定是否提供參考電壓至上述記憶胞。動態電壓控制器依據選擇電路之輸出訊號的位準而決定是否將一電壓電性連接至輔助讀取位元線。感測放大器用以比較選擇電路之輸出訊號的電壓與輔助讀取位元線上的電壓。

    简体摘要： 一种内存设备以及读取比特线的电压判读方法。所述内存设备除了既有的记忆胞数组、第一预充电开关电路、选择电路以及传感放大器之外，还添加辅助记忆胞数组、第二预充电开关电路以及动态电压控制器。辅助记忆胞数组包括有一辅助读取比特线以及多个排成一行且皆电性连接辅助读取比特线的记忆胞。第二预充电开关电路依据预充电控制信号决定是否提供参考电压至上述记忆胞。动态电压控制器依据选择电路之输出信号的位准而决定是否将一电压电性连接至辅助读取比特线。传感放大器用以比较选择电路之输出信号的电压与辅助读取比特在线的电压。

    記憶胞以及記憶胞陣列
    6.
    发明专利
    記憶胞以及記憶胞陣列 审中-公开
    记忆胞以及记忆胞数组

    公开(公告)号：TW201421615A

    公开(公告)日：2014-06-01

    申请号：TW101143492

    申请日：2012-11-21

    申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： 陳信彣 ,  CHEN, HSIN WEN ,  帥祺昌 ,  SHUAI, CHI CHANG ,  林世欽 ,  LIN, SHIH CHIN

    IPC分类号： H01L21/8239 ,  G11C11/41

    摘要： 一種記憶胞，其包括有六個電晶體。第一及第二P型電晶體的源極皆電性耦接第一電壓。第一及第二N型電晶體的汲極分別電性耦接第一及第二P型電晶體的汲極，源極皆電性耦接第二電壓，閘極則分別電性耦接第一及第二P型電晶體的閘極。第三N型電晶體的汲極電性耦接寫入字元線，源極電性耦接第一N型電晶體的汲極與第二N型電晶體的閘極，閘極電性耦接第一寫入位元線。第四N型電晶體的汲極電性耦接寫入字元線，源極電性耦接第二N型電晶體的汲極與第一N型電晶體的閘極，閘極電性耦接第二寫入位元線。此外，一種記憶胞陣列亦被提出。

    简体摘要： 一种记忆胞，其包括有六个晶体管。第一及第二P型晶体管的源极皆电性耦接第一电压。第一及第二N型晶体管的汲极分别电性耦接第一及第二P型晶体管的汲极，源极皆电性耦接第二电压，闸极则分别电性耦接第一及第二P型晶体管的闸极。第三N型晶体管的汲极电性耦接写入字符线，源极电性耦接第一N型晶体管的汲极与第二N型晶体管的闸极，闸极电性耦接第一写入比特线。第四N型晶体管的汲极电性耦接写入字符线，源极电性耦接第二N型晶体管的汲极与第一N型晶体管的闸极，闸极电性耦接第二写入比特线。此外，一种记忆胞数组亦被提出。

    半導體記憶體裝置及操作半導體記憶體裝置的方法
    8.
    发明专利
    半導體記憶體裝置及操作半導體記憶體裝置的方法 审中-公开
    半导体内存设备及操作半导体内存设备的方法

    公开(公告)号：TW201738887A

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：TW105112381

    申请日：2016-04-21

    申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： 張庭豪 ,  CHANG, TING-HAO ,  帥祺昌 ,  SHUAI, CHI-CHANG ,  張孟凡 ,  CHANG, MENG-FAN

    IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C7/08

    摘要： 半導體記憶體裝置包含M個感測裝置及M個內容定址記憶體單元。每一感測裝置耦接於第一位元資料線及第二位元資料線，並用以放大並固定第一位元資料線及第二位元資料線之電位。每一內容定址記憶體單元耦接於第一位元資料線、第二位元資料線、比較線、第一內容資料線及第二內容資料線，並用以根據第一位元資料線、第二位元資料線、第一內容資及第二內容資料線的電位調整比較線的電位。當內容定址記憶體單元調整比較線之電位時，截止感測裝置中的部分電晶體以避免漏電流。

    简体摘要： 半导体内存设备包含M个传感设备及M个内容寻址内存单元。每一传感设备耦接于第一比特数据线及第二比特数据线，并用以放大并固定第一比特数据线及第二比特数据线之电位。每一内容寻址内存单元耦接于第一比特数据线、第二比特数据线、比较线、第一内容数据线及第二内容数据线，并用以根据第一比特数据线、第二比特数据线、第一内容资及第二内容数据线的电位调整比较线的电位。当内容寻址内存单元调整比较线之电位时，截止传感设备中的部分晶体管以避免漏电流。