公开(公告)号：TWI699914B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW105129127

申请日：2016-09-08

Applicant: 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： 易亮 ,  YI, LIANG ,  許加慶 ,  HSU, CHIA-CHING ,  王獻德 ,  WANG, SHEN-DE ,  陳克基 ,  CHEN, KO-CHI ,  杜 國安 ,  DU, GUOAN

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/28 ,  G11C13/00

公开(公告)号：TW201810749A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW105129127

申请日：2016-09-08

Applicant: 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： 易亮 ,  YI, LIANG ,  許加慶 ,  HSU, CHIA-CHING ,  王獻德 ,  WANG, SHEN-DE ,  陳克基 ,  CHEN, KO-CHI ,  杜 國安 ,  DU, GUOAN

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/28 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L21/76877 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本發明提供一半導體元件，包含一接觸結構，位於一第一介電層中，一第二介電層，位於該第一介電層上，且該第二介電層包含有一開口，一側壁子，位於該開口內，且部分覆蓋該接觸結構，一可變電阻式記憶體(Resistive random-access memory, RRAM)，至少位於該接觸結構上，並且直接接觸該側壁子，其中該RRAM包含有一下電極、一上電極以及一可變電阻層(switching resistance layer)位於該下電極以及該上電極之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一半导体组件，包含一接触结构，位于一第一介电层中，一第二介电层，位于该第一介电层上，且该第二介电层包含有一开口，一侧壁子，位于该开口内，且部分覆盖该接触结构，一可变电阻式内存(Resistive random-access memory, RRAM)，至少位于该接触结构上，并且直接接触该侧壁子，其中该RRAM包含有一下电极、一上电极以及一可变电阻层(switching resistance layer)位于该下电极以及该上电极之间。