公开(公告)号：TW201611282A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW103130905

申请日：2014-09-05

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 洪慶文 ,  HUNG, CHING WEN ,  張宗宏 ,  CHANG, TSUNG HUNG ,  李怡慧 ,  LEE, YI HUI ,  黃志森 ,  HUANG, CHIH SEN ,  陳意維 ,  CHEN, YI WEI ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  黃信富 ,  HUANG, HSIN FU ,  吳俊元 ,  WU, CHUN YUAN ,  鄒世芳 ,  TZOU, SHIH FANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體結構，包含有一介電層、一鈦層、一氮化鈦層以及一金屬。介電層設置於一基底上，其中介電層具有一通孔。鈦層覆蓋通孔，其中鈦層具有小於1500Mpa(兆帕)的拉伸應力。氮化鈦層順應地覆蓋鈦層。金屬填滿通孔。本發明另提出一種半導體製程，用以形成此半導體結構。此半導體製程，包含有下述步驟。首先，形成一介電層於一基底上，其中介電層具有一通孔。接著，形成一鈦層，順應地覆蓋通孔，其中鈦層具有小於500Mpa的壓縮應力。接續，形成一氮化鈦層，順應地覆蓋鈦層。而後，填入一金屬於通孔中。

简体摘要： 一种半导体结构，包含有一介电层、一钛层、一氮化钛层以及一金属。介电层设置于一基底上，其中介电层具有一通孔。钛层覆盖通孔，其中钛层具有小于1500Mpa(兆帕)的拉伸应力。氮化钛层顺应地覆盖钛层。金属填满通孔。本发明另提出一种半导体制程，用以形成此半导体结构。此半导体制程，包含有下述步骤。首先，形成一介电层于一基底上，其中介电层具有一通孔。接着，形成一钛层，顺应地覆盖通孔，其中钛层具有小于500Mpa的压缩应力。接续，形成一氮化钛层，顺应地覆盖钛层。而后，填入一金属于通孔中。

公开(公告)号：TWI585859B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW101136659

申请日：2012-10-04

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 賴國智 ,  LAI, KUO CHIH ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  廖柏翔 ,  LIAO, BOR SHYANG ,  林君玲 ,  LIN, CHUN LING ,  黃淑旻 ,  HUANG, SHU MIN ,  鄭閔中 ,  CHENG, MIN CHUNG ,  許啟茂 ,  HSU, CHI MAO

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201711091A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW104128778

申请日：2015-09-01

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  林俊賢 ,  LIN, CHUN-HSIEN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/823475 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/088 ,  H01L29/66545

摘要： 一種半導體裝置，包含有一基底；一第一閘極結構，設於該基底上；一第一側壁子，設於該第一閘極結構旁；一下部接觸插塞，靠近該第一閘極結構並接觸該第一側壁子；以及一第一懸凸部，設於該第一側壁子的上端緣。

简体摘要： 一种半导体设备，包含有一基底；一第一闸极结构，设于该基底上；一第一侧壁子，设于该第一闸极结构旁；一下部接触插塞，靠近该第一闸极结构并接触该第一侧壁子；以及一第一悬凸部，设于该第一侧壁子的上端缘。

公开(公告)号：TW201709340A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW104128258

申请日：2015-08-28

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  林俊賢 ,  LIN, CHUN-HSIEN

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76853 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66545

摘要： 本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，該基底上設有一閘極結構，然後形成一矽層於基底上並完全覆蓋閘極結構，平坦化矽層，並進行一金屬閘極置換製程將閘極結構轉換為金屬閘極。

简体摘要： 本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，该基底上设有一闸极结构，然后形成一硅层于基底上并完全覆盖闸极结构，平坦化硅层，并进行一金属闸极置换制程将闸极结构转换为金属闸极。

公开(公告)号：TW201415555A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：TW101136659

申请日：2012-10-04

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 賴國智 ,  LAI, KUO CHIH ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  廖柏翔 ,  LIAO, BOR SHYANG ,  林君玲 ,  LIN, CHUN LING ,  黃淑旻 ,  HUANG, SHU MIN ,  鄭閔中 ,  CHENG, MIN CHUNG ,  許啟茂 ,  HSU, CHI MAO

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L29/78

摘要： 一種金屬矽化物層的形成方法。首先，形成一含金屬原子層於一基底上，接著對該含金屬原子層進行一第一熱處理步驟，以於一特定區域形成一過渡金屬矽化物層，然後移除該含金屬原子層，並形成一導熱層於該金屬矽化物層表面，之後對該金屬矽化物層進行一第二熱處理。

简体摘要： 一种金属硅化物层的形成方法。首先，形成一含金属原子层于一基底上，接着对该含金属原子层进行一第一热处理步骤，以于一特定区域形成一过渡金属硅化物层，然后移除该含金属原子层，并形成一导热层于该金属硅化物层表面，之后对该金属硅化物层进行一第二热处理。

公开(公告)号：TWI602035B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW103113429

申请日：2014-04-11

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 劉恩銓 ,  LIOU, EN CHIUAN ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  陳宜廷 ,  CHEN, YI TING ,  郭騰欽 ,  KUO, TENG CHIN ,  尤春祺 ,  YU, CHUN CHI

IPC分类号： G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70516

公开(公告)号：TWI520226B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW101114674

申请日：2012-04-25

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 賴國智 ,  LAI, KUO CHIH ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  何念葶 ,  HO, NIEN TING ,  廖柏翔 ,  LIAO, BOR SHYANG ,  黃淑旻 ,  HUANG, SHU MIN ,  鄭閔中 ,  CHENG, MIN CHUNG ,  楊玉如 ,  YANG, YU RU

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI509708B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW100135018

申请日：2011-09-28

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 賴國智 ,  LAI, KUO CHIH ,  何念葶 ,  HO, NIEN TING ,  黃淑旻 ,  HUANG, SHU MIN ,  廖柏翔 ,  LIAO, BOR SHYANG ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/324

公开(公告)号：TW201344803A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW101114674

申请日：2012-04-25

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 賴國智 ,  LAI, KUO CHIH ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  何念葶 ,  HO, NIEN TING ,  廖柏翔 ,  LIAO, BOR SHYANG ,  黃淑旻 ,  HUANG, SHU MIN ,  鄭閔中 ,  CHENG, MIN CHUNG ,  楊玉如 ,  YANG, YU RU

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

摘要： 一種半導體元件之製作方法，首先提供一基板，且其具有至少一鰭狀結構，然後沉積一金屬層於該鰭狀結構上，以形成一金屬矽化物層於該鰭狀結構上，在沉積該金屬層之後，不進行任何加溫步驟，直接去除該金屬層，以及去除該金屬層之後，進行一快速加熱製程。

简体摘要： 一种半导体组件之制作方法，首先提供一基板，且其具有至少一鳍状结构，然后沉积一金属层于该鳍状结构上，以形成一金属硅化物层于该鳍状结构上，在沉积该金属层之后，不进行任何加温步骤，直接去除该金属层，以及去除该金属层之后，进行一快速加热制程。

公开(公告)号：TW201539159A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW103113429

申请日：2014-04-11

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 劉恩銓 ,  LIOU, EN CHIUAN ,  許家彰 ,  HSU, CHIA CHANG ,  陳宜廷 ,  CHEN, YI TING ,  郭騰欽 ,  KUO, TENG CHIN ,  尤春祺 ,  YU, CHUN CHI

IPC分类号： G03F9/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70516

摘要： 一種重疊標記組，包括至少一第一重疊標記與一第二重疊標記。第一重疊標記與所述第二重疊標記在同一圖案層中。第一重疊標記包括：至少兩組X方向線性圖案，其彼此之間具有預設位移量a1；以及至少兩組Y方向線性圖案，其彼此之間具有預設位移量a1。第二重疊標記包括：至少兩組X方向線性圖案，其彼此之間具有預設位移量b1：以及至少兩組Y方向線性圖案，其彼此之間具有預設位移量b1。預設位移量a1不等於預設位移量b1。

简体摘要： 一种重叠标记组，包括至少一第一重叠标记与一第二重叠标记。第一重叠标记与所述第二重叠标记在同一图案层中。第一重叠标记包括：至少两组X方向线性图案，其彼此之间具有默认位移量a1；以及至少两组Y方向线性图案，其彼此之间具有默认位移量a1。第二重叠标记包括：至少两组X方向线性图案，其彼此之间具有默认位移量b1：以及至少两组Y方向线性图案，其彼此之间具有默认位移量b1。默认位移量a1不等于默认位移量b1。