公开(公告)号：TW201703199A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105100963

申请日：2016-01-13

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 馬林 布蘭登 ,  MARIN, BRANDON C. ,  葛許大斯堤達 崔娜 ,  GHOSH DASTIDAR, TRINA ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG ,  塞納維拉特納 狄倫 ,  SENEVIRATNE, DILAN

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H05K3/187 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H05K1/036 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/105 ,  H05K3/182 ,  H05K2201/09036

摘要： 一種堆積層，可藉由以下的方法製造，包含：形成包含具有金屬催化劑分散在其中的介電材料之微電子介電層，形成在所述微電子介電層上的底漆層，以及形成穿過所述底漆層並進入所述介電材料層的凹部。可以在凹部內暴露的微電子介電層中或上形成活化層，其中所述底漆層作為掩模。活化層上可形成金屬層，例如用無電處理。因此，金屬層沉積的解析度可藉由用於形成凹部的處理而被精確地控制。

简体摘要： 一种堆积层，可借由以下的方法制造，包含：形成包含具有金属催化剂分散在其中的介电材料之微电子介电层，形成在所述微电子介电层上的底漆层，以及形成穿过所述底漆层并进入所述介电材料层的凹部。可以在凹部内暴露的微电子介电层中或上形成活化层，其中所述底漆层作为掩模。活化层上可形成金属层，例如用无电处理。因此，金属层沉积的分辨率可借由用于形成凹部的处理而被精确地控制。

公开(公告)号：TWI600119B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW105100963

申请日：2016-01-13

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 馬林 布蘭登 ,  MARIN, BRANDON C. ,  葛許大斯堤達 崔娜 ,  GHOSH DASTIDAR, TRINA ,  李永剛 ,  LI, YONGGANG ,  塞納維拉特納 狄倫 ,  SENEVIRATNE, DILAN

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H05K3/187 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H05K1/036 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/105 ,  H05K3/182 ,  H05K2201/09036