公开(公告)号：TWI647856B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW105119970

申请日：2014-11-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史泰格渥德 約瑟夫 ,  STEIGERWALD, JOSEPH M. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  胡瑞珍 ,  HU, JENNY ,  波斯特 伊恩 ,  POST, IAN R.

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI550881B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW103139211

申请日：2014-11-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史泰格渥德 約瑟夫 ,  STEIGERWALD, JOSEPH M. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  胡瑞珍 ,  HU, JENNY ,  波斯特 伊恩 ,  POST, IAN R.

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78645

公开(公告)号：TW201714314A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105119970

申请日：2014-11-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史泰格渥德 約瑟夫 ,  STEIGERWALD, JOSEPH M. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  胡瑞珍 ,  HU, JENNY ,  波斯特 伊恩 ,  POST, IAN R.

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78645

摘要： 本發明之實施例描述多臨限電壓裝置及相關的技術和組態。於一實施例中，一種元件包括半導體基底、配置於該半導體基底上之通道體、與該通道體耦合而具有第一厚度之第一閘極電極及與該通道體耦合而具有第二厚度之第二閘極電極，其中該第一厚度係大於該第二厚度。其他實施例被描述及/或主張權利。

简体摘要： 本发明之实施例描述多临限电压设备及相关的技术和组态。于一实施例中，一种组件包括半导体基底、配置于该半导体基底上之信道体、与该信道体耦合而具有第一厚度之第一闸极电极及与该信道体耦合而具有第二厚度之第二闸极电极，其中该第一厚度系大于该第二厚度。其他实施例被描述及/或主张权利。

公开(公告)号：TW201532286A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103139211

申请日：2014-11-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史泰格渥德 約瑟夫 ,  STEIGERWALD, JOSEPH M. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  胡瑞珍 ,  HU, JENNY ,  波斯特 伊恩 ,  POST, IAN R.

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78645

摘要： 本發明之實施例描述多臨限電壓裝置及相關的技術和組態。於一實施例中，一種設備包括半導體基底、配置於該半導體基底上之通道體、與該通道體耦合而具有第一厚度之第一閘極電極及與該通道體耦合而具有第二厚度之第二閘極電極，其中該第一厚度係大於該第二厚度。其他實施例被描述及/或主張權利。

简体摘要： 本发明之实施例描述多临限电压设备及相关的技术和组态。于一实施例中，一种设备包括半导体基底、配置于该半导体基底上之信道体、与该信道体耦合而具有第一厚度之第一闸极电极及与该信道体耦合而具有第二厚度之第二闸极电极，其中该第一厚度系大于该第二厚度。其他实施例被描述及/或主张权利。