公开(公告)号：TW201721764A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105137774

申请日：2016-11-18

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 一種鰭狀場效電晶體元件，包括基板、至少一閘極堆疊結構、多個間隔物以及源極與汲極區域。閘極堆疊結構配置在基板上，且多個間隔物配置在閘極堆疊結構的側壁上。源極與汲極區域配置於基板內，且分設在閘極堆疊結構的相對側。具有接觸開口的介電層配置在基板的上方，並覆蓋閘極堆疊結構。金屬連接結構配置於接觸開口內，並連接至源極與汲極區域，且黏著層夾置於接觸開口以及位於接觸開口內的金屬連接結構之間。

简体摘要： 一种鳍状场效应管组件，包括基板、至少一闸极堆栈结构、多个间隔物以及源极与汲极区域。闸极堆栈结构配置在基板上，且多个间隔物配置在闸极堆栈结构的侧壁上。源极与汲极区域配置于基板内，且分设在闸极堆栈结构的相对侧。具有接触开口的介电层配置在基板的上方，并覆盖闸极堆栈结构。金属连接结构配置于接触开口内，并连接至源极与汲极区域，且黏着层夹置于接触开口以及位于接触开口内的金属连接结构之间。

公开(公告)号：TW201721734A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105131668

申请日：2016-09-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 蕭茹雄 ,  HSIAO, RU-SHANG ,  吳啓明 ,  WU, CHII-MING

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 揭露半導體元件、鰭式場效應電晶體元件及其形成方法。半導體元件包括基底以及位於基底上方的閘極。此外，所述閘極包括第一部分、位於第一部分上面的第二部分以及位於第二部分上面的第三部分，並且第二部分的關鍵尺寸小於第一部分的關鍵尺寸以及第三部分的關鍵尺寸中的每一者。

简体摘要： 揭露半导体组件、鳍式场效应晶体管组件及其形成方法。半导体组件包括基底以及位于基底上方的闸极。此外，所述闸极包括第一部分、位于第一部分上面的第二部分以及位于第二部分上面的第三部分，并且第二部分的关键尺寸小于第一部分的关键尺寸以及第三部分的关键尺寸中的每一者。

公开(公告)号：TWI550881B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW103139211

申请日：2014-11-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史泰格渥德 約瑟夫 ,  STEIGERWALD, JOSEPH M. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  胡瑞珍 ,  HU, JENNY ,  波斯特 伊恩 ,  POST, IAN R.

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78645

公开(公告)号：TW201626459A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104134170

申请日：2015-10-19

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 方文翰 ,  FANG, WEN HAN ,  巫柏奇 ,  WU, PO CHI

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L29/49 ,  H01L29/40 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/16 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： 一種半導體裝置的形成方法，包含：形成閘極介電質於突出的半導體鰭板之側壁及頂表面上；形成導電擴散阻障層於閘極介電質之上，其中導電擴散阻障層延伸至開口中；形成矽層於導電擴散阻障層之上且延伸至開口中；實行乾蝕刻於矽層上，以移除矽層的水平部分及垂直部分；以及於乾蝕刻後，形成導電層於導電擴散阻障層之上且延伸至開口中。

简体摘要： 一种半导体设备的形成方法，包含：形成闸极介电质于突出的半导体鳍板之侧壁及顶表面上；形成导电扩散阻障层于闸极介电质之上，其中导电扩散阻障层延伸至开口中；形成硅层于导电扩散阻障层之上且延伸至开口中；实行干蚀刻于硅层上，以移除硅层的水平部分及垂直部分；以及于干蚀刻后，形成导电层于导电扩散阻障层之上且延伸至开口中。

公开(公告)号：TWI517221B

公开(公告)日：2016-01-11

申请号：TW101137114

申请日：2012-10-08

申请人： 美國博通公司 ,  BROADCOM CORPORATION

发明人： 陳向東 ,  CHEN, XIANGDONG ,  陳國順 ,  CHEN, HENRY

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L28/20 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/94

公开(公告)号：TWI430371B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW098107482

申请日：2009-03-06

申请人： 美光科技公司 ,  MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： 鐘琳 華納 ,  JUENGLING, WERNER

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TW200805649A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：TW096104930

申请日：2007-02-09

申请人： 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

发明人： 馬克 凡 戴爾 VAN DAL, MARK ,  羅都 塞達紐 SURDEANU, RADU

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7856

摘要： 本發明提供一種雙閘FinFET及其製造方法。該FinFET包括鄰近鰭狀物(2O)之各別側的第一及第二閘極(72、74),該第一閘極的面對該鰭狀物之至少一部分由多晶矽形成,且該第二閘極之面對該鰭狀物的至少一部分由一金屬矽化物化合物形成。該兩個閘極之不同組合物提供不同之各別功函數以減小短通道效應。

简体摘要： 本发明提供一种双闸FinFET及其制造方法。该FinFET包括邻近鳍状物(2O)之各别侧的第一及第二闸极(72、74),该第一闸极的面对该鳍状物之至少一部分由多晶硅形成,且该第二闸极之面对该鳍状物的至少一部分由一金属硅化物化合物形成。该两个闸极之不同组合物提供不同之各别功函数以减小短信道效应。

公开(公告)号：TW200414435A

公开(公告)日：2004-08-01

申请号：TW092130886

申请日：2003-11-05

申请人： 高級微裝置公司 ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： 卡瓦皮克 羅蘭 KRIVOKAPIC, ZORAN ,  安西琳 AN, JUDY XILIN ,  林明仁 LIN, MING-REN ,  王海宏 WANG, HAIHONG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

摘要： 一種NOR閘，係由二個非對稱鰭型場效電晶體(FinFET)類型之電晶體(801,802)所構成替代習知由四個電晶體所構成之NOR閘。電晶體數目由四個降至兩個可明顯增進積體半導體電路之功效。

简体摘要： 一种NOR闸，系由二个非对称鳍型场效应管(FinFET)类型之晶体管(801,802)所构成替代习知由四个晶体管所构成之NOR闸。晶体管数目由四个降至两个可明显增进积体半导体电路之功效。

公开(公告)号：TWI590462B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104132028

申请日：2015-09-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 劉家助 ,  LIU, CHIA CHU ,  陳桂順 ,  CHEN, KUEI SHUN ,  江木吉 ,  CHIANG, MU CHI ,  陳昭成 ,  CHEN, CHAO CHENG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7856

公开(公告)号：TWI581426B

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW104138704

申请日：2015-11-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848