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    電阻式記憶體及寫入方法
    1.
    发明专利
    電阻式記憶體及寫入方法 审中-公开
    电阻式内存及写入方法

    公开(公告)号：TW202004762A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW107118282

    申请日：2018-05-29

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 王炳琨 ,  WANG, PING KUN ,  廖紹憬 ,  LIAO, SHAO CHING ,  吳健民 ,  WU, CHIEN MIN ,  何家驊 ,  HO, CHIA HUA ,  陳 達 ,  CHEN, FREDERICK ,  趙鶴軒 ,  CHAO, HE HSUAN ,  林 小峰 ,  LIM, SEOW-FONG

    IPC分类号： G11C13/00

    摘要： 一種電阻式記憶體，包括一記憶陣列、一記憶電路、一控制電路、一電壓產生電路以及一存取電路。記憶陣列具有複數區塊。每一區塊具有複數記憶胞。記憶電路儲存複數計數值。每一計數值表示一相對應區塊執行一寫入操作的次數。當一外部指令係為一寫入指令時，控制電路根據該等計數值產生一控制信號。電壓產生電路根據該控制信號提供一操作電壓組。存取電路根據操作電壓組存取記憶陣列。

    简体摘要： 一种电阻式内存，包括一记忆数组、一记忆电路、一控制电路、一电压产生电路以及一存取电路。记忆数组具有复数区块。每一区块具有复数记忆胞。记忆电路存储复数计数值。每一计数值表示一相对应区块运行一写入操作的次数。当一外部指令系为一写入指令时，控制电路根据该等计数值产生一控制信号。电压产生电路根据该控制信号提供一操作电压组。存取电路根据操作电压组存取记忆数组。

    電阻式隨機存取記憶體
    4.
    发明专利
    電阻式隨機存取記憶體 审中-公开
    电阻式随机存取内存

    公开(公告)号：TW201725586A

    公开(公告)日：2017-07-16

    申请号：TW105104066

    申请日：2016-02-05

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 林 小峰 ,  LIM, SEOW-FONG ,  陳 毓明 ,  CHAN, JOHNNY ,  柳 德鉉 ,  RYU, DOUK-HYOUN ,  林 紀舜 ,  LIN, CHI-SHUN

    IPC分类号： G11C13/00

    CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1677 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/2436

    摘要： 本發明提供一種電阻式記憶體，包括至少一第一電阻式記憶胞、第一位元線選擇開關、第一源極線選擇開關、第一下拉開關以及第二下拉開關。第一位元線選擇開關耦接至第一位元線以及感測放大器。第一源極線選擇開關耦接至源極線以及感測放大器。第一及第二下拉開關分別地耦接至位元線及源極線。當讀取操作被執行時，第一位元線選擇開關以及第二下拉開關的導通或斷開狀態相同，第一源極線選擇開關以及第一下拉開關的導通或斷開狀態相同，且第一及第二下拉開關的導通或斷開為互補的。

    简体摘要： 本发明提供一种电阻式内存，包括至少一第一电阻式记忆胞、第一比特线选择开关、第一源极线选择开关、第一下拉开关以及第二下拉开关。第一比特线选择开关耦接至第一比特线以及传感放大器。第一源极线选择开关耦接至源极线以及传感放大器。第一及第二下拉开关分别地耦接至比特线及源极线。当读取操作被运行时，第一比特线选择开关以及第二下拉开关的导通或断开状态相同，第一源极线选择开关以及第一下拉开关的导通或断开状态相同，且第一及第二下拉开关的导通或断开为互补的。

    非易失性雙穩態觸發器單調計數器及其實施方法
    7.
    发明专利
    非易失性雙穩態觸發器單調計數器及其實施方法 审中-公开
    非易失性双稳态触发器单调计数器及其实施方法

    公开(公告)号：TW201840135A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW106143506

    申请日：2017-12-12

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 林 小峰 ,  LIM, SEOW-FONG ,  林 紀舜 ,  LIN, CHI-SHUN

    IPC分类号： H03K21/40 ,  H03K21/02 ,  G11C14/00 ,  H03K19/00

    摘要： 一種單調計數器包括多個級，所述多個級分別對應於所述單調計數器的多個計數位元。該多個級中的至少一個是包括多個非易失性雙穩態觸發器（NVFF）的非易失性雙穩態觸發器計數器，每一非易失性雙穩態觸發器包括一對非易失性存儲胞元。

    简体摘要： 一种单调计数器包括多个级，所述多个级分别对应于所述单调计数器的多个计数码元。该多个级中的至少一个是包括多个非易失性双稳态触发器（NVFF）的非易失性双稳态触发器计数器，每一非易失性双稳态触发器包括一对非易失性存储胞元。

    儲存裝置及對其資料進行刷新的方法
    9.
    发明专利
    儲存裝置及對其資料進行刷新的方法 审中-公开
    存储设备及对其数据进行刷新的方法

    公开(公告)号：TW201842506A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW106141686

    申请日：2017-11-29

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 洪 希賢 ,  HUNG, HSI-HSIEN ,  林 小峰 ,  LIM, SEOW-FONG

    IPC分类号： G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

    摘要： 一種儲存裝置及對其資料進行刷新的方法。裝置包括：儲存區塊，包括多個扇區；及控制單元，被配置成：將多個第一指示符預先儲存在儲存單元中，多個第一指示符分別對應於儲存區塊中的多個刷新單元，各刷新單元包括至少一個扇區，第一指示符是基於第一參考電壓準位來產生，在用於抹除儲存區塊的目標扇區的抹除迴圈中，以第二參考電壓準位從所選擇的刷新單元讀取資料，基此來產生所選擇的刷新單元的第二指示符，將與所選擇的刷新單元對應的第一指示符與第二指示符進行比較，如果第二指示符不等於第一指示符，則刷新所選擇的刷新單元中的資料。

    简体摘要： 一种存储设备及对其数据进行刷新的方法。设备包括：存储区块，包括多个扇区；及控制单元，被配置成：将多个第一指示符预先存储在存储单元中，多个第一指示符分别对应于存储区块中的多个刷新单元，各刷新单元包括至少一个扇区，第一指示符是基于第一参考电压准位来产生，在用于抹除存储区块的目标扇区的抹除循环中，以第二参考电压准位从所选择的刷新单元读取数据，基此来产生所选择的刷新单元的第二指示符，将与所选择的刷新单元对应的第一指示符与第二指示符进行比较，如果第二指示符不等于第一指示符，则刷新所选择的刷新单元中的数据。