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    資料寫入方法及使用其的記憶體儲存裝置
    1.
    发明专利
    資料寫入方法及使用其的記憶體儲存裝置 审中-公开
    数据写入方法及使用其的内存存储设备

    公开(公告)号：TW201911329A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107126688

    申请日：2018-08-01

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 林 紀舜 ,  LIN, CHI-SHUN ,  謝 明輝 ,  SHIEH, MING-HUEI

    IPC分类号： G11C29/42 ,  G11C29/52 ,  G11C16/02

    摘要： 一種資料寫入方法及記憶體儲存裝置。資料寫入方法包括：對資料進行編碼以產生碼字；根據第一寫入條件將碼字寫入到記憶體陣列中；及執行驗證操作。執行驗證操作的步驟包括：從記憶體陣列讀取碼字；將所讀取的碼字與所述碼字進行比較並獲得所讀取的碼字的錯誤位元數目；將所讀取的碼字解碼以產生經解碼資料；將經解碼資料與所述資料進行比較；及如果相同，則將所讀取的碼字的錯誤位元數目與通過閾值進行比較。如果所讀取的碼字的錯誤位元數目大於通過閾值，則根據第二寫入條件將所述碼字寫入到記憶體陣列中，所述第二寫入條件不同於第一寫入條件。

    简体摘要： 一种数据写入方法及内存存储设备。数据写入方法包括：对数据进行编码以产生码字；根据第一写入条件将码字写入到内存数组中；及运行验证操作。运行验证操作的步骤包括：从内存数组读取码字；将所读取的码字与所述码字进行比较并获得所读取的码字的错误比特数目；将所读取的码字译码以产生经译码数据；将经译码数据与所述数据进行比较；及如果相同，则将所读取的码字的错误比特数目与通过阈值进行比较。如果所读取的码字的错误比特数目大于通过阈值，则根据第二写入条件将所述码字写入到内存数组中，所述第二写入条件不同于第一写入条件。

    記憶體系統及其操作方法
    2.
    发明专利
    記憶體系統及其操作方法 审中-公开
    内存系统及其操作方法

    公开(公告)号：TW201801087A

    公开(公告)日：2018-01-01

    申请号：TW106119754

    申请日：2017-06-14

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 謝 明輝 ,  SHIEH, MING-HUEI ,  連 存德 ,  LIEN, CHUEN-DER ,  林 紀舜 ,  LIN, CHI-SHUN

    IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C7/04

    CPC分类号： G06F3/0619 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G11C5/04 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0083 ,  H05K1/00

    摘要： 本發明提供一種記憶體系統包括非揮發性記憶體陣列以及記憶體控制器。非揮發性記憶體陣列用以儲存資料。記憶體控制器耦接非揮發性記憶體陣列。在電路板裝設操作施加前，記憶體控制器用以提供預設寫入操作以寫入資料至非揮發性記憶體陣列。在電路板裝設操作施加後，記憶體控制器用以提供正常寫入操作以寫入資料至非揮發性記憶體陣列。由預設寫入操作提供的讀取邊限大於由正常寫入操作提供的讀取邊限。另外，一種記憶體系統的操作方法亦被提出。

    简体摘要： 本发明提供一种内存系统包括非挥发性内存数组以及内存控制器。非挥发性内存数组用以存储数据。内存控制器耦接非挥发性内存数组。在电路板装设操作施加前，内存控制器用以提供默认写入操作以写入数据至非挥发性内存数组。在电路板装设操作施加后，内存控制器用以提供正常写入操作以写入数据至非挥发性内存数组。由默认写入操作提供的读取边限大于由正常写入操作提供的读取边限。另外，一种内存系统的操作方法亦被提出。

    非易失性雙穩態觸發器單調計數器及其實施方法
    5.
    发明专利
    非易失性雙穩態觸發器單調計數器及其實施方法 审中-公开
    非易失性双稳态触发器单调计数器及其实施方法

    公开(公告)号：TW201840135A

    公开(公告)日：2018-11-01

    申请号：TW106143506

    申请日：2017-12-12

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 林 小峰 ,  LIM, SEOW-FONG ,  林 紀舜 ,  LIN, CHI-SHUN

    IPC分类号： H03K21/40 ,  H03K21/02 ,  G11C14/00 ,  H03K19/00

    摘要： 一種單調計數器包括多個級，所述多個級分別對應於所述單調計數器的多個計數位元。該多個級中的至少一個是包括多個非易失性雙穩態觸發器（NVFF）的非易失性雙穩態觸發器計數器，每一非易失性雙穩態觸發器包括一對非易失性存儲胞元。

    简体摘要： 一种单调计数器包括多个级，所述多个级分别对应于所述单调计数器的多个计数码元。该多个级中的至少一个是包括多个非易失性双稳态触发器（NVFF）的非易失性双稳态触发器计数器，每一非易失性双稳态触发器包括一对非易失性存储胞元。

    物理不可複製功能碼產生方法及其提供裝置
    7.
    发明专利
    物理不可複製功能碼產生方法及其提供裝置 审中-公开
    物理不可复制功能码产生方法及其提供设备

    公开(公告)号：TW202019103A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW107139231

    申请日：2018-11-06

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 林立偉 ,  LIN, LIH-WEI ,  林 紀舜 ,  LIN, CHI-SHUN ,  林 小峰 ,  LIM, SEOW FONG

    IPC分类号： H03M13/47 ,  G11C29/46

    摘要： 一種物理不可複製功能碼產生方法，包括：提供多個包括第一非揮發性記憶胞及第二非揮發性記憶胞的非揮發性記憶胞對；比較第一非揮發性記憶胞的起始狀態及第二非揮發性記憶胞的起始狀態，並根據狀態比較結果產生第一物理不可複製功能碼；計算第一物理不可複製功能碼中邏輯準位的形成比例差；以及當形成比例差大於等於比例門檻值時，透過對第一非揮發性記憶胞及第二非揮發性記憶胞交互執行形成操作來調整形成比例差。

    简体摘要： 一种物理不可复制功能码产生方法，包括：提供多个包括第一非挥发性记忆胞及第二非挥发性记忆胞的非挥发性记忆胞对；比较第一非挥发性记忆胞的起始状态及第二非挥发性记忆胞的起始状态，并根据状态比较结果产生第一物理不可复制功能码；计算第一物理不可复制功能码中逻辑准位的形成比例差；以及当形成比例差大于等于比例门槛值时，透过对第一非挥发性记忆胞及第二非挥发性记忆胞交互运行形成操作来调整形成比例差。

    可編程陣列邏輯電路及其操作方法
    10.
    发明专利
    可編程陣列邏輯電路及其操作方法 审中-公开
    可编程数组逻辑电路及其操作方法

    公开(公告)号：TW201911299A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107125110

    申请日：2018-07-20

    申请人： 華邦電子股份有限公司 ,  WINBOND ELECTRONICS CORP.

    发明人： 林 小峰 ,  LIM, SEOW-FONG ,  林 紀舜 ,  LIN, CHI-SHUN ,  柳 德鉉 ,  RYU, DOUK-HYOUN ,  張 雅廸 ,  CHEUNG, NGATIK

    IPC分类号： G11C7/10 ,  H03K19/0185

    摘要： 本發明介紹一種能夠防止記憶胞的讀取干擾效應可編程陣列邏輯電路及其操作方法。可編程陣列邏輯電路包括記憶體陣列、多個輸入轉態偵測電路、脈衝產生器以及多個感測放大器。多個輸入轉態偵測電路用以偵測多個輸入訊號的準位的轉態。脈衝產生器用以依據多個輸入訊號的準位的轉態產生致能訊號。當多個輸入訊號的準位的轉態被偵測到時，多個感測放大器被致能以感測多個源極線的多個電壓準位，並且當多個輸入訊號的準位被偵測到的沒有轉態時，多個感測放大器被禁能。

    简体摘要： 本发明介绍一种能够防止记忆胞的读取干扰效应可编程数组逻辑电路及其操作方法。可编程数组逻辑电路包括内存数组、多个输入转态侦测电路、脉冲产生器以及多个传感放大器。多个输入转态侦测电路用以侦测多个输入信号的准位的转态。脉冲产生器用以依据多个输入信号的准位的转态产生致能信号。当多个输入信号的准位的转态被侦测到时，多个传感放大器被致能以传感多个源极线的多个电压准位，并且当多个输入信号的准位被侦测到的没有转态时，多个传感放大器被禁能。