专利检索 ap:("萬國半導體股份有限公司" OR "ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.") AND inv:"SIK K. LUI" 第 1 页

1.

发明专利
形成底部陽極蕭特基二極體之結構與方法有权
简体标题：形成底部阳极萧特基二极管之结构与方法

公开(公告)号：TWI449181B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW097126826

申请日：2008-07-15

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.

发明人： 安荷叭剌 , ANUP BHALLA , 雷燮光 , SIK K. LUI , 蘇毅 , YI SU

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0649 , H01L29/861

2.

发明专利
具有槽溝的源體短路電極的、逆槽溝和源極接地的場效應電晶體結構及其製備方法有权
简体标题：具有槽沟的源体短路电极的、逆槽沟和源极接地的场效应晶体管结构及其制备方法

公开(公告)号：TWI390731B

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：TW096134596

申请日：2007-09-14

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 雷燮光 , SIK K. LUI , 弗蘭克斯赫爾伯特 , FRANCOIS HEBERT , 安荷叭剌 , ANUP BHALLA

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/781 , H01L21/823487 , H01L27/088 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3.

发明专利
應用ＨＤＰ澱積的源－體注入阻擋塊的裝置結構及製造方法有权
简体标题：应用ＨＤＰ淀积的源－体注入阻挡块的设备结构及制造方法

公开(公告)号：TWI385800B

公开(公告)日：2013-02-11

申请号：TW097115803

申请日：2008-04-29

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 安荷叭剌 , ANUP BHALLA , 弗蘭茨娃赫爾伯特 , FRANCOIS HEBERT , 戴嵩山 , SUNG-SHAN TAI , 雷燮光 , SIK K. LUI

IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/265

CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7811