专利检索 ap:("萬國半導體股份有限公司" OR "ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.") AND inv:"YI SU" 第 1 页

1.

发明专利
形成底部陽極蕭特基二極體之結構與方法有权
简体标题：形成底部阳极萧特基二极管之结构与方法

公开(公告)号：TWI449181B

公开(公告)日：2014-08-11

申请号：TW097126826

申请日：2008-07-15

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.

发明人： 安荷叭剌 , ANUP BHALLA , 雷燮光 , SIK K. LUI , 蘇毅 , YI SU

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0649 , H01L29/861

2.

发明专利
可減少光罩數目之具有靜電放電電路保護的半導體功率元件有权
简体标题：可减少光罩数目之具有静电放电电路保护的半导体功率组件

公开(公告)号：TWI427741B

公开(公告)日：2014-02-21

申请号：TW097148567

申请日：2008-12-12

申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED.

发明人： 安荷叭剌 , ANUP BHALLA , 王曉彬 , XIAOBIN WANG , 王薇 , WEI WANG , 蘇毅 , YI SU , 伍時謙 , DANIEL NG

IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7811 , H01L27/0255 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/66734 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2924/0002 , H01L2924/00