公开(公告)号：TWI430444B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW096140090

申请日：2007-10-25

Applicant: 雷森公司 ,  RAYTHEON COMPANY

Inventor： 肯默 泰巴塔拜 ,  TABATABAIE, KAMAL ,  羅伯特 霍洛克 ,  HALLOCK, ROBERT B.

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28587 ,  H01L29/66462

公开(公告)号：TWI371801B

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW096140081

申请日：2007-10-25

Applicant: 雷森公司

Inventor： 肯默 泰巴塔拜

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 一種用以形成具有場板之電晶體裝置的方法包含形成具有源極、汲極、和T形閘極(Tee gate)之結構，光阻層係形成於該結構上，而在光阻層中具有使T形閘極之兩個遠側末端之僅其中一個遠側末端暴露出的開口，金屬係沉積於該光阻層之上，具有該金屬的部分係配置於該光阻層上，且具有該金屬的其他部分通過該電介質層之該等露出部分上的該開口，並具有該T形閘極之頂部的遠側末端防止該金屬被沉積於該電介質層之配置於該遠側末端之下的部分上。去除該光阻層連同沉積於其上之金屬的該等部分，而同時從該電介質層之被該開口所暴露出之區域留下該金屬的部分，以形成該場閘極。

Abstract in simplified Chinese: 一种用以形成具有场板之晶体管设备的方法包含形成具有源极、汲极、和T形闸极(Tee gate)之结构，光阻层系形成于该结构上，而在光阻层中具有使T形闸极之两个远侧末端之仅其中一个远侧末端暴露出的开口，金属系沉积于该光阻层之上，具有该金属的部分系配置于该光阻层上，且具有该金属的其他部分通过该电介质层之该等露出部分上的该开口，并具有该T形闸极之顶部的远侧末端防止该金属被沉积于该电介质层之配置于该远侧末端之下的部分上。去除该光阻层连同沉积于其上之金属的该等部分，而同时从该电介质层之被该开口所暴露出之区域留下该金属的部分，以形成该场闸极。