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公开(公告)号：TW201525207A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103140267
申请日：2014-11-20
发明人： 朴奎學 , PARK, KYU HAK , 朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 朴濟城 , PARK, JEA SUNG , 李熙東 , LEE, HEE DONG
CPC分类号： C01B33/035 , B01J19/087 , B01J2219/0809 , B01J2219/0815 , B01J2219/0828 , B01J2219/0837
摘要： 提供一種使用化學氣相沉積而用於製造多晶矽的裝置。用於製造多晶矽的裝置包括：包括基底和反應器蓋的反應室；經由絕緣元件穿過基底而設置並與電源連接的至少一對電極；與電極對經由電極夾盤耦合且上端相互連接的至少一對極絲；以及蓋組件，其包括位在基底上圍繞電極對中各自的一側和上表面的電極蓋，與覆蓋電極蓋上表面的遮蓋。
简体摘要： 提供一种使用化学气相沉积而用于制造多晶硅的设备。用于制造多晶硅的设备包括：包括基底和反应器盖的反应室；经由绝缘组件穿过基底而设置并与电源连接的至少一对电极；与电极对经由电极夹盘耦合且上端相互连接的至少一对极丝；以及盖组件，其包括位在基底上围绕电极对中各自的一侧和上表面的电极盖，与覆盖电极盖上表面的遮盖。
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公开(公告)号：TWI642623B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW103145367
申请日：2014-12-25
申请人： 日商尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU , 安住美菜子 , AZUMI, MINAKO , 鈴木淑 , SUZUKI, SHITOKA
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公开(公告)号：TW201805489A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106117476
申请日：2017-05-26
发明人： 加尼特 艾瑞克 , GARNETT, ERIK , 夏卡 貝尼亞米諾 , SCIACCA, BENIAMINO , 柏克豪特 安瑪莉 , BERKHOUT, ANNEMARIE
摘要： 本發明關於一種所選材料之圖案化單晶薄膜的製造方法，所述所選材料之圖案化單晶薄膜的製造方法包含以下步驟： 提供多個所選材料之奈米立方體粒子； 使奈米立方體粒子彼此相鄰組裝，從而根據圖案對經組裝之奈米立方體粒子排序，且相鄰奈米立方體粒子之結晶取向相同； 在各界面處磊晶熔接根據圖案排序之奈米立方體粒子，以形成圖案化單晶薄膜。 上述方法可包含自至少一個具有第一圖案之第一圖案化單晶薄膜組裝圖案化裝置，其中第一圖案化單晶薄膜已藉由用於製造圖案化單晶薄膜的方法形成。
简体摘要： 本发明关于一种所选材料之图案化单晶薄膜的制造方法，所述所选材料之图案化单晶薄膜的制造方法包含以下步骤： 提供多个所选材料之奈米立方体粒子； 使奈米立方体粒子彼此相邻组装，从而根据图案对经组装之奈米立方体粒子排序，且相邻奈米立方体粒子之结晶取向相同； 在各界面处磊晶熔接根据图案排序之奈米立方体粒子，以形成图案化单晶薄膜。 上述方法可包含自至少一个具有第一图案之第一图案化单晶薄膜组装图案化设备，其中第一图案化单晶薄膜已借由用于制造图案化单晶薄膜的方法形成。
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公开(公告)号：TWI542743B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103140267
申请日：2014-11-20
发明人： 朴奎學 , PARK, KYU HAK , 朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 朴濟城 , PARK, JEA SUNG , 李熙東 , LEE, HEE DONG
CPC分类号： C01B33/035 , B01J19/087 , B01J2219/0809 , B01J2219/0815 , B01J2219/0828 , B01J2219/0837
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公开(公告)号：TWI666169B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104106467
申请日：2015-03-02
申请人： 日商尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU , 影山元英 , KAGEYAMA, MOTOFUSA
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公开(公告)号：TW201602002A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104106467
申请日：2015-03-02
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU , 影山元英 , KAGEYAMA, MOTOFUSA
CPC分类号： H01J61/302 , B65D51/248 , C01F11/22 , C30B29/12 , C30B29/66 , H01J9/247
摘要： 提供一種即便於高溫且高壓下亦可確實地使用之CaF2單晶光學構件。 氟化鈣光學構件由單晶氟化鈣形成且具有筒狀之形狀。單晶氟化鈣之{110}結晶面或{111}結晶面與上述筒之中心軸正交。
简体摘要： 提供一种即便于高温且高压下亦可确实地使用之CaF2单晶光学构件。 氟化钙光学构件由单晶氟化钙形成且具有筒状之形状。单晶氟化钙之{110}结晶面或{111}结晶面与上述筒之中心轴正交。
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公开(公告)号：TW201542462A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW103145367
申请日：2014-12-25
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU , 安住美菜子 , AZUMI, MINAKO , 鈴木淑 , SUZUKI, SHITOKA
CPC分类号： C30B29/12 , C30B33/06 , H01J9/247 , H01J61/025 , H01J61/30 , H01J61/302
摘要： 提供一種由簡易步驟製得之各種形狀之CaF2構件。 氟化鈣構件，具有：第1構件，係氟化鈣之單晶；以及第2構件，係氟化鈣之單晶或多晶。氟化鈣構件係第1構件與第2構件壓接而成。
简体摘要： 提供一种由简易步骤制得之各种形状之CaF2构件。 氟化钙构件，具有：第1构件，系氟化钙之单晶；以及第2构件，系氟化钙之单晶或多晶。氟化钙构件系第1构件与第2构件压接而成。
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公开(公告)号：TWI612186B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102124104
申请日：2013-07-05
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU
IPC分类号： C30B29/12 , C01F11/22 , H01L21/3065 , B23K20/00
CPC分类号： H01J37/32642 , C01F11/22 , C04B35/553 , C04B37/001 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/963 , C04B2235/9669 , C04B2237/36 , C04B2237/76 , C04B2237/78 , C23C16/4585 , Y10T428/256
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公开(公告)号：TWI535660B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101118684
申请日：2012-05-25
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 藤原誠志 , FUJIWARA, SEISHI , 上原直保 , UEHARA, NAOYASU , 成川由佳 , NARUKAWA, YUKA
CPC分类号： C01F11/22 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C04B35/553 , C04B2235/3208 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6027 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/963 , C30B29/12 , G02B1/02 , Y10T428/218
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公开(公告)号：TW201420821A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102124104
申请日：2013-07-05
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU
IPC分类号： C30B29/12 , C01F11/22 , H01L21/3065 , B23K20/00
CPC分类号： H01J37/32642 , C01F11/22 , C04B35/553 , C04B37/001 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/963 , C04B2235/9669 , C04B2237/36 , C04B2237/76 , C04B2237/78 , C23C16/4585 , Y10T428/256
摘要： 本發明之課題在於不使用接著劑或帶構件等污染源而使複數構件接合。多晶CaF2構件係由組合體構成，該組合體係將由CaF2構成之複數多晶體壓接而成。
简体摘要： 本发明之课题在于不使用接着剂或带构件等污染源而使复数构件接合。多晶CaF2构件系由组合体构成，该组合体系将由CaF2构成之复数多晶体压接而成。
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