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公开(公告)号：TW201730094A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106101097
申请日：2017-01-13
申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人： 布萊林 阿奇美 , BREITLING, ACHIM , 萊賢巴哈 法蘭克 , REICHENBACH, FRANK , 蘭穆斯 猶根 , REINMUTH, JOCHEN , 雅木托 尤莉亞 , AMTHOR, JULIA
IPC分类号： B81C1/00 , G01C19/5733 , G01C19/5769 , G01P15/08
CPC分类号： B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81C1/00285 , B81C1/00293 , B81C2201/0177 , B81C2203/0145
摘要： 茲提出一種用於製造微機械裝置方法，該微機械裝置具有基板並且具有蓋體，該蓋體被連接到該基板並且與該基板封住第一空腔，第一壓力存在於該第一空腔中，且具有第一化學組成的第一氣體混合物被封入於第一空腔中，其中在第一方法步驟中，進出開口形成於該基板或該蓋體中，進出開口係將該第一空腔連接到微機械裝置的周圍空間，其中在第二方法步驟中，該第一壓力及/或該第一化學組成設置在該第一空腔，其中在第三方法步驟中，藉由雷射的輔助而引入能量或熱量到該基板或該蓋體的吸收部分以密封該進出開口，其中在第四方法步驟中，將第一結晶層或第一非晶層或第一奈米結晶層或第一多晶層沉積或生長在該基板或蓋體的表面，其中在第五方法步驟中，用於接收該第一結晶層或該第一非晶層或該第一奈米結晶層或該第一多晶層之凹部係被引入到該基板或到該蓋體內。
简体摘要： 兹提出一种用于制造微机械设备方法，该微机械设备具有基板并且具有盖体，该盖体被连接到该基板并且与该基板封住第一空腔，第一压力存在于该第一空腔中，且具有第一化学组成的第一气体混合物被封入于第一空腔中，其中在第一方法步骤中，进出开口形成于该基板或该盖体中，进出开口系将该第一空腔连接到微机械设备的周围空间，其中在第二方法步骤中，该第一压力及/或该第一化学组成设置在该第一空腔，其中在第三方法步骤中，借由激光的辅助而引入能量或热量到该基板或该盖体的吸收部分以密封该进出开口，其中在第四方法步骤中，将第一结晶层或第一非晶层或第一奈米结晶层或第一多晶层沉积或生长在该基板或盖体的表面，其中在第五方法步骤中，用于接收该第一结晶层或该第一非晶层或该第一奈米结晶层或该第一多晶层之凹部系被引入到该基板或到该盖体内。
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公开(公告)号：TW201324693A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101140610
申请日：2012-11-01
发明人： 何日暉 , HE, RIHUI , 蘭德甘 安納 瑞格洛法 , LONDERGAN, ANA RANGELOVA , 古賽夫 艾吉尼 佩卓維齊 , GOUSEV, EVGENI PETROVICH
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2201/0177 , B81C2201/0181 , B81C2203/0145
摘要： 本發明提供用於製造電機系統裝置之系統、方法及設備。在一態樣中，一種密封一電機系統裝置之方法包含蝕刻一犧牲層。該犧牲層形成於一基板之一表面與一殼體層之間且透過形成於該電機系統裝置上方之該殼體層中之蝕刻孔而蝕刻。該殼體層中之該等蝕刻孔具有大於約1微米之一直徑。接著處理該殼體層。在該經處理之殼體層上沈積一密封層。該密封層氣密密封該電機系統裝置。
简体摘要： 本发明提供用于制造电机系统设备之系统、方法及设备。在一态样中，一种密封一电机系统设备之方法包含蚀刻一牺牲层。该牺牲层形成于一基板之一表面与一壳体层之间且透过形成于该电机系统设备上方之该壳体层中之蚀刻孔而蚀刻。该壳体层中之该等蚀刻孔具有大于约1微米之一直径。接着处理该壳体层。在该经处理之壳体层上沉积一密封层。该密封层气密密封该电机系统设备。
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公开(公告)号：TW201447992A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108629
申请日：2014-03-12
申请人： 羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人： 葛拉漢 安卓 , GRAHAM, ANDREW , 亞馬 蓋瑞 , YAMA, GARY , 歐布琳恩 蓋瑞 , O'BRIEN, GARY
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3065
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81B2203/053 , B81C1/00095 , B81C1/00166 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2201/0177 , B81C2203/0136
摘要： 在一實施例之中，一種形成面外電極的方法包含形成一氧化層於一裝置層之一上表面上方、蝕刻一蝕刻停止周圍界定溝槽，其延伸穿過該氧化層的、形成一第一覆蓋層部分於該氧化層之一上表面之上及該蝕刻停止周圍界定溝槽之內、蝕刻一第一電極周圍界定溝槽，其延伸穿過該第一覆蓋層部分並停止於該氧化層處、沉積一第一材料部分於該第一電極周圍界定溝槽之內、沉積一第二覆蓋層部分於該沉積之第一材料部分上方、以及蒸汽釋放該氧化層的一部分而以蝕刻停止部分提供一側向蝕刻停止。
简体摘要： 在一实施例之中，一种形成面外电极的方法包含形成一氧化层于一设备层之一上表面上方、蚀刻一蚀刻停止周围界定沟槽，其延伸穿过该氧化层的、形成一第一覆盖层部分于该氧化层之一上表面之上及该蚀刻停止周围界定沟槽之内、蚀刻一第一电极周围界定沟槽，其延伸穿过该第一覆盖层部分并停止于该氧化层处、沉积一第一材料部分于该第一电极周围界定沟槽之内、沉积一第二覆盖层部分于该沉积之第一材料部分上方、以及蒸汽释放该氧化层的一部分而以蚀刻停止部分提供一侧向蚀刻停止。
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