公开(公告)号：TWI541211B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW098124808

申请日：2009-07-23

申请人： 尼康股份有限公司 ,  NIKON CORPORATION

发明人： 吉成俊雄 ,  YOSHINARI, TOSHIO ,  安住美菜子 ,  AZUMI, MINAKO ,  木村幸泰 ,  KIMURA, YUKIYASU

IPC分类号： C03C3/06 ,  G03F1/60

CPC分类号： C03B19/1469 ,  C03B19/1453 ,  C03B2201/07 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/30 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/42 ,  C03C2201/50 ,  C03C2203/40 ,  C03C2203/42 ,  C03C2203/54 ,  G03F1/50

公开(公告)号：TW201527232A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103136400

申请日：2014-10-22

申请人： 何瑞斯廓格拉斯公司 ,  HERAEUS QUARZGLAS GMBH & CO. KG

发明人： 歐克斯 史帝芬 ,  OCHS, STEFAN ,  貝克 克勞斯 ,  BECKER, KLAUS

IPC分类号： C03B19/06 ,  C03B19/14 ,  C03B20/00 ,  C03C3/06 ,  G02B1/00 ,  G02B5/08 ,  G02B27/18 ,  B41N1/12 ,  G03F1/24

CPC分类号： C03B19/1461 ,  C03B19/066 ,  C03B19/106 ,  C03B19/1095 ,  C03B19/14 ,  C03B2201/12 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40 ,  C03C2203/54 ,  C03C2204/00 ,  G03F1/24

摘要： 本發明係關於一種方法，由摻鈦之高矽酸含量玻璃製造胚件，其具一預定之氟含量，以應用於極紫外線平版印刷，使其熱膨脹係數在操作溫度下儘可能穩定為零。摻鈦矽玻璃胚件之熱膨脹係數走勢，係由許多影響因素決定。除去絕對鈦含量之外，鈦之分布亦有極大意義，其他摻雜元素之含量及分布亦然，例如氟。本發明係提出一種方法，其係包含一合成製程，由該製程產生摻氟之TiO2-SiO2煤灰粒子，再經由固化及玻璃化加工成為胚件，其特徵為，其合成程序包含一方法步驟，利用火焰水解法將含矽和鈦之起始物質形成TiO2-SiO2煤灰粒子，並於後續方法步驟中，將TiO2-SiO2煤灰粒子置於一活動粉末床中，使其暴露於含氟之反應劑而轉變成摻氟之TiO2-SiO2煤灰粒子。

简体摘要： 本发明系关于一种方法，由掺钛之高硅酸含量玻璃制造胚件，其具一预定之氟含量，以应用于极紫外线平版印刷，使其热膨胀系数在操作温度下尽可能稳定为零。掺钛硅玻璃胚件之热膨胀系数走势，系由许多影响因素决定。除去绝对钛含量之外，钛之分布亦有极大意义，其他掺杂元素之含量及分布亦然，例如氟。本发明系提出一种方法，其系包含一合成制程，由该制程产生掺氟之TiO2-SiO2煤灰粒子，再经由固化及玻璃化加工成为胚件，其特征为，其合成进程包含一方法步骤，利用火焰水解法将含硅和钛之起始物质形成TiO2-SiO2煤灰粒子，并于后续方法步骤中，将TiO2-SiO2煤灰粒子置于一活动粉末床中，使其暴露于含氟之反应剂而转变成掺氟之TiO2-SiO2煤灰粒子。

公开(公告)号：TWI485120B

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：TW097120935

申请日：2008-06-05

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 每田繁 ,  MAIDA, SHIGERU ,  大塚久利 ,  OTSUKA, HISATOSHI

IPC分类号： C03C4/00 ,  C03C3/06 ,  C03C3/076 ,  B29C59/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/44 ,  C03C2203/52

公开(公告)号：TW201420532A

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW102133474

申请日：2013-09-16

申请人： 尼康股份有限公司 ,  NIKON CORPORATION

发明人： 吉成俊雄 ,  YOSHINARI, TOSHIO

IPC分类号： C03C3/04 ,  C03B19/14 ,  G03F1/60

CPC分类号： C03B19/1415 ,  C03B11/08 ,  C03B19/1469 ,  C03B23/0493 ,  C03B32/005 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/70 ,  C03B2207/80 ,  C03B2215/44 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/44 ,  G03F1/60

摘要： SiO2-TiO2系玻璃之製造方法係利用直接法於靶材上製造SiO2-TiO2系玻璃之方法，包含錠成長步驟，藉由將矽化合物及鈦化合物供給至氫氧焰中進行火焰水解，而於靶材上成長既定長度之SiO2-TiO2系玻璃錠，錠成長步驟具有：第1步驟，隨著SiO2-TiO2系玻璃錠之成長，逐漸增加鈦化合物之供給量相對於矽化合物之供給量的比率，直至達到既定之值為止；及第2步驟，當第1步驟中比率達到既定之值之後，於將比率保持為固定之狀態下成長SiO2-TiO2系玻璃錠。

简体摘要： SiO2-TiO2系玻璃之制造方法系利用直接法于靶材上制造SiO2-TiO2系玻璃之方法，包含锭成长步骤，借由将硅化合物及钛化合物供给至氢氧焰中进行火焰水解，而于靶材上成长既定长度之SiO2-TiO2系玻璃锭，锭成长步骤具有：第1步骤，随着SiO2-TiO2系玻璃锭之成长，逐渐增加钛化合物之供给量相对于硅化合物之供给量的比率，直至达到既定之值为止；及第2步骤，当第1步骤中比率达到既定之值之后，于将比率保持为固定之状态下成长SiO2-TiO2系玻璃锭。

公开(公告)号：TW201328999A

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：TW101129920

申请日：2012-08-17

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 每田繁 ,  MAIDA, SHIGERU ,  大塚久利 ,  OTSUKA, HISATOSHI

IPC分类号： C03B20/00 ,  C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/06 ,  C03B2207/12 ,  C03B2207/20 ,  C03B2207/81 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/42 ,  Y02P40/57

摘要： 本發明提供一種摻雜二氧化鈦的石英玻璃之製造方法，其特徵為混合矽源原料氣體及鈦源原料氣體，且在200~400℃加熱後，利用可燃性氣體及助燃性氣體進行氧化或火焰水解。依據本發明，可獲得表面並無體積30,000nm3以上之凹狀缺陷之可較好地作為EUV微影用構件，尤其是作為EUV微影遮罩用基板之摻雜二氧化鈦的石英玻璃。

简体摘要： 本发明提供一种掺杂二氧化钛的石英玻璃之制造方法，其特征为混合硅源原料气体及钛源原料气体，且在200~400℃加热后，利用可燃性气体及助燃性气体进行氧化或火焰水解。依据本发明，可获得表面并无体积30,000nm3以上之凹状缺陷之可较好地作为EUV微影用构件，尤其是作为EUV微影遮罩用基板之掺杂二氧化钛的石英玻璃。

公开(公告)号：TW201307218A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101112635

申请日：2012-04-10

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. ,  信越石英股份有限公司 ,  SHIN-ETSU QUARTZ PRODUCTS CO., LTD.

发明人： 每田繁 ,  MAIDA, SHIGERU ,  大塚久利 ,  OTSUKA, HISATOSHI ,  上田哲司 ,  UEDA, TETSUJI ,  江崎正信 ,  EZAKI, MASANOBU

IPC分类号： C03B19/14 ,  C03C3/06 ,  C03C4/00

CPC分类号： G03F1/24 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1423 ,  C03B2201/42 ,  C03B2207/64 ,  C03C3/06 ,  C03C4/0085 ,  C03C4/08 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/42 ,  G03F1/50

摘要： 本發明之參雜氧化鈦之石英玻璃，於EUV(extreme ultra-violet，極紫外)光之反射面，連結位於反射面中心之原點(O)及雙折射測定點(A)之直線、與於測定點(A)之雙折射之快軸所成之角度(θ)之平均值大於45°。本發明可提供一種參雜氧化鈦之石英玻璃，其雙折射之快軸係分布成同心圓狀，具有高平坦性，有用於作為EUV微影用、特別是EUV微影光罩用。

简体摘要： 本发明之参杂氧化钛之石英玻璃，于EUV(extreme ultra-violet，极紫外)光之反射面，链接位于反射面中心之原点(O)及双折射测定点(A)之直线、与于测定点(A)之双折射之快轴所成之角度(θ)之平均值大于45°。本发明可提供一种参杂氧化钛之石英玻璃，其双折射之快轴系分布成同心圆状，具有高平坦性，有用于作为EUV微影用、特别是EUV微影光罩用。

公开(公告)号：TW200938502A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：TW097146540

申请日：2008-11-28

申请人： 康寧公司 CORNING INCORPORATED

发明人： 肯尼埃德哈迪納 KENNETH EDWARD HRDINA ,  羅伯沙巴 ROBERT SABIA

IPC分类号： C03C

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B19/1407 ,  C03B19/143 ,  C03B19/1484 ,  C03B2201/42 ,  C03C2201/42 ,  C03C2203/40

摘要： 本發明揭示出一種低膨脹玻璃基板,其包含氧化鈦和氧化矽,低膨脹玻璃基板在19℃至25℃溫度範圍內具有平均梯度小於1ppb/℃/℃的熱膨脹性。

简体摘要： 本发明揭示出一种低膨胀玻璃基板,其包含氧化钛和氧化硅,低膨胀玻璃基板在19℃至25℃温度范围内具有平均梯度小于1ppb/℃/℃的热膨胀性。

公开(公告)号：TW200918470A

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW097124959

申请日：2008-07-02

申请人： 贏創德固賽有限責任公司 EVONIK DEGUSSA GMBH

发明人： 莫尼卡 奧斯沃 OSWALD, MONIKA ,  克莉絲汀 舒瑟依斯佛 SCHULZE-ISFORT, CHRISTIAN ,  凱伊 舒曼契爾 SCHUMACHER, KAI ,  瑞夫 霍夫曼 HOFMANN, RALPH ,  柯里那 奇斯納 KISSNER, CORINNA

IPC分类号： C03B ,  C03C

CPC分类号： C03B19/1005 ,  C03C1/006 ,  C03C3/06 ,  C03C3/083 ,  C03C12/00 ,  C03C2201/06 ,  C03C2201/14 ,  C03C2201/28 ,  C03C2201/31 ,  C03C2201/32 ,  C03C2201/34 ,  C03C2201/40 ,  C03C2201/42 ,  C03C2201/50 ,  C03C2203/20 ,  C04B35/14 ,  C04B35/62655 ,  C04B2235/72

摘要： 一種用於製造經燒結的粒狀材料之方法,該經燒結的粒狀材料含有二氧化矽且具有小於1 m^2/g的BET表面積及小於50 ppm的雜質比例,其中含有二氧化矽粉末及金屬化合物的混合物係在具有10至100%相對環境溼度的環境中在0至50℃的溫度下藉由分散裝置徹底混合,該易碎體係分裂為多件,其後乾燥,純化且燒結。

简体摘要： 一种用于制造经烧结的粒状材料之方法,该经烧结的粒状材料含有二氧化硅且具有小于1 m^2/g的BET表面积及小于50 ppm的杂质比例,其中含有二氧化硅粉末及金属化合物的混合物系在具有10至100%相对环境湿度的环境中在0至50℃的温度下借由分散设备彻底混合,该易碎体系分裂为多件,其后干燥,纯化且烧结。

公开(公告)号：TW200916946A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：TW097135288

申请日：2008-09-12

申请人： 旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED

发明人： 生田順亮 IKUTA, YOSHIAKI ,  岩橋康臣 IWAHASHI, YASUTOMI ,  岡村研治 OKAMURA, KENJI

IPC分类号： G03F ,  H01L

CPC分类号： B29C33/38 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/12 ,  C03C2201/42 ,  G03F7/0002

摘要： 本發明之課題在於提供一種含TiO2之石英玻璃基板,其於用作奈米壓模微影技術用模具基材之情形時,能夠形成尺寸變化性為�10%以內之凹凸圖案。本發明係關於一種含TiO2之石英玻璃基板,其特徵為15~35℃下之熱膨脹係數為�200 ppb/℃以內,TiO2濃度為4~9 wt%,形成轉印圖案之側之基板表面上之TiO2濃度分布為�1 wt%以內。

简体摘要： 本发明之课题在于提供一种含TiO2之石英玻璃基板,其于用作奈米压模微影技术用模具基材之情形时,能够形成尺寸变化性为�10%以内之凹凸图案。本发明系关于一种含TiO2之石英玻璃基板,其特征为15~35℃下之热膨胀系数为�200 ppb/℃以内,TiO2浓度为4~9 wt%,形成转印图案之侧之基板表面上之TiO2浓度分布为�1 wt%以内。

公开(公告)号：TW200736183A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：TW095145693

申请日：2006-12-07

申请人： 信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 每田繁 MAIDA, SHIGERU ,  山田素行 YAMADA, MOTOYUKI

IPC分类号： C03C ,  G03F ,  C03B

CPC分类号： C03B19/1407 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03B19/1415 ,  C03B19/1446 ,  C03B19/1453 ,  C03B19/1484 ,  C03B2201/42 ,  C03C3/06 ,  C03C2201/11 ,  C03C2201/21 ,  C03C2201/23 ,  C03C2201/42 ,  G03F1/24 ,  G03F1/60 ,  G21K2201/067

摘要： 【解決手段】含有3~12質量%之二氧化鈦,該二氧化鈦之濃度梯度為0.01質量%/���m以下,且厚度為6.35mm之於波長440nm中的表觀穿透率為30%以上為其特徵之摻雜二氧化鈦之石英玻璃。【效果】可提供予以EUV微影用光罩基板等之EUV微影用構件所要求之高表面精細度之均質性高之摻雜二氧化鈦之石英玻璃,由摻雜二氧化鈦之石英玻璃所構成之EUV微影用光罩基板等之EUV微影用構件為平坦度和熱膨脹特性優良者。

简体摘要： 【解决手段】含有3~12质量%之二氧化钛,该二氧化钛之浓度梯度为0.01质量%/���m以下,且厚度为6.35mm之于波长440nm中的表观穿透率为30%以上为其特征之掺杂二氧化钛之石英玻璃。【效果】可提供予以EUV微影用光罩基板等之EUV微影用构件所要求之高表面精细度之均质性高之掺杂二氧化钛之石英玻璃,由掺杂二氧化钛之石英玻璃所构成之EUV微影用光罩基板等之EUV微影用构件为平坦度和热膨胀特性优良者。