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    半導體記憶裝置及記憶體系統
    1.
    发明专利
    半導體記憶裝置及記憶體系統 审中-公开
    半导体记忆设备及内存系统

    公开(公告)号：TW201812750A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106104394

    申请日：2017-02-10

    申请人： 東芝記憶體股份有限公司 ,  TOSHIBA MEMORY CORPORATION

    发明人： 宇都宮裕子 ,  UTSUNOMIYA, YUKO ,  清水孝洋 ,  SHIMIZU, TAKAHIRO ,  進藤佳彥 ,  SHINDO, YOSHIHIKO ,  菅原昭雄 ,  SUGAHARA, AKIO ,  山村俊雄 ,  YAMAMURA, TOSHIO

    IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C16/26

    CPC分类号： G11C16/3459 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/065 ,  G06F3/067 ,  G06F11/1451 ,  G06F11/1469 ,  G06F2201/84 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1087 ,  G11C7/1096 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/20

    摘要： 本發明之實施形態提供一種可於使用保持有寫入動作重新開始所需之資料之閂鎖電路執行讀取動作之後，重新開始寫入動作之半導體記憶裝置及記憶體系統。 一實施形態之半導體記憶裝置具備：第1感測放大器單元，其包含可保持資料之第1閂鎖電路；及控制部。上述控制部執行如下動作：第1動作，其於寫入動作中斷後且接收指示讀取動作之第1指令前，將保持於上述第1閂鎖電路、且包含上述中斷之寫入動作之驗證結果之第1資料傳送至上述第1感測放大器單元之外部；及第2動作，其於上述讀取動作結束後且接收指示重新開始上述中斷之寫入動作之第2指令前，將傳送至上述第1感測放大器單元之外部之第1資料傳送至上述第1閂鎖電路。

    简体摘要： 本发明之实施形态提供一种可于使用保持有写入动作重新开始所需之数据之闩锁电路运行读取动作之后，重新开始写入动作之半导体记忆设备及内存系统。 一实施形态之半导体记忆设备具备：第1传感放大器单元，其包含可保持数据之第1闩锁电路；及控制部。上述控制部运行如下动作：第1动作，其于写入动作中断后且接收指示读取动作之第1指令前，将保持于上述第1闩锁电路、且包含上述中断之写入动作之验证结果之第1数据发送至上述第1传感放大器单元之外部；及第2动作，其于上述读取动作结束后且接收指示重新开始上述中断之写入动作之第2指令前，将发送至上述第1传感放大器单元之外部之第1数据发送至上述第1闩锁电路。