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公开(公告)号:TWI576839B
公开(公告)日:2017-04-01
申请号:TW104123867
申请日:2015-07-23
发明人: 柯文昇 , KHWA, WIN-SAN , 蘇資翔 , SU, TZU-HSIANG , 吳昭誼 , WU, CHAO-I , 李祥邦 , LI, HSIANG-PANG
CPC分类号: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0064 , G11C29/028 , G11C29/06 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2013/0066 , G11C2013/0083 , G11C2029/0409
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公开(公告)号:TWI569269B
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:TW104114149
申请日:2015-05-04
发明人: 黃 科穎 , HUANG, KOYING
CPC分类号: G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
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公开(公告)号:TW201628003A
公开(公告)日:2016-08-01
申请号:TW104123867
申请日:2015-07-23
发明人: 柯文昇 , KHWA, WIN-SAN , 蘇資翔 , SU, TZU-HSIANG , 吳昭誼 , WU, CHAO-I , 李祥邦 , LI, HSIANG-PANG
CPC分类号: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0064 , G11C29/028 , G11C29/06 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2013/0066 , G11C2013/0083 , G11C2029/0409
摘要: 一種記憶體電路係被描述,其包括記憶胞陣列,此記憶胞陣列包括複數個記憶胞之區塊。記憶體電路包括一控制器,控制器包括用以對此些區塊中複數個被選區塊執行複數個編程序列的邏輯單元。編程序列包括編程/驗證週期的態樣。記憶體電路包括用以將不同態樣的編程/驗證週期指派至此些區塊中不同區塊的邏輯單元。記憶體電路包括用以改變被指派至此些區塊中一特定區塊的一特定態樣的邏輯單元。記憶體電路包括用以維持此些區塊中的區塊的統計數據的邏輯單元,其中統計數據是關於此些區塊中的記憶胞回應於被指派至此些區塊的編程/驗證週期的態樣的效能。控制器包括用以施加一應力序列至此些被選區塊之一的邏輯單元,應力序列包括應力脈衝,應力脈衝係施加至此被選區塊中的記憶胞。
简体摘要: 一种内存电路系被描述,其包括记忆胞数组,此记忆胞数组包括复数个记忆胞之区块。内存电路包括一控制器,控制器包括用以对此些区块中复数个被选区块运行复数个编进程列的逻辑单元。编进程列包括编程/验证周期的态样。内存电路包括用以将不同态样的编程/验证周期指派至此些区块中不同区块的逻辑单元。内存电路包括用以改变被指派至此些区块中一特定区块的一特定态样的逻辑单元。内存电路包括用以维持此些区块中的区块的统计数据的逻辑单元,其中统计数据是关于此些区块中的记忆胞回应于被指派至此些区块的编程/验证周期的态样的性能。控制器包括用以施加一应力串行至此些被选区块之一的逻辑单元,应力串行包括应力脉冲,应力脉冲系施加至此被选区块中的记忆胞。
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4.具有資料線切換結構的記憶體系統 MEMORY SYSTEM WITH DATA LINE SWITCHING SCHEME 审中-公开
简体标题: 具有数据线切换结构的内存系统 MEMORY SYSTEM WITH DATA LINE SWITCHING SCHEME公开(公告)号:TW201042657A
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:TW099111300
申请日:2010-04-12
申请人: 桑迪士克3D公司
IPC分类号: G11C
CPC分类号: G11C8/12 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066
摘要: 本發明揭示一種包含一三維記憶體陣列之儲存系統,該三維記憶體陣列具有分組成若干區塊之多層非揮發性儲存元件。每一區塊包含一子組第一選擇電路,其等用於將一子組一第一類型之陣列線(例如,位元線)選擇性地耦合至各別局域資料線。每一區塊包含一子組第二選擇電路,其等用於將一子組該等各別局域資料線選擇性地耦合至連接至控制電路之全域資料線。為增加記憶體作業之效能,該等第二選擇電路可彼此獨立地改變其選擇。舉例而言,同時對複數個群組之非揮發性儲存元件中之每一群組之一第一非揮發性儲存元件執行一記憶體作業。獨立地偵測針對每一群組之該第一非揮發性儲存元件之該記憶體作業之完成。在獨立地偵測到針對各別群組之該第一非揮發性儲存元件之該記憶體作業之完成時,針對每一群組獨立地開始對每一群組之一第二非揮發性儲存元件之記憶體作業。
简体摘要: 本发明揭示一种包含一三维内存数组之存储系统,该三维内存数组具有分组成若干区块之多层非挥发性存储组件。每一区块包含一子组第一选择电路,其等用于将一子组一第一类型之数组线(例如,比特线)选择性地耦合至各别局域数据线。每一区块包含一子组第二选择电路,其等用于将一子组该等各别局域数据线选择性地耦合至连接至控制电路之全域数据线。为增加内存作业之性能,该等第二选择电路可彼此独立地改变其选择。举例而言,同时对复数个群组之非挥发性存储组件中之每一群组之一第一非挥发性存储组件运行一内存作业。独立地侦测针对每一群组之该第一非挥发性存储组件之该内存作业之完成。在独立地侦测到针对各别群组之该第一非挥发性存储组件之该内存作业之完成时,针对每一群组独立地开始对每一群组之一第二非挥发性存储组件之内存作业。
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公开(公告)号:TW200917246A
公开(公告)日:2009-04-16
申请号:TW097123709
申请日:2008-06-25
IPC分类号: G11C
CPC分类号: G11C13/0064 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C16/3468 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2213/52 , G11C2213/79
摘要: 於電阻變化型記憶體之中,減少程式(program)後之電阻値變動,如此而提供高速記憶格之改寫技術。,以串列方式將參照電阻連接於電阻變化型記憶格,在記憶格與參照電阻間之中間節點之電位上升至大於臨限値電壓時,使用感測放大器檢測出該狀況,而停止寫入動作。
简体摘要: 于电阻变化型内存之中,减少进程(program)后之电阻値变动,如此而提供高速记忆格之改写技术。,以串行方式将参照电阻连接于电阻变化型记忆格,在记忆格与参照电阻间之中间节点之电位上升至大于临限値电压时,使用传感放大器检测出该状况,而停止写入动作。
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6.程式化電阻式記憶體裝置之方法 METHODS OF PROGRAMMING A RESISTIVE MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题: 进程化电阻式内存设备之方法 METHODS OF PROGRAMMING A RESISTIVE MEMORY DEVICE公开(公告)号:TW200820258A
公开(公告)日:2008-05-01
申请号:TW096131921
申请日:2007-08-28
发明人: 白寅圭 BAEK, IN-GYU , 李將銀 LEE, JANG-EUN , 吳世忠 OH, SE-CHUNG , 南坰兌 NAM, KYUNG-TAE , 鄭峻昊 JEONG, JUN-HO , 林恩京 YIM, EUN-KYUNG
CPC分类号: G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/34
摘要: 本發明提供一種用於程式化一RRAM裝置之方法。一漸增的設定電流被施加至該RRAM裝置之一資料儲存層圖案,同時量測該資料儲存層圖案之一電阻,直至該電阻指示該資料儲存層圖案中之一設定狀態。一漸增的重設電壓被施加至該RRAM裝置之該資料儲存層圖案,同時量測該資料儲存層圖案之該電阻,直至該電阻指示該資料儲存層圖案中之一重設狀態。
简体摘要: 本发明提供一种用于进程化一RRAM设备之方法。一渐增的设置电流被施加至该RRAM设备之一数据存储层图案,同时量测该数据存储层图案之一电阻,直至该电阻指示该数据存储层图案中之一设置状态。一渐增的重设电压被施加至该RRAM设备之该数据存储层图案,同时量测该数据存储层图案之该电阻,直至该电阻指示该数据存储层图案中之一重设状态。
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公开(公告)号:TW201804475A
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW106120620
申请日:2017-06-20
申请人: 超捷公司 , SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. , 新加坡科技研究局 , AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人: 哈里哈蘭 聖托西 , HARIHARAN, SANTOSH , 陳 曉萬 , TRAN, HIEU VAN , 周峰 , ZHOU, FENG , 呂 祥 , LIU, XIAN , 利姆克 史蒂芬 , LEMKE, STEVEN , 杜 恩漢 , DO, NHAN , 後補 後補 , CHEN, ZHIXIAN , 王 新朋 , WANG, XINPENG
CPC分类号: G11C13/0011 , G11C11/00 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0088 , G11C2013/0092 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/146
摘要: 一種記憶體裝置包括:一金屬氧化物材料,其設置在第一導電電極與第二導電電極之間且電性接觸該第一導電電極與該第二導電電極;及一電流源,其經組態以施加一或多個電流脈衝通過該金屬氧化物材料。該一或多個電流脈衝之各者的電流之振幅在該電流脈衝期間隨時間而增加,以形成一導電細絲於金屬氧化物材料中。
简体摘要: 一种内存设备包括:一金属氧化物材料,其设置在第一导电电极与第二导电电极之间且电性接触该第一导电电极与该第二导电电极;及一电流源,其经组态以施加一或多个电流脉冲通过该金属氧化物材料。该一或多个电流脉冲之各者的电流之振幅在该电流脉冲期间随时间而增加,以形成一导电细丝于金属氧化物材料中。
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公开(公告)号:TWI609374B
公开(公告)日:2017-12-21
申请号:TW105107818
申请日:2016-03-14
发明人: 龍翔瀾 , HSIANG-LAN, LUNG , 何信義 , HSIN-YI, HO
IPC分类号: G11C13/02
CPC分类号: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2013/0071 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
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公开(公告)号:TW201729188A
公开(公告)日:2017-08-16
申请号:TW105134634
申请日:2016-10-26
发明人: 李伯浩 , LEE, PO-HAO , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG-CHENG , 李嘉富 , LEE, CHIA-FU
IPC分类号: G11C7/22
CPC分类号: G11C13/0069 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1697 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C29/52 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2029/0409
摘要: 本發明實施例揭示一種用於對具有可程式化阻值之記憶體單元進行程式化之電路,該電路包含開關。該電路經組態以當該開關處於第一狀態中時將程式化電壓施加於該記憶體單元。該電路經組態以當該開關處於第二狀態中時將程式化電流施加於該記憶體單元。該記憶體單元之該阻值基於將該程式化電壓或該程式化電流施加於該記憶體單元而自第一阻值狀態變為第二阻值狀態。
简体摘要: 本发明实施例揭示一种用于对具有可进程化阻值之内存单元进行进程化之电路,该电路包含开关。该电路经组态以当该开关处于第一状态中时将进程化电压施加于该内存单元。该电路经组态以当该开关处于第二状态中时将进程化电流施加于该内存单元。该内存单元之该阻值基于将该进程化电压或该进程化电流施加于该内存单元而自第一阻值状态变为第二阻值状态。
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公开(公告)号:TWI574262B
公开(公告)日:2017-03-11
申请号:TW104112871
申请日:2015-04-22
申请人: 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 林璟瑜 , LIN, BLAKE , 魏 里奇昂 , WEI, LIQIONG , 狄瑞 克里 , DRAY, CYRILLE , 漢洛路 費堤 , HAMZAOGLU, FATIH , 洛伊 安南達 , ROY, ANANDA
IPC分类号: G11C13/00
CPC分类号: G11C13/004 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0057 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078
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