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    電漿處理裝置及電漿處理方法
    3.
    发明专利
    電漿處理裝置及電漿處理方法 有权
    等离子处理设备及等离子处理方法

    公开(公告)号：TW575923B

    公开(公告)日：2004-02-11

    申请号：TW091119370

    申请日：2002-08-27

    申请人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： 有田潔 KIYOSHI ARITA ,  岩井哲博 TETSUHIRO IWAI ,  寺山純一 JUNICHI TERAYAMA

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01J37/32082 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6833

    摘要： 在一種對矽晶圓實施電漿處理之電漿處理裝置中，該矽晶圓6具備黏附於電路形成面上之保護帶6a，且該矽晶圓6設置於一設置表面3d上，該設置表面設置於由導電金屬所構成之下電極3的上表面上，且該保護帶6a朝向該設置表面3d。當一直流電壓將藉由供靜電吸附用之直流電力部18(以在電漿處理中吸附且固持該矽晶圓6於該下電極3上)而施予該下電極3時，該保護帶6a作為供靜電吸附用之電介質材料。因而，該電介質材料可儘量地薄，且該矽晶圓6可被足夠之靜電固持力固持住。

    简体摘要： 在一种对硅晶圆实施等离子处理之等离子处理设备中，该硅晶圆6具备黏附于电路形成面上之保护带6a，且该硅晶圆6设置于一设置表面3d上，该设置表面设置于由导电金属所构成之下电极3的上表面上，且该保护带6a朝向该设置表面3d。当一直流电压将借由供静电吸附用之直流电力部18(以在等离子处理中吸附且固持该硅晶圆6于该下电极3上)而施予该下电极3时，该保护带6a作为供静电吸附用之电介质材料。因而，该电介质材料可尽量地薄，且该硅晶圆6可被足够之静电固持力固持住。

    畫像取得方法及離子束裝置
    5.
    发明专利
    畫像取得方法及離子束裝置 审中-公开
    画像取得方法及离子束设备

    公开(公告)号：TW201721705A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105126421

    申请日：2016-08-18

    申请人： 日立高新技術科學股份有限公司 ,  HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION

    发明人： 小堺智一 ,  KOZAKAI, TOMOKAZU ,  荒卷文朗 ,  ARAMAKI, FUMIO ,  松田修 ,  MATSUDA, OSAMU ,  椎名健介 ,  SHIINA, KENSUKE ,  相田和男 ,  AITA, KAZUO ,  八坂行人 ,  YASAKA, ANTO

    IPC分类号： H01J37/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/22 ,  H01J37/147

    CPC分类号： H01J37/222 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/2067 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/2817

    摘要： 在畫像取得方法中容易取得減少基板之帶電之影響的畫像。為一種畫像取得方法，其係藉由對在絕緣性基板上具有持有直線狀之邊緣部的導電部之試料照射離子束，而取得畫像取得區域之畫像，該畫像取得方法包含：第1動作(步驟S1)，其係進行在與邊緣部傾斜交叉之第1方向中藉由離子束進行的等寬掃描，和朝向與第1方向交叉之第2方向的掃掠，對較畫像取得區域寬的平行四邊形狀之掃描區域照射離子束；第2動作(步驟S1)，其係藉由檢測出二次帶電粒子而生成掃描區域之畫像資料；第3動作(步驟S3)，其係藉由對掃描區域之畫像資料進行運算處理，生成畫像取得區域之畫像資料；及第4動作(步驟S4)，其係顯示畫像取得區域之畫像資料。

    简体摘要： 在画像取得方法中容易取得减少基板之带电之影响的画像。为一种画像取得方法，其系借由对在绝缘性基板上具有持有直线状之边缘部的导电部之试料照射离子束，而取得画像取得区域之画像，该画像取得方法包含：第1动作(步骤S1)，其系进行在与边缘部倾斜交叉之第1方向中借由离子束进行的等宽扫描，和朝向与第1方向交叉之第2方向的扫掠，对较画像取得区域宽的平行四边形状之扫描区域照射离子束；第2动作(步骤S1)，其系借由检测出二次带电粒子而生成扫描区域之画像数据；第3动作(步骤S3)，其系借由对扫描区域之画像数据进行运算处理，生成画像取得区域之画像数据；及第4动作(步骤S4)，其系显示画像取得区域之画像数据。

    於帶電粒子射束處理期間針對半導體基板的電荷調整
    7.
    发明专利
    於帶電粒子射束處理期間針對半導體基板的電荷調整 审中-公开
    于带电粒子射束处理期间针对半导体基板的电荷调整

    公开(公告)号：TW201532132A

    公开(公告)日：2015-08-16

    申请号：TW104102072

    申请日：2015-01-22

    申请人： 瑪波微影IP公司 ,  MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.

    发明人： 布蘭德特 匹特 路克斯 ,  BRANDT, PIETER LUCAS

    IPC分类号： H01L21/30 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01L21/0277 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/3175 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 本發明揭示一種用於準備一半導體靶材(10)的方法，該方法包含提供一半導體基板(12)，其包含一主基板表面(14)，其沿著一外邊緣界定一基板周邊(20)。該半導體基板(12)進一步具有一結構層(30)，其係排列於該主基板表面之上，且包含一結構層周邊(32)，其相對於該基板周邊係位於內部，以此沿該基板周邊暴露一周邊基板區域(22)。該方法進一步包含施加一電性傳導層(38)至該結構層上，其中該電性傳導層延伸於該結構層周邊之上，以於該周邊基板區域的一接觸部分(23)中建立電性接觸。

    简体摘要： 本发明揭示一种用于准备一半导体靶材(10)的方法，该方法包含提供一半导体基板(12)，其包含一主基板表面(14)，其沿着一外边缘界定一基板周边(20)。该半导体基板(12)进一步具有一结构层(30)，其系排列于该主基板表面之上，且包含一结构层周边(32)，其相对于该基板周边系位于内部，以此沿该基板周边暴露一周边基板区域(22)。该方法进一步包含施加一电性传导层(38)至该结构层上，其中该电性传导层延伸于该结构层周边之上，以于该周边基板区域的一接触部分(23)中创建电性接触。

    離子植入機及離子植入方法
    9.
    发明专利
    離子植入機及離子植入方法 审中-公开
    离子植入机及离子植入方法

    公开(公告)号：TW201628043A

    公开(公告)日：2016-08-01

    申请号：TW105101184

    申请日：2016-01-15

    申请人： 漢辰科技股份有限公司 ,  ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.

    发明人： 侯塞因 安瓦爾 ,  HUSAIN, ANWAR ,  立特瓦克 凡立瑞 ,  LITVAK, VALERIY

    IPC分类号： H01J37/07

    CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/2065 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67213

    摘要： 本發明一實施例之一種離子植入機包含一處理室、一前開式晶圓傳送盒(FOUP，Front Opening Unified Pod)及一溫度處理組件。在處理室中，一工件可依離子植入配方被植入離子。前開式晶圓傳送盒能將工件送入或送出處理室。溫度處理組件包含一真空室、一加熱模組及一冷卻模組。真空室與處理室連通，且真空室具有一加熱空間及一相鄰於加熱空間的冷卻空間。加熱模組從加熱空間的一側安裝於真空室，用於將位於加熱空間的工件加熱到一第一溫度；而冷卻模組安裝於冷卻空間，用於將位於冷卻空間的工件冷卻到一第二溫度，其中第二溫度不同於第一溫度。同時揭露種一離子植入方法。

    简体摘要： 本发明一实施例之一种离子植入机包含一处理室、一前开式晶圆发送盒(FOUP，Front Opening Unified Pod)及一温度处理组件。在处理室中，一工件可依离子植入配方被植入离子。前开式晶圆发送盒能将工件送入或送出处理室。温度处理组件包含一真空室、一加热模块及一冷却模块。真空室与处理室连通，且真空室具有一加热空间及一相邻于加热空间的冷却空间。加热模块从加热空间的一侧安装于真空室，用于将位于加热空间的工件加热到一第一温度；而冷却模块安装于冷却空间，用于将位于冷却空间的工件冷却到一第二温度，其中第二温度不同于第一温度。同时揭露种一离子植入方法。