公开(公告)号：TWI615897B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW104135530

申请日：2015-10-29

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 北村彰規 ,  KITAMURA, AKINORI ,  狩生幸佑 ,  KARIU, KOSUKE ,  小津俊久 ,  OZU, TOSHIHISA ,  李海雨 ,  LEE, HAI WOO

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

公开(公告)号：TWI602213B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW102136266

申请日：2013-10-08

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 松本直樹 ,  MATSUMOTO, NAOKI ,  富田祐吾 ,  TOMITA, YUGO ,  三原直輝 ,  MIHARA, NAOKI ,  高橋和樹 ,  TAKAHASHI, KAZUKI ,  會田倫崇 ,  AITA, MITITAKA ,  吉川潤 ,  YOSHIKAWA, JUN ,  仙田孝博 ,  SENDA, TAKAHIRO ,  佐藤好保 ,  SATO, YOSHIYASU ,  加藤和行 ,  KATO, KAZUYUKI ,  周藤賢治 ,  SUDOU, KENJI ,  水杉一史 ,  MIZUSUGI, HITOSHI

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：TW201728780A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105136065

申请日：2016-11-07

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 貝里三世 伊凡 L ,  BERRY III, IVAN L.

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/3222 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32899 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67069

摘要： 文中所揭露之製程室中之半導體基板上之反應速率的修改方法使用複數微波天線的一相位陣列。該些方法可包含能量化一製程室中的一電漿、自複數微波天線的一相位陣列發射一微波輻射束、及將該束微波輻射導至該電漿中俾以造成該製程室內之一半導體基板之一表面上的一反應速率的一變化。文中亦揭露複數微波天線之相位陣列的特定實施例。文中亦揭露半導體製程設備，其包含用以將微波輻射束發射至一製程室中之複數微波天線的一相位陣列。

简体摘要： 文中所揭露之制程室中之半导体基板上之反应速率的修改方法使用复数微波天线的一相位数组。该些方法可包含能量化一制程室中的一等离子、自复数微波天线的一相位数组发射一微波辐射束、及将该束微波辐射导至该等离子中俾以造成该制程室内之一半导体基板之一表面上的一反应速率的一变化。文中亦揭露复数微波天线之相位数组的特定实施例。文中亦揭露半导体制程设备，其包含用以将微波辐射束发射至一制程室中之复数微波天线的一相位数组。

公开(公告)号：TWI594087B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW102121785

申请日：2013-06-19

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 高地道久 ,  TAKACHI, MICHIHISA ,  清水祐介 ,  SHIMIZU, YUSUKE ,  小津俊久 ,  OZU, TOSHIHISA

IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/02315 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

公开(公告)号：TWI555445B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW100132416

申请日：2011-09-08

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 池田太郎 ,  IKEDA, TARO ,  長田勇輝 ,  OSADA, YUKI ,  河西繁 ,  KASAI, SHIGERU ,  宮下大幸 ,  MIYASHITA, HIROYUKI

IPC分类号： H05H1/46

CPC分类号： H01J23/005 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：TWI553146B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW100147511

申请日：2011-12-20

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 元泰景 ,  WON, TAE KYUNG ,  諾密達 海琳達 ,  NOMINANDA, HELINDA ,  卓尚美 ,  CHO, SEON-MEE ,  崔秀英 ,  CHOI, SOO YOUNG ,  朴炳碩 ,  PARK, BEAM SOO ,  懷特 約翰 ,  WHITE, JOHN M. ,  安華 蘇海 ,  ANWAR, SUHAIL ,  庫達 喬瑟 ,  KUDELA, JOZEF

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/24

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

公开(公告)号：TWI524419B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW101148721

申请日：2012-12-20

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 萊利 安潔莉 丹尼斯 ,  RALEY, ANGELIQUE DENISE ,  森琢哉 ,  MORI, TAKUYA ,  大竹浩人 ,  OHTAKE, HIROTO

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3115 ,  H01L29/6656

公开(公告)号：TWI492266B

公开(公告)日：2015-07-11

申请号：TW100111328

申请日：2011-03-31

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 米澤亮太 ,  YONEZAWA, RYOTA ,  高橋哲朗 ,  TAKAHASHI, TETSURO ,  大崎良規 ,  OSAKI, YOSHINORI ,  鈴木公貴 ,  SUZUKI, KOUKI ,  齊藤智博 ,  SAITO, TOMOHIRO ,  山下潤 ,  YAMASHITA, JUN ,  佐藤吉宏 ,  SATO, YOSHIHIRO ,  鹽澤俊彥 ,  SHIOZAWA, TOSHIHIKO ,  山崎幸一 ,  YAMAZAKI, KOICHI ,  古木和弘 ,  FURUKI, KAZUHIRO

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

公开(公告)号：TWI478235B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW101120902

申请日：2012-06-11

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 大澤佑介 ,  OHSAWA, YUSUKE ,  大竹浩人 ,  OHTAKE, HIROTO ,  鈴木銳二 ,  SUZUKI, EIJI ,  庫馬 寇西克 ,  KUMAR, KAUSHIK ,  梅茲 安祖W ,  METZ, ANDREW W.

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32247

公开(公告)号：TW201506985A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：TW103117005

申请日：2014-05-14

申请人： 國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY

发明人： 平山昌樹 ,  HIRAYAMA, MASAKI

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222

摘要： 提供一種能夠對於藉由電漿處理所形成的膜之特性作改善的電漿處理裝置。係具備有：處理腔(10)，係區劃出密閉空間(11)；和電漿形成用電極(36)，係被設置在前述密閉空間內；和內部導體(21)，係從處理腔(10)之外部來通過被形成於處理腔(10)處的開口(13h)而朝向電漿形成用電極(36)而延伸存在；和外部導體(22、13)，係包圍內部導體(21)之周圍，而在其與內部導體(21)之間區劃出空隙(23)，並且區劃出前述開口(13h)；和密封構件(60)，係被與內部導體(12)以及外部導體(22、13)作連接，並用以將空隙(23)區隔為大氣側之空間和與密閉空間(11)相通連之空間，且由絕緣體所形成；和放電防止用絕緣體(100)，係將空隙(23)中之相對於密封構件(60)而被形成於密閉空間(11)側處之空間作填埋。

简体摘要： 提供一种能够对于借由等离子处理所形成的膜之特性作改善的等离子处理设备。系具备有：处理腔(10)，系区划出密闭空间(11)；和等离子形成用电极(36)，系被设置在前述密闭空间内；和内部导体(21)，系从处理腔(10)之外部来通过被形成于处理腔(10)处的开口(13h)而朝向等离子形成用电极(36)而延伸存在；和外部导体(22、13)，系包围内部导体(21)之周围，而在其与内部导体(21)之间区划出空隙(23)，并且区划出前述开口(13h)；和密封构件(60)，系被与内部导体(12)以及外部导体(22、13)作连接，并用以将空隙(23)区隔为大气侧之空间和与密闭空间(11)相通连之空间，且由绝缘体所形成；和放电防止用绝缘体(100)，系将空隙(23)中之相对于密封构件(60)而被形成于密闭空间(11)侧处之空间作填埋。