公开(公告)号：TW201814831A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106101278

申请日：2017-01-13

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳正一 ,  WU, CHENG YI ,  朱立軒 ,  CHU, LI HSUAN ,  溫慶文 ,  WEN, CHING WEN ,  洪家駿 ,  HUNG, CHIA CHUN ,  張振涼 ,  CHANG, CHEN LIANG ,  李錦思 ,  LEE, CHIN SZU ,  劉响

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

摘要： 本揭露是關於半導體的製造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金屬或該第一金屬之氧化物之第一表面的元件。本方法更包含沉積具有矽(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介電層於第一表面之上，使得介電層接近第一表面之第一部分，相較於較第一部分更遠離第一表面之介電層之第二部分，具有較高的氮及碳濃度。本方法更再包含形成導電特徵於介電層之上。此種介電層會使導電特徵及第一金屬或第一金屬之氧化物之間互相電性絕緣。

简体摘要： 本揭露是关于半导体的制造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金属或该第一金属之氧化物之第一表面的组件。本方法更包含沉积具有硅(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介电层于第一表面之上，使得介电层接近第一表面之第一部分，相较于较第一部分更远离第一表面之介电层之第二部分，具有较高的氮及碳浓度。本方法更再包含形成导电特征于介电层之上。此种介电层会使导电特征及第一金属或第一金属之氧化物之间互相电性绝缘。

公开(公告)号：TW201812836A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106121797

申请日：2017-06-29

申请人： ASM智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

发明人： 朱馳宇 ,  ZHU, CHIYU

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76832

摘要： 揭示的是沉積膜以在半導體裝置裡形成氣隙的方法。範例性方法包括將金屬鹵化物前驅物脈衝化到基板上，並且將氧前驅物脈衝化到選擇性沉積表面上。本方法可以用來形成氣隙，舉例而言以減少半導體裝置的寄生電阻。

简体摘要： 揭示的是沉积膜以在半导体设备里形成气隙的方法。范例性方法包括将金属卤化物前驱物脉冲化到基板上，并且将氧前驱物脉冲化到选择性沉积表面上。本方法可以用来形成气隙，举例而言以减少半导体设备的寄生电阻。

公开(公告)号：TW201812834A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106121182

申请日：2017-06-26

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 史密斯 大衛 查爾斯 ,  SMITH, DAVID CHARLES ,  威茲 理查 ,  WISE, RICHARD ,  馬侯羅瓦拉 阿爾潘 ,  MAHOROWALA, ARPAN ,  凡 克林帕 派崔克 A ,  VAN CLEEMPUT, PATRICK A. ,  凡 史貴凡迪 巴頓 J ,  VAN SCHRAVENDIJK, BART J.

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/0332 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069

摘要： 薄的錫氧化物膜係在半導體元件製造中用作間隔件。在一實施方式中，薄的錫氧化物膜係保形地沉積至一半導體基板之上，該半導體基板具有第一材料（例如矽氧化物或矽氮化物）之曝露層及包含第二材料（例如矽或碳）的複數突出特徵部。舉例而言，10-100 nm厚的錫氧化物層可使用原子層沉積加以沉積。接著，錫氧化物膜係自水平表面加以移除而沒有自突出特徵部的側壁完全移除。接著，突出特徵部的材料係被蝕刻掉，在基板上留下錫氧化物間隔件。此係接著蝕刻第一材料之未受保護的部分而沒有移除間隔件。接著，底層係加以蝕刻，及間隔件係加以移除。含錫顆粒可藉由被轉變成揮發性的錫氫化物而自處理腔室加以移除。

简体摘要： 薄的锡氧化物膜系在半导体组件制造中用作间隔件。在一实施方式中，薄的锡氧化物膜系保形地沉积至一半导体基板之上，该半导体基板具有第一材料（例如硅氧化物或硅氮化物）之曝露层及包含第二材料（例如硅或碳）的复数突出特征部。举例而言，10-100 nm厚的锡氧化物层可使用原子层沉积加以沉积。接着，锡氧化物膜系自水平表面加以移除而没有自突出特征部的侧壁完全移除。接着，突出特征部的材料系被蚀刻掉，在基板上留下锡氧化物间隔件。此系接着蚀刻第一材料之未受保护的部分而没有移除间隔件。接着，底层系加以蚀刻，及间隔件系加以移除。含锡颗粒可借由被转变成挥发性的锡氢化物而自处理腔室加以移除。

公开(公告)号：TW201812082A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106123739

申请日：2017-07-17

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 巴爾達塞羅尼 克洛伊 ,  BALDASSERONI, CHLOE ,  明歇爾 愛德蒙 B ,  MINSHALL, EDMUND B. ,  帕斯果 法蘭克L ,  PASQUALE, FRANK L. ,  史旺明內森 珊卡 ,  SWAMINATHAN, SHANKAR ,  謙德拉瑟哈蘭 拉密許 ,  CHANDRASEKHARAN, RAMESH

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/6875 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771

摘要： 一種在膜沉積期間減少晶圓滑動的方法，包含在晶圓係在升降銷或承載環上加以支撐的同時汞抽處理腔室，及在膜沉積期間將晶圓降低在配置成最小化晶圓滑動的支座構件上。多工作站式處理腔室（諸如用於原子層沉積的處理腔室）可包含在具有晶圓支座之各工作站的無夾頭基座，該等晶圓支座係配置成防止晶圓移動偏離中心超過400微米。為了使晶圓下方的氣墊最小化，晶圓支座可在晶圓的背側及該基座之面向晶圓的表面之間提供至少2密耳的間隙。

简体摘要： 一种在膜沉积期间减少晶圆滑动的方法，包含在晶圆系在升降销或承载环上加以支撑的同时汞抽处理腔室，及在膜沉积期间将晶圆降低在配置成最小化晶圆滑动的支座构件上。多任务作站式处理腔室（诸如用于原子层沉积的处理腔室）可包含在具有晶圆支座之各工作站的无夹头基座，该等晶圆支座系配置成防止晶圆移动偏离中心超过400微米。为了使晶圆下方的气垫最小化，晶圆支座可在晶圆的背侧及该基座之面向晶圆的表面之间提供至少2密耳的间隙。

公开(公告)号：TWI618813B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105120570

申请日：2016-06-29

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 八幡橘 ,  YAHATA, TAKASHI ,  高野智 ,  TAKANO, SATOSHI ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TW201806081A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106115573

申请日：2017-05-11

申请人： ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

发明人： 李忠滿 ,  LEE, CHOONG MAN ,  劉龍珉 ,  YOO, YONG MIN ,  金永宰 ,  KIM, YOUNG JAE ,  千承珠 ,  CHUN, SEUNG JU ,  金仙子 ,  KIM, SUN JA

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

摘要： 一種半導體製造方法，包含：沉積低介電常數介電層、在所述低介電常數介電層中形成溝槽、在所述溝槽中形成障壁層、在所述障壁層上填充金屬、使所述金屬平坦化和在經平坦化的所述金屬上形成罩蓋層，其中所述罩蓋層包含至少兩個層。

简体摘要： 一种半导体制造方法，包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成障壁层、在所述障壁层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。

公开(公告)号：TWI614261B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW103121781

申请日：2014-06-24

申请人： 慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  史賓西 丹尼爾 P ,  SPENCE, DANIEL P.

IPC分类号： C07F7/10 ,  C07F7/21 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31

CPC分类号： C07F7/21 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：TWI613315B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106105634

申请日：2017-02-20

申请人： 精微超科技公司 ,  ULTRATECH, INC.

发明人： 舒華 馬克 ,  SOWA, MARK J. ,  柏拓契 亞當 ,  BERTUCH, ADAM ,  芭提亞 瑞維克 ,  BHATIA, RITWIK

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TWI612175B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW104129463

申请日：2015-09-07

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 三浦繁博 ,  MIURA, SHIGEHIRO ,  佐藤潤 ,  SATO, JUN

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/0234 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

公开(公告)号：TWI610421B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105116272

申请日：2013-06-13

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 賀菲斯 瓦力德 ,  HAFEZ, WALID M. ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA D. ,  蔡 柯堤斯 ,  TSAI, CURTIS ,  朴朱東 ,  PARK, JOODONG ,  簡嘉弘 ,  JAN, CHIA-HONG ,  哈瑪撒帝 古賓納 ,  BHIMARASETTI, GOPINATH

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/845 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6681