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    透過邊緣局部的離子軌跡控制與電漿操作之極限邊緣鞘及晶圓輪廓調整
    6.
    发明专利
    透過邊緣局部的離子軌跡控制與電漿操作之極限邊緣鞘及晶圓輪廓調整 审中-公开
    透过边缘局部的离子轨迹控制与等离子操作之极限边缘鞘及晶圆轮廓调整

    公开(公告)号：TW201705266A

    公开(公告)日：2017-02-01

    申请号：TW105107509

    申请日：2016-03-11

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 斯里拉曼 沙拉維納布里恩 ,  SRIRAMAN, SARAVANAPRIYAN ,  派特森 亞歷山大 ,  PATERSON, ALEXANDER ,  坎伯 湯瑪士 ,  KAMP, THOMAS

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67

    CPC分类号： H01J37/32697 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715

    摘要： 提供一種用於電漿處理腔室的邊緣環組件，其包含：配置成環繞一靜電夾頭（ESC）的一邊緣環，該靜電夾頭係配置成電連接至一第一RF電源供應器，該ESC具有用於支撐一基板的一頂部表面、及環繞該頂部表面的一環形階，該環形階定義低於該頂部表面的一環形架；一環形電極，其在該環形階內的該邊緣環下方及該環形架上方加以設置；一介電環，其設置在該環形電極下方，用於將該環形電極與該ESC隔離，該介電環係在該環形階內位在該環形架上方；及複數絕緣的連接器，其係設置成通過該ESC且通過該介電環，該複數絕緣的連接器之每一者在一第二RF電源供應器及該環形電極之間提供電連接。

    简体摘要： 提供一种用于等离子处理腔室的边缘环组件，其包含：配置成环绕一静电夹头（ESC）的一边缘环，该静电夹头系配置成电连接至一第一RF电源供应器，该ESC具有用于支撑一基板的一顶部表面、及环绕该顶部表面的一环形阶，该环形阶定义低于该顶部表面的一环形架；一环形电极，其在该环形阶内的该边缘环下方及该环形架上方加以设置；一介电环，其设置在该环形电极下方，用于将该环形电极与该ESC隔离，该介电环系在该环形阶内位在该环形架上方；及复数绝缘的连接器，其系设置成通过该ESC且通过该介电环，该复数绝缘的连接器之每一者在一第二RF电源供应器及该环形电极之间提供电连接。

    用於離子束蝕刻的離子注射器電極組件
    9.
    发明专利
    用於離子束蝕刻的離子注射器電極組件 审中-公开
    用于离子束蚀刻的离子注射器电极组件

    公开(公告)号：TW201626482A

    公开(公告)日：2016-07-16

    申请号：TW104128248

    申请日：2015-08-28

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 貝里三世 伊凡 L ,  BERRY III, IVAN L. ,  立爾 托爾斯滕 ,  LILL, THORSTEN

    IPC分类号： H01L21/67 ,  C25B11/00

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32596 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/3065

    摘要： 文中的實施例係關於在半導體基板上進行離子蝕刻的複數方法與設備以及此類設備的形成方法。在某些實施例中，可製造一電極組件，此電極組件包含具有不同用途的複數電極，每一電極係以機械穩定方法固定至下一電極。在該些電極固定在一起後，可在每一該電極中形成複數孔口，藉此確保相鄰電極之間的該複數孔口準確對準。在某些情況中，該些電極係自退化摻雜矽所製成且該電極組件係經由靜電接合在一起。亦可使用其他電極材料及固定方法。在某些情況中該電極組件可包含一中空陰極射極電極，該中空陰極射極電極可具有截頭圓錐或其他非圓筒形之孔口形狀。在某些情況中亦可存在腔室襯墊及/或反射器。

    简体摘要： 文中的实施例系关于在半导体基板上进行离子蚀刻的复数方法与设备以及此类设备的形成方法。在某些实施例中，可制造一电极组件，此电极组件包含具有不同用途的复数电极，每一电极系以机械稳定方法固定至下一电极。在该些电极固定在一起后，可在每一该电极中形成复数孔口，借此确保相邻电极之间的该复数孔口准确对准。在某些情况中，该些电极系自退化掺杂硅所制成且该电极组件系经由静电接合在一起。亦可使用其他电极材料及固定方法。在某些情况中该电极组件可包含一中空阴极射极电极，该中空阴极射极电极可具有截头圆锥或其他非圆筒形之孔口形状。在某些情况中亦可存在腔室衬垫及/或反射器。

    具有傾斜之側邊的靜電夾盤
    10.
    发明专利
    具有傾斜之側邊的靜電夾盤 审中-公开
    具有倾斜之侧边的静电夹盘

    公开(公告)号：TW201622061A

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：TW105108050

    申请日：2010-11-26

    申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

    发明人： 漢沙羅金德 ,  DHINDSA,RAJINDER ,  曼基迪普瑞提克 ,  MANKIDY,PRATIK ,  肯伯克利斯 ,  KIMBALL,CHRIS

    IPC分类号： H01L21/683

    CPC分类号： H01L21/6831 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/68735

    摘要： 一種用於電漿處理腔室的基板支架在其上部周邊具有一傾斜側邊。該基板支架由位在基板之下的一邊緣環圍繞，在電漿處理期間，該基板係支撐在該基板支架的上基板支撐表面上。該傾斜側邊是在電漿處理期間，該基板支架上唯一會暴露並遭逢副產物沉積物的表面。在現場腔室清洗製程期間，該傾斜側邊強化該副產物沉積物的濺鍍率，而在該現場清洗製程期間，供應至該腔室的清洗氣體被激發成電漿狀態以清洗該副產物沉積物。

    简体摘要： 一种用于等离子处理腔室的基板支架在其上部周边具有一倾斜侧边。该基板支架由位在基板之下的一边缘环围绕，在等离子处理期间，该基板系支撑在该基板支架的上基板支撑表面上。该倾斜侧边是在等离子处理期间，该基板支架上唯一会暴露并遭逢副产物沉积物的表面。在现场腔室清洗制程期间，该倾斜侧边强化该副产物沉积物的溅镀率，而在该现场清洗制程期间，供应至该腔室的清洗气体被激发成等离子状态以清洗该副产物沉积物。