利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

257 条记录 (耗时 0.032 秒)

    半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式
    1.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式 审中-公开
    半导体设备的制造方法、基板处理设备及进程

    公开(公告)号：TW201812906A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW106117415

    申请日：2017-05-25

    申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

    发明人： 竹田剛 ,  TAKEDA, TSUYOSHI

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/324 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H05H1/46

    CPC分类号： H01J37/32137 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/68742

    摘要： 本發明的課題是可抑制電漿所給予的影響。 其解決手段是具有：處理室，其係處理基板；基板支撐部，其係支撐基板；氣體供給部，其係經由緩衝室來供給氣體至基板；電極，其係設在緩衝室的下游，形成與緩衝室連通的氣體流路；絕緣部，其係設在電極的下游，具有與氣體流路鄰接的第1孔；分散部，其係設在絕緣部的下游，與第1孔鄰接，且和氣體流路連通，具有複數個具有電漿產生領域的第2孔；電力供給部，其係被連接至電極；及控制部，其係控制氣體供給部及電力供給部，而使能夠對絕緣部的下游側，亦即電漿產生領域供給電力，在該電漿產生領域產生氣體的電漿。

    简体摘要： 本发明的课题是可抑制等离子所给予的影响。 其解决手段是具有：处理室，其系处理基板；基板支撑部，其系支撑基板；气体供给部，其系经由缓冲室来供给气体至基板；电极，其系设在缓冲室的下游，形成与缓冲室连通的气体流路；绝缘部，其系设在电极的下游，具有与气体流路邻接的第1孔；分散部，其系设在绝缘部的下游，与第1孔邻接，且和气体流路连通，具有复数个具有等离子产生领域的第2孔；电力供给部，其系被连接至电极；及控制部，其系控制气体供给部及电力供给部，而使能够对绝缘部的下游侧，亦即等离子产生领域供给电力，在该等离子产生领域产生气体的等离子。

    基板處理方法
    4.
    发明专利
    基板處理方法 审中-公开
    基板处理方法

    公开(公告)号：TW201743662A

    公开(公告)日：2017-12-16

    申请号：TW106116823

    申请日：2017-05-22

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 加藤隆彥 ,  KATO, TAKAHIKO ,  陳韋廷 ,  CHEN, WEITING

    IPC分类号： H05H1/46 ,  B01J19/08 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6833

    摘要： 本發明之課題係縮短置換氣體之時間。 藉本發明之基板處理方法而解決上述課題，該基板處理方法係基板處理裝置之基板處理方法，該基板處理裝置包含有在處理容器內將氣體供至基板而進行既定之處理之處理空間及與該處理空間連通並具有比該處理空間之壓力小既定比例的壓力之排氣空間，該基板處理方法包含有第1製程及第2製程，該第1製程將第1氣體供至該基板；該第2製程於該第1製程後，將異於該第1氣體之第2氣體供至該基板；當令從該基板之端部至該處理空間與該排氣空間之交界的距離為L、與該第2氣體之氣流垂直的空間截面積為S(x)、該第2氣體之供給流量為Q、該處理空間之壓力為P、該第1氣體對該第2氣體之擴散係數為D時，將在該第2製程中從該基板的端部至該處理空間與該排氣空間之交界的距離L、與該第2氣體之氣流垂直的空間截面積S(x)及該第2氣體之供給流量Q中至少任一者調整成以下述算式(3)算出之佩克萊數Pe大於1。 [數3]

    简体摘要： 本发明之课题系缩短置换气体之时间。 藉本发明之基板处理方法而解决上述课题，该基板处理方法系基板处理设备之基板处理方法，该基板处理设备包含有在处理容器内将气体供至基板而进行既定之处理之处理空间及与该处理空间连通并具有比该处理空间之压力小既定比例的压力之排气空间，该基板处理方法包含有第1制程及第2制程，该第1制程将第1气体供至该基板；该第2制程于该第1制程后，将异于该第1气体之第2气体供至该基板；当令从该基板之端部至该处理空间与该排气空间之交界的距离为L、与该第2气体之气流垂直的空间截面积为S(x)、该第2气体之供给流量为Q、该处理空间之压力为P、该第1气体对该第2气体之扩散系数为D时，将在该第2制程中从该基板的端部至该处理空间与该排气空间之交界的距离L、与该第2气体之气流垂直的空间截面积S(x)及该第2气体之供给流量Q中至少任一者调整成以下述算式(3)算出之佩克莱数Pe大于1。 [数3]

    基板處理裝置
    5.
    发明专利
    基板處理裝置 审中-公开
    基板处理设备

    公开(公告)号：TW201737389A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW106101487

    申请日：2017-01-17

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 松浦伸 ,  MATSUURA, SHIN

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065

    CPC分类号： H01J37/32715 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32807 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719

    摘要： 本發明之課題在於提高製程之產能。 本發明之基板處理裝置10具備腔室1、載置台2、台座100、排氣口83、及積存物捕集部件20。載置台2設於腔室1內，載置半導體晶圓W。台座100自下方支持載置台2。排氣口83配置於台座100之下方。積存物捕集部件20設於台座100之下表面，收集腔室1內之積存物。

    简体摘要： 本发明之课题在于提高制程之产能。 本发明之基板处理设备10具备腔室1、载置台2、台座100、排气口83、及积存物捕集部件20。载置台2设于腔室1内，载置半导体晶圆W。台座100自下方支持载置台2。排气口83配置于台座100之下方。积存物捕集部件20设于台座100之下表面，收集腔室1内之积存物。

    處理裝置及處理方法、以及氣體簇產生裝置及產生方法
    8.
    发明专利
    處理裝置及處理方法、以及氣體簇產生裝置及產生方法 审中-公开
    处理设备及处理方法、以及气体簇产生设备及产生方法

    公开(公告)号：TW201709304A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW105109623

    申请日：2016-03-28

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 土橋和也 ,  DOBASHI, KAZUYA ,  輿水地鹽 ,  KOSHIMIZU, CHISHIO

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H05H1/26 ,  H05H1/46

    CPC分类号： B08B7/0035 ,  B08B5/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67034

    摘要： 不會使得裝置構成複雜化及大型化，且不會讓氣體簇的量不夠充足，並不產生殘渣等地進行使用氣體簇之處理。 具備有：處理容器，係配置有被處理體，且保持為真空；排氣機構，係將處理容器內排氣；氣體供給部，係用以供給含有生成氣體簇用之簇生成氣體的氣體；簇噴嘴，係設置於處理容器內，並在其內部讓氣體供給部所供給之簇生成氣體絕熱膨脹，以生成氣體簇，而將含有所生成之氣體簇的氣體成分噴射至處理容器內；以及電漿生成機構，係在簇噴嘴部分生成電漿；藉由簇噴嘴部分所生成的電漿來將氣體簇離子化，而將離子化之氣體簇從簇噴嘴噴射，而照射至被處理體，以進行既定處理。

    简体摘要： 不会使得设备构成复杂化及大型化，且不会让气体簇的量不够充足，并不产生残渣等地进行使用气体簇之处理。 具备有：处理容器，系配置有被处理体，且保持为真空；排气机构，系将处理容器内排气；气体供给部，系用以供给含有生成气体簇用之簇生成气体的气体；簇喷嘴，系设置于处理容器内，并在其内部让气体供给部所供给之簇生成气体绝热膨胀，以生成气体簇，而将含有所生成之气体簇的气体成分喷射至处理容器内；以及等离子生成机构，系在簇喷嘴部分生成等离子；借由簇喷嘴部分所生成的等离子来将气体簇离子化，而将离子化之气体簇从簇喷嘴喷射，而照射至被处理体，以进行既定处理。