公开(公告)号：TWI618136B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW103131240

申请日：2014-09-10

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 古川孝弘 ,  FURUKAWA, TAKAHIRO ,  二俣雄亮 ,  FUTAMATA, YUSUKE ,  佐藤秀明 ,  SATO, HIDEAKI ,  原大海 ,  HARA, HIROMI ,  河津貴裕 ,  KAWAZU, TAKAHIRO ,  鹽川俊行 ,  SHIOKAWA, TOSHIYUKI ,  佐藤尊三 ,  SATOH, TAKAMI

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67086

公开(公告)号：TW201703131A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105109198

申请日：2016-03-24

申请人： RCT解決方案有限公司 ,  RCT SOLUTIONS GMBH

发明人： 費斯 彼得 ,  FATH, PETER ,  凱樂 史帝芬 ,  KELLER, STEFFEN ,  梅林克 伊賀爾 ,  MELNYK, IHOR

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6776

摘要： 一種用於化學處理半導體基材的裝置具有預處理裝置，該預處理裝置在該半導體基材的傳輸方向上設置在第一塗敷裝置和第二塗敷裝置之前。該預處理裝置用於在該半導體基材上生成環繞的限定區域，使得之後借助該第一塗敷裝置所施加的保護流體被限定並被保持於基材上側上。由此避免了在之後的第二塗敷裝置中該保護流體對處理流體的污染，由此該裝置以簡單的方式具有高的經濟性。

简体摘要： 一种用于化学处理半导体基材的设备具有预处理设备，该预处理设备在该半导体基材的传输方向上设置在第一涂敷设备和第二涂敷设备之前。该预处理设备用于在该半导体基材上生成环绕的限定区域，使得之后借助该第一涂敷设备所施加的保护流体被限定并被保持于基材上侧上。由此避免了在之后的第二涂敷设备中该保护流体对处理流体的污染，由此该设备以简单的方式具有高的经济性。

公开(公告)号：TW201633427A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW105117461

申请日：2014-12-31

申请人： 無錫華瑛微電子技術有限公司 ,  WUXI HUAYING MICROELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 溫 子瑛 ,  WEN, SOPHIA ZIYING

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67253

摘要： 本發明提供半導體晶圓清潔設備。在一方面，一半導體晶圓清潔設備可包括一第一支撐單元、具有一第一腔室之一可移動單元、具有一第二腔室之一第二支撐單元及一第三支撐單元。當使該第一腔室與該第二腔室接觸時，形成其中處理該半導體晶圓之一微處理腔室。該等支撐單元之各者藉由一對應支撐板支撐，且各支撐板藉由其周邊上之複數個支撐桿定位及加強。此設計將防止該等支撐板變形，減少由因該微處理腔室之打開或閉合所致之零件摩擦產生之顆粒，且允許此等單元之容易對準。

简体摘要： 本发明提供半导体晶圆清洁设备。在一方面，一半导体晶圆清洁设备可包括一第一支撑单元、具有一第一腔室之一可移动单元、具有一第二腔室之一第二支撑单元及一第三支撑单元。当使该第一腔室与该第二腔室接触时，形成其中处理该半导体晶圆之一微处理腔室。该等支撑单元之各者借由一对应支撑板支撑，且各支撑板借由其周边上之复数个支撑杆定位及加强。此设计将防止该等支撑板变形，减少由因该微处理腔室之打开或闭合所致之零件摩擦产生之颗粒，且允许此等单元之容易对准。

公开(公告)号：TW201631643A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104138875

申请日：2015-11-24

申请人： 雷納有限公司 ,  RENA GMBH

发明人： 魏澤 卡特琳 ,  WEISE, KATRIN ,  桑德 貝恩德烏韋 ,  SANDER, BERND-UWE ,  凱塞爾 斯蒂芬 ,  QUEISSER, STEFFEN

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67706 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/00

摘要： 本發明係關於一種具處理介質（70）的平面基板（10）底面處理之方法，包括：該基板的底面（14）被賦予疏水性；在該基板（10）的頂面（15）形成一保護液膜（66）；以及該處理介質（70）與基板（10）的底面（14）形成接觸，其中該頂面（15）藉由該保護液膜（66）而免受該處理介質（70）的影響及避免從處理介質排出的氣體的影響。

简体摘要： 本发明系关于一种具处理介质（70）的平面基板（10）底面处理之方法，包括：该基板的底面（14）被赋予疏水性；在该基板（10）的顶面（15）形成一保护液膜（66）；以及该处理介质（70）与基板（10）的底面（14）形成接触，其中该顶面（15）借由该保护液膜（66）而免受该处理介质（70）的影响及避免从处理介质排出的气体的影响。

公开(公告)号：TWI534885B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW103133439

申请日：2014-09-25

申请人： 芝浦機械電子裝置股份有限公司 ,  SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION

发明人： 金井隆宏 ,  KANAI, TAKAHIRO ,  松井繪美 ,  MATSUI, EMI ,  林航之介 ,  HAYASHI, KONOSUKE

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02079 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/68728

公开(公告)号：TWI505350B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：TW101111457

申请日：2012-03-30

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 布朗 意恩J ,  BROWN, IAN J. ,  普林茲 華勒斯P ,  PRINTZ, WALLACE P.

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31111 ,  C09K13/04 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

公开(公告)号：TW201539563A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104111414

申请日：2015-04-09

申请人： 世創電子材料公司 ,  SILTRONIC AG

发明人： 庫史坦特 艾柏特 ,  愛德邁爾 渥特 ,  EDMAIER, WALTER ,  赫爾 喬治 佛萊德里奇 ,  HOHL, GEORG-FRIEDRICH

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67086

摘要： 一種用於乾燥被浸入液體內的晶圓基材的方法和用於實施該方法的晶圓夾持器。該方法包含：將該基材夾持在一伸長的晶圓夾持器的楔形邊緣上，該基材係立在該晶圓夾持器上；將該基材和該晶圓夾持器的楔形邊緣從該液體轉移到一含有蒸氣的氣體空間，該蒸氣不會凝結在該基材上並且該蒸氣降低了黏附至該基材的液體殘留物的表面張力，其中係透過該晶圓夾持器的楔形邊緣中間的溝(slot)來去除該晶圓基材與該晶圓夾持器之間的液體殘留物。

简体摘要： 一种用于干燥被浸入液体内的晶圆基材的方法和用于实施该方法的晶圆夹持器。该方法包含：将该基材夹持在一伸长的晶圆夹持器的楔形边缘上，该基材系立在该晶圆夹持器上；将该基材和该晶圆夹持器的楔形边缘从该液体转移到一含有蒸气的气体空间，该蒸气不会凝结在该基材上并且该蒸气降低了黏附至该基材的液体残留物的表面张力，其中系透过该晶圆夹持器的楔形边缘中间的沟(slot)来去除该晶圆基材与该晶圆夹持器之间的液体残留物。

公开(公告)号：TW201502315A

公开(公告)日：2015-01-16

申请号：TW103123122

申请日：2014-07-04

申请人： 荏原製作所股份有限公司 ,  EBARA CORPORATION

发明人： 中川洋一 ,  NAKAGAWA, YOICHI ,  向山佳孝 ,  MUKAIYAMA, YOSHITAKA ,  山川純逸 ,  YAMAKAWA, JUNITSU

IPC分类号： C23C18/16 ,  H01L21/208

CPC分类号： C23C18/1632 ,  C23C18/1619 ,  C23F1/08 ,  C25D17/001 ,  C25D17/06 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67757

摘要： 本發明之濕式處理裝置具備基板保持器輸送機構50，其係在使基板W浸漬於處理液中的狀態下使基板保持器42移動。基板保持器輸送機構50使活動支撐台52上昇，並舉起基板保持器42直至基板保持器42從固定支撐台59離開止，使活動支撐台52與基板保持器42一起朝向保持器取出位置OUT移動指定距離程度，降下活動支撐台52直至基板保持器42支撐於固定支撐台59上，並且活動支撐台52從基板保持器42離開止，使活動支撐台52朝向保持器投入位置IN移動指定距離程度。

简体摘要： 本发明之湿式处理设备具备基板保持器输送机构50，其系在使基板W浸渍于处理液中的状态下使基板保持器42移动。基板保持器输送机构50使活动支撑台52上升，并举起基板保持器42直至基板保持器42从固定支撑台59离开止，使活动支撑台52与基板保持器42一起朝向保持器取出位置OUT移动指定距离程度，降下活动支撑台52直至基板保持器42支撑于固定支撑台59上，并且活动支撑台52从基板保持器42离开止，使活动支撑台52朝向保持器投入位置IN移动指定距离程度。

公开(公告)号：TWI426558B

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：TW099122643

申请日：2010-07-09

申请人： 雷納有限公司 ,  RENA GMBH

发明人： 德拉哈耶 法蘭克 ,  DELAHAYE, FRANCK ,  維弗令浩斯 艾克哈德 ,  WEFRINGHAUS, ECKHARD ,  索勒 沃納 ,  SAULE, WERNER ,  圭賽爾 斯特芬 ,  QUEISSER, STEFFEN

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67069 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201351540A

公开(公告)日：2013-12-16

申请号：TW102113561

申请日：2013-04-16

申请人： 動態微型系統公司 ,  DYNAMIC MICRO SYSTEMS

发明人： 瑞布斯托克 盧茲 ,  REBSTOCK, LUTZ

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67313 ,  A47J47/20 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086

摘要： 本案之基板載具可以有排水區以引導液體離開基板，如此一來，液體水滴可以被分流離開基板區。排水區可以包含傾斜線以及表面，藉以將基板上的液體向地面流去。載具可以進一步有排水區，以引導液體到載具的一端，然後可以被分流到地面，而不用隨意掉落到地面。

简体摘要： 本案之基板载具可以有排水区以引导液体离开基板，如此一来，液体水滴可以被分流离开基板区。排水区可以包含倾斜线以及表面，借以将基板上的液体向地面流去。载具可以进一步有排水区，以引导液体到载具的一端，然后可以被分流到地面，而不用随意掉落到地面。