公开(公告)号：TW201743370A

公开(公告)日：2017-12-16

申请号：TW106110505

申请日：2017-03-29

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 梁 其翔 ,  LIANG, VICTOR CHIANG ,  黃崎峰 ,  HUANG, CHI-FENG ,  蔡輔桓 ,  TSAI, FU-HUAN ,  郭舫廷 ,  KUO, FANG-TING ,  何孟昌 ,  HO, MENG-CHANG ,  魏佑霖 ,  WEI, YU-LIN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/66174 ,  H01L29/93

摘要： 一種低雜訊裝置包括隔離特徵，所述隔離特徵位於基底中。所述低雜訊裝置進一步包括閘極堆疊，所述閘極堆疊位於所述基底中的通道的上方。所述閘極堆疊包括閘極介電層以及閘極電極，所述閘極介電層延伸於所述隔離特徵的一部分的上方，所述閘極電極位於所述閘極介電層的上方。所述低雜訊裝置進一步包括電荷陷獲減少結構，所述電荷陷獲減少結構相鄰於所述隔離特徵。所述電荷陷獲減少結構被配置用以減少與所述隔離特徵與所述通道之間的介面相鄰的電荷載子的數目。

简体摘要： 一种低噪声设备包括隔离特征，所述隔离特征位于基底中。所述低噪声设备进一步包括闸极堆栈，所述闸极堆栈位于所述基底中的信道的上方。所述闸极堆栈包括闸极介电层以及闸极电极，所述闸极介电层延伸于所述隔离特征的一部分的上方，所述闸极电极位于所述闸极介电层的上方。所述低噪声设备进一步包括电荷陷获减少结构，所述电荷陷获减少结构相邻于所述隔离特征。所述电荷陷获减少结构被配置用以减少与所述隔离特征与所述信道之间的界面相邻的电荷载子的数目。

公开(公告)号：TW201618311A

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：TW104116074

申请日：2015-05-20

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 鮑格薩 席維歐 ,  BOU-GHAZALE, SILVIO E. ,  艾爾沙 拉尼 ,  ELSAYED, RANY T. ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0733 ,  H01L28/88 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 電晶體組合件、積體電路裝置、及相關的方法之各種實施例在此予以揭示。在某些實施例中，電晶體組合件可包括基底層，電晶體被配置於此基底層中；第一金屬層；以及第二金屬層，被配置於此基底層與此第一金屬層之間。此電晶體組合件還可包括電容器，此電容器包括含有通道於其中的導電材料薄片，此電容器被配置於此基底層或此第二金屬層中，且被耦接至此電晶體的供電線。其他實施例可予以揭示及/或主張。

简体摘要： 晶体管组合件、集成电路设备、及相关的方法之各种实施例在此予以揭示。在某些实施例中，晶体管组合件可包括基底层，晶体管被配置于此基底层中；第一金属层；以及第二金属层，被配置于此基底层与此第一金属层之间。此晶体管组合件还可包括电容器，此电容器包括含有信道于其中的导电材料薄片，此电容器被配置于此基底层或此第二金属层中，且被耦接至此晶体管的供电线。其他实施例可予以揭示及/或主张。

公开(公告)号：TW201241966A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW101107165

申请日：2012-03-03

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司

发明人： 米田誠一

IPC分类号： H01L ,  G11C

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H02J50/12 ,  H03C2200/0029 ,  H03H7/1741 ,  H03J1/00 ,  H03J3/10 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明的一個方式的目的之一是容易設定諧振頻率。本發明的一個方式是一種半導體裝置,包括:具有線圈的功能的天線;以並聯連接的方式與天線電連接的電容元件;藉由以並聯連接的方式與天線及電容元件電連接,與天線及電容元件一起構成諧振電路的被動元件;控制是否以並聯連接的方式將被動元件與天線及電容元件電連接的第一場效應電晶體;以及儲存電路,其中,儲存電路包括具有形成通道的氧化物半導體層,對源極和汲極中的一方輸入資料信號,且根據源極和汲極中的另一方的電壓設定第一場效應電晶體的閘極的電壓的第二場效應電晶體。

简体摘要： 本发明的一个方式的目的之一是容易设置谐振频率。本发明的一个方式是一种半导体设备,包括:具有线圈的功能的天线;以并联连接的方式与天线电连接的电容组件;借由以并联连接的方式与天线及电容组件电连接,与天线及电容组件一起构成谐振电路的被动组件;控制是否以并联连接的方式将被动组件与天线及电容组件电连接的第一场效应晶体管;以及存储电路,其中,存储电路包括具有形成信道的氧化物半导体层,对源极和汲极中的一方输入数据信号,且根据源极和汲极中的另一方的电压设置第一场效应晶体管的闸极的电压的第二场效应晶体管。

公开(公告)号：TW201724524A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105139730

申请日：2016-12-01

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 亞達佛 尤格達拉 ,  YADAV, YOGENDRA ,  陳吉智 ,  CHEN, CHI-CHIH ,  柳瑞興 ,  LIU, RUEY-HSIN ,  姚智文 ,  YAO, CHIH-WEN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7823 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/512 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

摘要： 係提供一種半導體裝置及製造其之方法。該半導體裝置包含一基板、一源極區、一汲極區、一場板、以及一閘電極。該源極區具一第一傳導性類型且位在該基板內的一第一側。該汲極區具該第一傳導性類型且位在與該第一側相對之該基板內的一第二側。該場板位在該基板上方且在該源極區與該汲極區之間。該閘電極的一部份位在該場板上方。

简体摘要： 系提供一种半导体设备及制造其之方法。该半导体设备包含一基板、一源极区、一汲极区、一场板、以及一闸电极。该源极区具一第一传导性类型且位在该基板内的一第一侧。该汲极区具该第一传导性类型且位在与该第一侧相对之该基板内的一第二侧。该场板位在该基板上方且在该源极区与该汲极区之间。该闸电极的一部份位在该场板上方。

公开(公告)号：TW201427020A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：TW102145498

申请日：2013-12-11

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 李介文 ,  LEE, JAM WEM ,  張伊鋒 ,  CHANG, YI FENG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/0733 ,  H01L27/0805 ,  H01L29/785 ,  Y10T29/41

摘要： 本發明提供了由鰭型場效電晶體所形成之一種去耦合電容及其使用方法。去耦合電容之一實施例包括：一鰭型場效電晶體，具有支撐設置於數個隔離區之間之一鰭狀物之一半導體基板、一源極與一汲極；一第一端點，耦接於該半導體基板與該閘堆疊物，該第一端點係配置以耦接一第一電源線；以及一第二端點，耦接於該源極與該汲極，該第二端點係配置以耦接具有高於該第一電壓源之一電壓之一第二電源線。

简体摘要： 本发明提供了由鳍型场效应管所形成之一种去耦合电容及其使用方法。去耦合电容之一实施例包括：一鳍型场效应管，具有支撑设置于数个隔离区之间之一鳍状物之一半导体基板、一源极与一汲极；一第一端点，耦接于该半导体基板与该闸堆栈物，该第一端点系配置以耦接一第一电源线；以及一第二端点，耦接于该源极与该汲极，该第二端点系配置以耦接具有高于该第一电压源之一电压之一第二电源线。

公开(公告)号：TW201413977A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102127117

申请日：2013-07-29

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 作為具有驅動電路的半導體裝置提供一種孔徑比高且具有增大了電荷容量的電容元件的耗電量得到降低的半導體裝置。本發明的一個方式是一種半導體裝置，其包括：包括與半導體膜重疊地在該半導體膜的上方及下方具有閘極電極的第一電晶體的驅動電路；包括具有半導體膜的第二電晶體的像素；設置於該像素中的在一對電極間設置有介電膜的電容元件；以及，與該一對電極中的一個電極電連接的電容線，其中設置於第一電晶體的半導體膜上的閘極電極與電容線電連接。

简体摘要： 作为具有驱动电路的半导体设备提供一种孔径比高且具有增大了电荷容量的电容组件的耗电量得到降低的半导体设备。本发明的一个方式是一种半导体设备，其包括：包括与半导体膜重叠地在该半导体膜的上方及下方具有闸极电极的第一晶体管的驱动电路；包括具有半导体膜的第二晶体管的像素；设置于该像素中的在一对电极间设置有介电膜的电容组件；以及，与该一对电极中的一个电极电连接的电容线，其中设置于第一晶体管的半导体膜上的闸极电极与电容线电连接。

公开(公告)号：TW201131746A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：TW099140769

申请日：2010-11-25

申请人： 英特爾公司

发明人： 史泰格華德 喬瑟夫M ,  林德總 尼克 ,  凱汀 史蒂芬J ,  傑卓斯基 克里斯多福J ,  葛萊斯曼 提摩西E

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/0733

摘要： 本發明描述用以形成擁有具一凹入式電極之一MIM電容器的記憶體裝置之方法。在一實施例中,形成具一凹入式電極的一MIM電容器的一方法包括形成一凹陷形貌體,其由形成一底部之一下部分及形成該凹陷形貌體的側壁之一上部分界定。此方法包括在該形貌體中沉積一下電極層、在該下電極層上沉積一電氣絕緣層、及在該電氣絕緣層上沉積一上電極層以形成該MIM電容器。此方法包括移除該MIM電容器的一上部分以使該等電極層的一上表面暴露及進而選擇性蝕刻該等電極層中的一電極層以使該等電極層中的一電極層凹入。此凹口將該等電極彼此隔開並減小了該等電極間形成一電流洩漏通路的可能性。

简体摘要： 本发明描述用以形成拥有具一凹入式电极之一MIM电容器的内存设备之方法。在一实施例中,形成具一凹入式电极的一MIM电容器的一方法包括形成一凹陷形貌体,其由形成一底部之一下部分及形成该凹陷形貌体的侧壁之一上部分界定。此方法包括在该形貌体中沉积一下电极层、在该下电极层上沉积一电气绝缘层、及在该电气绝缘层上沉积一上电极层以形成该MIM电容器。此方法包括移除该MIM电容器的一上部分以使该等电极层的一上表面暴露及进而选择性蚀刻该等电极层中的一电极层以使该等电极层中的一电极层凹入。此凹口将该等电极彼此隔开并减小了该等电极间形成一电流泄漏通路的可能性。

公开(公告)号：TWI620331B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW102127117

申请日：2013-07-29

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI613762B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105132566

申请日：2012-03-03

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 米田誠一 ,  YONEDA, SEIICHI

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G11C11/401

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H02J50/12 ,  H03C2200/0029 ,  H03H7/1741 ,  H03J1/00 ,  H03J3/10 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201705374A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105132566

申请日：2012-03-03

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 米田誠一 ,  YONEDA, SEIICHI

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G11C11/401

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H02J50/12 ,  H03C2200/0029 ,  H03H7/1741 ,  H03J1/00 ,  H03J3/10 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明的一個方式的目的之一是容易設定諧振頻率。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：具有線圈的功能的天線；以並聯連接的方式與天線電連接的電容元件；藉由以並聯連接的方式與天線及電容元件電連接，與天線及電容元件一起構成諧振電路的被動元件；控制是否以並聯連接的方式將被動元件與天線及電容元件電連接的第一場效應電晶體；以及儲存電路，其中，儲存電路包括具有形成通道的氧化物半導體層，對源極和汲極中的一方輸入資料信號，且根據源極和汲極中的另一方的電壓設定第一場效應電晶體的閘極的電壓的第二場效應電晶體。

简体摘要： 本发明的一个方式的目的之一是容易设置谐振频率。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：具有线圈的功能的天线；以并联连接的方式与天线电连接的电容组件；借由以并联连接的方式与天线及电容组件电连接，与天线及电容组件一起构成谐振电路的被动组件；控制是否以并联连接的方式将被动组件与天线及电容组件电连接的第一场效应晶体管；以及存储电路，其中，存储电路包括具有形成信道的氧化物半导体层，对源极和汲极中的一方输入数据信号，且根据源极和汲极中的另一方的电压设置第一场效应晶体管的闸极的电压的第二场效应晶体管。