公开(公告)号：TWI605613B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105136570

申请日：2016-11-10

申请人： 錼創科技股份有限公司 ,  PLAYNITRIDE INC.

发明人： 賴彥霖 ,  LAI, YEN-LIN ,  吳俊德 ,  WU, JYUN-DE

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01S5/3054 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：TWI569467B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW104136951

申请日：2015-11-10

申请人： 錼創科技股份有限公司 ,  PLAYNITRIDE INC.

发明人： 賴彥霖 ,  LAI, YEN-LIN ,  吳俊德 ,  WU, JYUN-DE

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/58 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：TWI560963B

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW100107424

申请日：2011-03-04

申请人： 美國加利福尼亞大學董事會 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

发明人： 徐 寶 山 ,  HSU, PO SHAN ,  卡其尼 凱薩琳M ,  KELCHNER, KATHRYN M. ,  法瑞兒 羅伯特M ,  FARRELL, ROBERT M. ,  海格 丹尼爾A ,  HAEGER, DANIEL A. ,  太田裕朗 ,  OHTA, HIROAKI ,  塔基 阿奴雷格 ,  TYAGI, ANURAG ,  中村 修二 ,  NAKAMURA, SHUJI ,  丹包爾斯 史蒂芬P ,  DENBAARS, STEVEN P. ,  史佩克 詹姆士S ,  SPECK, JAMES S.

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0735 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

公开(公告)号：TWI468562B

公开(公告)日：2015-01-11

申请号：TW101123540

申请日：2012-06-29

申请人： 蘇泰克公司 ,  SOITEC ,  歐米克公司 ,  OMMIC ,  國際科學研究中心 ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)

发明人： 史英克 大衛 ,  SCHENK, DAVID ,  巴伐德 艾勒希斯 ,  BAVARD, ALEXIS ,  寇迪爾 伊凡 ,  CORDIER, YVON ,  法西聶特 艾立克 ,  FRAYSSINET, ERIC ,  肯納德 馬克 ,  KENNARD, MARK ,  朗迪 丹尼爾 ,  RONDI, DANIEL

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：TW201407816A

公开(公告)日：2014-02-16

申请号：TW102123725

申请日：2013-07-02

申请人： 英凡薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 王良 ,  WANG, LIANG ,  穆罕默德 依利亞斯 ,  MOHAMMED, ILYAS ,  蓓羅思 瑪殊 ,  BEROZ, MASUD

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/105 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3205 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

摘要： 本案為一種改善量子效率之多重量子井，在本發明之一實施例中，一製造物件包括有一用來提供電洞的p側和一用來提供電子的n側。該製造物件中也包含介於p側與n側之間的複數量子井週期，其中每一個量子井週期包括有一個量子井層和一個阻障層，而每一個阻障層各有一個阻障高度。該複數量子井週期中包括有不同的阻障高度。

简体摘要： 本案为一种改善量子效率之多重量子井，在本发明之一实施例中，一制造对象包括有一用来提供电洞的p侧和一用来提供电子的n侧。该制造对象中也包含介于p侧与n侧之间的复数量子井周期，其中每一个量子井周期包括有一个量子井层和一个阻障层，而每一个阻障层各有一个阻障高度。该复数量子井周期中包括有不同的阻障高度。

公开(公告)号：TWI418106B

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW095100042

申请日：2006-01-02

申请人： 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA

发明人： 蔵本恭介 ,  KYOSUKE KURAMOTO

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333

公开(公告)号：TWI373182B

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：TW096136740

申请日：2007-10-01

申请人： 三菱電機股份有限公司

发明人： 阿部真司 ,  川崎和重

IPC分类号： H01S

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333

摘要： 〔課題〕穩定地在導波管肋狀物之上表面防止半導體層與電極層之接觸面積的減少，防止位於此半導體層蝕刻損傷。
〔解決手段〕在半導體層之上疊積金屬覆蓋層75而形成導波管肋狀物40，並以SiO2膜78覆蓋之且塗布光阻後，導波管肋狀物40頂部之SiO2膜78之表面外露，且形成利用光阻膜而埋設通道38之SiO2膜78的光阻圖案82，其中此光阻膜具有較導波管肋狀物40之金屬覆蓋層75表面高且較導波管肋狀物40之SiO2膜78表面低的表面。之後，以光阻圖案82為硬罩幕並藉由蝕刻而將SiO2膜78除去，而且，藉由濕蝕刻而將金屬覆蓋層75除去，並使導波管肋狀物40之p-GaN層74表面外露而形成電極層46。

简体摘要： 〔课题〕稳定地在导波管肋状物之上表面防止半导体层与电极层之接触面积的减少，防止位于此半导体层蚀刻损伤。 〔解决手段〕在半导体层之上叠积金属覆盖层75而形成导波管肋状物40，并以SiO2膜78覆盖之且涂布光阻后，导波管肋状物40顶部之SiO2膜78之表面外露，且形成利用光阻膜而埋设信道38之SiO2膜78的光阻图案82，其中此光阻膜具有较导波管肋状物40之金属覆盖层75表面高且较导波管肋状物40之SiO2膜78表面低的表面。之后，以光阻图案82为硬罩幕并借由蚀刻而将SiO2膜78除去，而且，借由湿蚀刻而将金属覆盖层75除去，并使导波管肋状物40之p-GaN层74表面外露而形成电极层46。

公开(公告)号：TW201138149A

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：TW099128117

申请日：2010-08-23

申请人： 美國加利福尼亞大學董事會

发明人： 太田裕朗 ,  武鳳 ,  塔基 阿奴雷格 ,  恰克拉波提 阿爾潘 ,  史培克 詹姆士S ,  丹巴爾士 史蒂芬P ,  那卡姆拉 修傑 ,  洋 依琳C

IPC分类号： H01L ,  H01S

CPC分类号： H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： 本發明揭示一種用於一基於III族氮化物之光學裝置的磊晶結構,其包括在一下伏層上具有各向異性應變之一作用層,其中該下伏層中之一晶格常數及應變由於參差差排之存在而沿至少一方向部分或完全鬆弛,使得該作用層中之該各向異性應變係藉由該下伏層而調變。

简体摘要： 本发明揭示一种用于一基于III族氮化物之光学设备的磊晶结构,其包括在一下伏层上具有各向异性应变之一作用层,其中该下伏层中之一晶格常数及应变由于参差差排之存在而沿至少一方向部分或完全松弛,使得该作用层中之该各向异性应变系借由该下伏层而调制。

公开(公告)号：TW201130197A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：TW099142215

申请日：2010-12-03

申请人： 住友電氣工業股份有限公司

发明人： 善積祐介 ,  高木慎平 ,  池上隆俊 ,  上野昌紀 ,  片山浩二

IPC分类号： H01S

CPC分类号： H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/62 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333

摘要： 本發明提供一種第III族氮化物半導體雷射元件,其於六方晶系第III族氮化物之c軸向m軸之方向傾斜的支持基體之半極性面上,具有可實現低閾値電流之雷射共振器、及在用於該雷射共振器之元件端部可縮小晶片寬度的端部構造。雷射構造體13中,於一個割斷面27上具有設於第1面13a之邊緣13c的一部分之凹部28、30。凹部28、30各自包含殘留於各個半導體元件上之劃線痕,該等半導體元件係藉由劃線溝所導引之割斷而分離。凹部28具有位於第1面13a上之端部28b,而且凹部30具有位於第1面13a上之端部30b。第1凹部28之端部28b與雷射條紋間的第1間隔W1係,小於第2凹部30之端部30b與雷射條紋間的第2間隔W2。

简体摘要： 本发明提供一种第III族氮化物半导体激光组件,其于六方晶系第III族氮化物之c轴向m轴之方向倾斜的支持基体之半极性面上,具有可实现低阈値电流之激光共振器、及在用于该激光共振器之组件端部可缩小芯片宽度的端部构造。激光构造体13中,于一个割断面27上具有设于第1面13a之边缘13c的一部分之凹部28、30。凹部28、30各自包含残留于各个半导体组件上之划线痕,该等半导体组件系借由划线沟所导引之割断而分离。凹部28具有位于第1面13a上之端部28b,而且凹部30具有位于第1面13a上之端部30b。第1凹部28之端部28b与激光条纹间的第1间隔W1系,小于第2凹部30之端部30b与激光条纹间的第2间隔W2。

公开(公告)号：TW201125163A

公开(公告)日：2011-07-16

申请号：TW099140249

申请日：2010-11-22

申请人： 住友電氣工業股份有限公司

发明人： 石橋惠二 ,  善積祐介 ,  美濃部周吾

IPC分类号： H01L

CPC分类号： C30B29/403 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： 本發明之III族氮化物結晶基板(1)，係於由一方面滿足III族氮化物結晶基板(1)之任意的特定平行晶格面之X射線繞射條件、一方面改變自結晶基板之主表面(1s)起的X射線穿透深度之X射線繞射測定而獲得之特定平行晶格面的面間隔中，當將X射線穿透深度為0.3μm之面間隔表示為d1，將X射線穿透深度為5μm之面間隔表示為d2時，|d1-d2|/d2之值所表示之結晶基板的表面層之均勻畸變為1.7×10 -3 以下，且，主表面(1s)之面方位具有自包含結晶基板之c軸(1c)之面(1v)向[0001]方向傾斜-10°以上10°以下的傾斜角。藉此，可提供一種適合製造已抑制發光藍移的發光裝置之III族氮化物結晶基板、附磊晶層之III族氮化物結晶基板、以及半導體裝置及其製造方法。

简体摘要： 本发明之III族氮化物结晶基板(1)，系于由一方面满足III族氮化物结晶基板(1)之任意的特定平行晶格面之X射线绕射条件、一方面改变自结晶基板之主表面(1s)起的X射线穿透深度之X射线绕射测定而获得之特定平行晶格面的面间隔中，当将X射线穿透深度为0.3μm之面间隔表示为d1，将X射线穿透深度为5μm之面间隔表示为d2时，|d1-d2|/d2之值所表示之结晶基板的表面层之均匀畸变为1.7×10 -3 以下，且，主表面(1s)之面方位具有自包含结晶基板之c轴(1c)之面(1v)向[0001]方向倾斜-10°以上10°以下的倾斜角。借此，可提供一种适合制造已抑制发光蓝移的发光设备之III族氮化物结晶基板、附磊晶层之III族氮化物结晶基板、以及半导体设备及其制造方法。