公开(公告)号：TWI606588B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：TW103119509

申请日：2014-06-05

申请人： 日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

发明人： 倉岡義孝 ,  KURAOKA, YOSHITAKA ,  市村幹也 ,  ICHIMURA, MIKIYA ,  岩井真 ,  IWAI, MAKOTO

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：TWI600076B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW103110835

申请日：2014-03-24

申请人： 日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

发明人： 倉岡義孝 ,  KURAOKA, YOSHITAKA ,  杉山智彥 ,  SUGIYAMA, TOMOHIKO ,  前原宗太 ,  MAEHARA, SOTA

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

公开(公告)号：TWI598478B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW102146371

申请日：2013-12-16

申请人： 三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION

发明人： 塚田悠介 ,  TSUKADA, YUSUKE ,  久保秀一 ,  KUBO, SHUICHI ,  鎌田和典 ,  KAMADA, KAZUNORI ,  藤澤英夫 ,  FUJISAWA, HIDEO ,  大畑達寬 ,  OHATA, TATSUHIRO ,  池田宏隆 ,  IKEDA, HIROTAKA ,  松本創 ,  MATSUMOTO, HAJIME ,  三川豐 ,  MIKAWA, YUTAKA

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L29/2003 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

公开(公告)号：TWI583831B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW105117061

申请日：2016-05-31

申请人： 國立中山大學 ,  NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY

发明人： 羅奕凱 ,  LO, I KAI ,  尤碩廷 ,  YOU, SHUO TING ,  蔡振凱 ,  TSAI, JENN KAI

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L33/04 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/02389 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02647

公开(公告)号：TW201626467A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104142483

申请日：2013-11-12

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ K. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/772 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78681

摘要： 三族氮化物半導體通道係組成分層於轉換層與三族氮化物極化層之間。在實施例中，閘極堆疊係沈積在包含分層之三族氮化物半導體通道的鰭之側壁上，而允許鄰接至少兩面側壁表面的三族氮化物半導體通道中之傳輸通道的形成，以回應閘極偏壓。在實施例中，閘極堆疊係完全沈積在包含組成分層之三族氮化物半導體通道的奈米佈線之周圍，而致能鄰接極化層及轉換層二者的三族氮化物半導體通道中之傳輸通道的形成以回應閘極偏壓。

简体摘要： 三族氮化物半导体信道系组成分层于转换层与三族氮化物极化层之间。在实施例中，闸极堆栈系沉积在包含分层之三族氮化物半导体信道的鳍之侧壁上，而允许邻接至少两面侧壁表面的三族氮化物半导体信道中之传输信道的形成，以回应闸极偏压。在实施例中，闸极堆栈系完全沉积在包含组成分层之三族氮化物半导体信道的奈米布线之周围，而致能邻接极化层及转换层二者的三族氮化物半导体信道中之传输信道的形成以回应闸极偏压。

公开(公告)号：TW201623707A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104136873

申请日：2015-11-09

申请人： 德山股份有限公司 ,  TOKUYAMA CORPORATION

发明人： 永島徹 ,  NAGASHIMA, TORU ,  福田真行 ,  FUKUDA, MASAYUKI

IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/8252 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/02389 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205

摘要： 本發明係一種III族氮化物單結晶製造裝置，使用該裝置之III族氮化物單結晶之製造方法，及氮化鋁單結晶，其中，具有：經由使III族原料氣體與氮源氣體反應之時而具有使III族氮化物結晶成長於基板上之反應域的反應器，和加以配設於該反應域，支持基板之支持台，和供給III族原料氣體於反應域之III族原料氣體供給噴嘴，和供給氮源氣體於反應域之氮源氣體供給噴嘴，而氮源氣體供給噴嘴則具有將氮源氣體，和選自鹵化氫氣體及鹵素氣體之至少1種的鹵系氣體供給至反應域之構造者為特徵之III族氮化物單結晶製造裝置。

简体摘要： 本发明系一种III族氮化物单结晶制造设备，使用该设备之III族氮化物单结晶之制造方法，及氮化铝单结晶，其中，具有：经由使III族原料气体与氮源气体反应之时而具有使III族氮化物结晶成长于基板上之反应域的反应器，和加以配设于该反应域，支持基板之支持台，和供给III族原料气体于反应域之III族原料气体供给喷嘴，和供给氮源气体于反应域之氮源气体供给喷嘴，而氮源气体供给喷嘴则具有将氮源气体，和选自卤化氢气体及卤素气体之至少1种的卤系气体供给至反应域之构造者为特征之III族氮化物单结晶制造设备。

公开(公告)号：TWI533351B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：TW096147275

申请日：2007-12-11

申请人： 美國加利福尼亞大學董事會 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA ,  獨立行政法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

发明人： 馬修C 史密特 ,  SCHMIDT, MATHEW C. ,  金光中 ,  KIM, KWANG C. ,  佐藤均 ,  SATO, HITOSHI ,  史帝芬P 丹巴爾斯 ,  DENBAARS, STEVEN P. ,  詹姆士S 史貝克 ,  SPECK, JAMES S. ,  中村 秀治 ,  NAKAMURA, SHUJI

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

公开(公告)号：TWI482311B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW101138778

申请日：2012-10-19

申请人： 國立中山大學 ,  NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY

发明人： 羅奕凱 ,  LO, I KAI ,  徐鈺淇 ,  HSU, YU CHI ,  施政宏 ,  SHIH, CHENG HUNG ,  龐文淵 ,  PANG, WEN YUAN ,  周明奇 ,  CHOU, MING CHI

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/42

公开(公告)号：TW201511109A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：TW103110835

申请日：2014-03-24

申请人： 日本碍子股份有限公司 ,  NGK INSULATORS, LTD.

发明人： 倉岡義孝 ,  KURAOKA, YOSHITAKA ,  杉山智彥 ,  SUGIYAMA, TOMOHIKO ,  前原宗太 ,  MAEHARA, SOTA

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

摘要： 本發明係提供當積層Ⅲ族氮化物層時，可獲得能形成特性優異電子裝置之Ⅲ族氮化物基板的Ⅲ族氮化物基板之處理方法。本發明的Ⅲ族氮化物基板之處理方法係包括：對基板表面施行CMP處理的步驟；對將CMP處理後的Ⅲ族氮化物基板，於氮氣環境下升溫至既定退火溫度的步驟；以及將經升溫至退火溫度的Ⅲ族氮化物基板，於氫氣與氮氣的第1混合環境、或氫氣與氨氣的第2混合環境中，保持4分鐘以上且8分鐘以下的步驟。

简体摘要： 本发明系提供当积层Ⅲ族氮化物层时，可获得能形成特性优异电子设备之Ⅲ族氮化物基板的Ⅲ族氮化物基板之处理方法。本发明的Ⅲ族氮化物基板之处理方法系包括：对基板表面施行CMP处理的步骤；对将CMP处理后的Ⅲ族氮化物基板，于氮气环境下升温至既定退火温度的步骤；以及将经升温至退火温度的Ⅲ族氮化物基板，于氢气与氮气的第1混合环境、或氢气与氨气的第2混合环境中，保持4分钟以上且8分钟以下的步骤。

公开(公告)号：TWI463910B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW098104916

申请日：2009-02-17

申请人： 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

发明人： 大野彰仁 ,  OHNO, AKIHITO ,  竹見政義 ,  TAKEMI, MASAYOSHI ,  冨田信之 ,  TOMITA, NOBUYUKI

IPC分类号： H05B33/00 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S2304/04