-
公开(公告)号：TW201511465A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103109743
申请日：2014-03-14
发明人： 勞達 派翠克 安東尼 , RADA, PATRICK ANTOINE , 布朗 佛瑞斯特 詹姆士 , BROWN, FORREST JAMES , 杜普伊 艾力克森卓 , DUPUY, ALEXANDRE
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/38 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/72 , H03F2200/129 , H03F2200/147 , H03F2200/222 , H03F2200/237 , H03F2200/241 , H03F2200/243 , H03F2200/246 , H03F2200/261 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/309 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/402 , H03F2200/438 , H03F2200/451 , H03F2200/462 , H03L7/06 , H04B1/22
摘要： 一對數檢測放大(LDA)系統係作為一高選擇性接收升壓器或一通訊裝置之一接收鏈中之一低雜訊放大器之一代替。對數檢測放大系統包含一放大電路、一取樣電路以及至少一共振電路。放大電路係接收具有一第一頻率之一輸入訊號並基於該輸入訊號產生一振盪。取樣電路係耦接於放大電路並基於一預設閥值而終止該振盪，以藉由該振盪與輸入訊號而週期性地鉗住並重新開始該振盪以產生一串調變脈衝。共振電路係耦接於放大電路並建立一操作頻率，且產生具有一第二頻率之一輸出訊號，第二頻率係實質與第一頻率相同。
简体摘要： 一对数检测放大(LDA)系统系作为一高选择性接收升压器或一通信设备之一接收链中之一低噪声放大器之一代替。对数检测放大系统包含一放大电路、一采样电路以及至少一共振电路。放大电路系接收具有一第一频率之一输入信号并基于该输入信号产生一振荡。采样电路系耦接于放大电路并基于一默认阀值而终止该振荡，以借由该振荡与输入信号而周期性地钳住并重新开始该振荡以产生一串调制脉冲。共振电路系耦接于放大电路并创建一操作频率，且产生具有一第二频率之一输出信号，第二频率系实质与第一频率相同。
-
2.发明专利多位元Ｄ級功率放大器系統 MULTI-BIT CLASS-D POWER AMPLIFIER SYSTEM 审中-公开多比特Ｄ级功率放大器系统 MULTI-BIT CLASS-D POWER AMPLIFIER SYSTEM
公开(公告)号：TW201114172A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099115368
申请日：2010-05-13
申请人： 高通公司
发明人： 高智恆
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03F3/2178 , H03F1/0277 , H03F1/26 , H03F3/191 , H03F3/211 , H03F3/2175 , H03F3/24 , H03F3/72 , H03F2200/306 , H03F2200/309 , H03F2200/372 , H03F2203/21169 , H03F2203/21172 , H03H7/48 , H03H11/36
摘要： 本發明描述用於設計一高效功率放大器之技術。在一態樣中,將具有經耦接輸出之多個單一單元瞬時D級功率放大器用以增加效率並減少量化雜訊。在另一態樣中,多組單一單元瞬時D級功率放大器在其輸出處耦接,其中每一組功率放大器經組態以在唯一頻率下諧振。此導致在多個頻帶處的增加之效率及減少之量化雜訊。
简体摘要： 本发明描述用于设计一高效功率放大器之技术。在一态样中,将具有经耦接输出之多个单一单元瞬时D级功率放大器用以增加效率并减少量化噪声。在另一态样中,多组单一单元瞬时D级功率放大器在其输出处耦接,其中每一组功率放大器经组态以在唯一频率下谐振。此导致在多个频带处的增加之效率及减少之量化噪声。
-
3.发明专利半導體積體電路及半導體積體電路的製造方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开半导体集成电路及半导体集成电路的制造方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW200402870A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092118310
申请日：2003-07-04
发明人： 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03G1/007 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F2200/306
摘要： 以串級（cascode）連接之P型通道金屬氧化物場效電晶體（P channel MOSFET）4，5構成射頻放大電路21，用以將調幅播送信號放大。因係依串級之方式作連接，故可令P型通道金屬氧化物場效電晶體之源極、閘極間的回授容量變小，而使動力穩定。再者，因調幅播放信號之放大電路係以P型通道金屬氧化物場效電晶體構成，故除可降低閃變效應（flicker）雜音外，復可依互補式金屬氧化物半導體（CMOS）數位電路相同之MOS製法用以製造者。
简体摘要： 以串级（cascode）连接之P型信道金属氧化物场效应管（P channel MOSFET）4，5构成射频放大电路21，用以将调幅播送信号放大。因系依串级之方式作连接，故可令P型信道金属氧化物场效应管之源极、闸极间的回授容量变小，而使动力稳定。再者，因调幅播放信号之放大电路系以P型信道金属氧化物场效应管构成，故除可降低闪变效应（flicker）杂音外，复可依互补式金属氧化物半导体（CMOS）数字电路相同之MOS制法用以制造者。
-
公开(公告)号：TWI568173B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103109743
申请日：2014-03-14
发明人： 勞達 派翠克 安東尼 , RADA, PATRICK ANTOINE , 布朗 佛瑞斯特 詹姆士 , BROWN, FORREST JAMES , 杜普伊 艾力克森卓 , DUPUY, ALEXANDRE
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/38 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/72 , H03F2200/129 , H03F2200/147 , H03F2200/222 , H03F2200/237 , H03F2200/241 , H03F2200/243 , H03F2200/246 , H03F2200/261 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/309 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/402 , H03F2200/438 , H03F2200/451 , H03F2200/462 , H03L7/06 , H04B1/22
-
5.发明专利半導體積體電路及半導體積體電路的製造方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD 有权半导体集成电路及半导体集成电路的制造方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI227054B
公开(公告)日：2005-01-21
申请号：TW092118310
申请日：2003-07-04
发明人： 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03G1/007 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F2200/306
摘要： 以串級(cascode)連接之P型通道金屬氧化物場效電晶體(P channel MOSFET)4,5構成射頻放大電路21，用以將調幅播送信號放大。因係依串級之方式作連接，故可令P型通道金屬氧化物場效電晶體之源極、閘極間的回授容量變小，而使動力穩定。再者，因調幅播放信號之放大電路係以P型通道金屬氧化物場效電晶體構成，故除可降低閃變效應(flicker)雜音外，復可依互補式金屬氧化物半導體(CMOS)數位電路相同之MOS製法用以製造者。
简体摘要： 以串级(cascode)连接之P型信道金属氧化物场效应管(P channel MOSFET)4,5构成射频放大电路21，用以将调幅播送信号放大。因系依串级之方式作连接，故可令P型信道金属氧化物场效应管之源极、闸极间的回授容量变小，而使动力稳定。再者，因调幅播放信号之放大电路系以P型信道金属氧化物场效应管构成，故除可降低闪变效应(flicker)杂音外，复可依互补式金属氧化物半导体(CMOS)数字电路相同之MOS制法用以制造者。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.009 秒)
