公开(公告)号：TW201810932A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106110990

申请日：2017-03-31

申请人： 天工方案公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 索立曼 亞瑟 海拉特 ,  SOLIMAN, YASSER KHAIRAT

IPC分类号： H03F1/22 ,  H03F1/02

CPC分类号： H03F1/0216 ,  H03F1/0227 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/312 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451

摘要： 本發明之態樣係關於一種包括一堆疊式放大器及一偏壓電路之放大電路。該堆疊式放大器包括彼此串聯之至少一第一電晶體與一第二電晶體。該堆疊式放大器可在至少一第一模式及一第二模式下操作。該偏壓電路經組態以在該第一模式下使該第二電晶體偏壓至一線性操作區，且經組態以在該第二模式下使該第二電晶體偏壓為一開關。在某些實施例中，該放大電路可係一功率放大器級，該功率放大器級經組態以接收在該第一模式下具有與在該第二模式下不同之一電壓位準的一供應電壓。

简体摘要： 本发明之态样系关于一种包括一堆栈式放大器及一偏压电路之放大电路。该堆栈式放大器包括彼此串联之至少一第一晶体管与一第二晶体管。该堆栈式放大器可在至少一第一模式及一第二模式下操作。该偏压电路经组态以在该第一模式下使该第二晶体管偏压至一线性操作区，且经组态以在该第二模式下使该第二晶体管偏压为一开关。在某些实施例中，该放大电路可系一功率放大器级，该功率放大器级经组态以接收在该第一模式下具有与在该第二模式下不同之一电压位准的一供应电压。

公开(公告)号：TW201806311A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106120528

申请日：2017-06-20

申请人： 聯發科技股份有限公司 ,  MEDIATEK INC.

发明人： 林詩梅 ,  LIN, SHIH-MEI ,  管建葳 ,  KUAN, CHIEN-WEI ,  何丞諺 ,  HO, CHEN-YEN ,  孟哲浩 ,  MENG, CHE-HAO ,  陳佐民 ,  CHEN, TSO-MIN ,  彭嘉笙 ,  PENG, CHIA-SHENG ,  顏昇宏 ,  YAN, SHENG-HONG

IPC分类号： H03F3/189 ,  H04B1/16

CPC分类号： H03F3/20 ,  H02M3/158 ,  H03F1/0227 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F3/68 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/105 ,  H03F2200/432

摘要： 提供一種電源電路，用於具有複數個功率放大組件的無線行動裝置。電源電路包括第一DC-DC轉換器、第二DC-DC轉換器和至少一個線性放大器。第一DC-DC轉換器被配置為提供至少一個APT輸出電壓和/或至少一個DC中間電壓。第二DC-DC轉換器被配置為提供至少一個ET輸出電壓的DC分量。當至少一個線性放大器接收到來自第一DC-DC轉換器的至少一個DC中間電壓時，至少一個線性放大器提供至少一個ET輸出電壓的AC分量。至少一個ET輸出電壓的DC分量和AC分量被組合為至少一個ET輸出電壓，且被分別提供給功率放大組件。本發明具有更低的成本和更大的靈活性。

简体摘要： 提供一种电源电路，用于具有复数个功率放大组件的无线行动设备。电源电路包括第一DC-DC转换器、第二DC-DC转换器和至少一个线性放大器。第一DC-DC转换器被配置为提供至少一个APT输出电压和/或至少一个DC中间电压。第二DC-DC转换器被配置为提供至少一个ET输出电压的DC分量。当至少一个线性放大器接收到来自第一DC-DC转换器的至少一个DC中间电压时，至少一个线性放大器提供至少一个ET输出电压的AC分量。至少一个ET输出电压的DC分量和AC分量被组合为至少一个ET输出电压，且被分别提供给功率放大组件。本发明具有更低的成本和更大的灵活性。

公开(公告)号：TWI605566B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105125135

申请日：2016-08-08

申请人： 村田製作所股份有限公司 ,  MURATA MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 後藤聡 ,  GOTO, SATOSHI

IPC分类号： H01L27/02 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555

公开(公告)号：TW201644209A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105127719

申请日：2012-10-24

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 雷普利 大衛 史蒂芬 ,  RIPLEY, DAVID STEVEN

IPC分类号： H04B1/76

CPC分类号： H03K19/018521 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0222 ,  H03F3/189 ,  H03F3/19 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/213 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21106 ,  H03G3/3036 ,  H03K3/356069 ,  H03K17/22 ,  H03L5/00 ,  H03L5/02 ,  H04B1/40 ,  H04B2001/0408

摘要： 根據某些實施例，本發明係關於一種可用於在一單個數位控制介面晶粒內提供一射頻前端(RFFE)串列介面及一三模式通常用途輸入/輸出(GPIO)介面兩者之雙模式控制介面。在某些實施例中，該雙模式控制介面或數位控制介面可與一功率放大器通信。此外，該雙模式控制介面可用於設定該功率放大器之模式。

简体摘要： 根据某些实施例，本发明系关于一种可用于在一单个数码控制界面晶粒内提供一射频前端(RFFE)串行界面及一三模式通常用途输入/输出(GPIO)界面两者之双模式控制界面。在某些实施例中，该双模式控制界面或数码控制界面可与一功率放大器通信。此外，该双模式控制界面可用于设置该功率放大器之模式。

公开(公告)号：TW201637210A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105109579

申请日：2012-11-19

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/7787 ,  G06F1/1633 ,  G06F1/189 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/785 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/451

摘要： 用於高電壓及高頻操作的電晶體。具有配置在第一與第二相對側壁之間的上表面之非平面極性結晶半導體本體包含設有配置在第一和第二側壁之上方的第一結晶半導體層的通道區。第一結晶半導體層是在通道區之內提供二維電子氣體(2DEG)。閘極結構沿著至少第二側壁而配置在第一結晶半導體層之上方，以調變二維電子氣體。非平面極性結晶半導體本體的第一及第二側壁具有不同的極性，而通道接近複數側壁中的第一側壁。閘極結構可以沿著複數側壁中的第二側壁以閘極化背障壁。極性結晶半導體本體是形成於在矽的(110)平面上具有(100)平面的矽基底之上的第三族氮化物。

简体摘要： 用于高电压及高频操作的晶体管。具有配置在第一与第二相对侧壁之间的上表面之非平面极性结晶半导体本体包含设有配置在第一和第二侧壁之上方的第一结晶半导体层的信道区。第一结晶半导体层是在信道区之内提供二维电子气体(2DEG)。闸极结构沿着至少第二侧壁而配置在第一结晶半导体层之上方，以调制二维电子气体。非平面极性结晶半导体本体的第一及第二侧壁具有不同的极性，而信道接近复数侧壁中的第一侧壁。闸极结构可以沿着复数侧壁中的第二侧壁以闸极化背障壁。极性结晶半导体本体是形成于在硅的(110)平面上具有(100)平面的硅基底之上的第三族氮化物。

公开(公告)号：TW201635699A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW105120210

申请日：2013-06-14

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 陳 霍華E ,  CHEN, HOWARD E. ,  郭亦帆 ,  GUO, YIFAN ,  黃 庭福 吳 ,  HOANG, DINHPHUOC VU ,  賈那尼 默藍 ,  JANANI, MEHRAN ,  郭 丁 緬因特 ,  KO, TIN MYINT ,  勒托拉 菲利浦 約翰 ,  LEHTOLA, PHILIP JOHN ,  洛彼安可 安東尼 詹姆斯 ,  LOBIANCO, ANTHONY JAMES ,  莫迪 哈迪克 布潘達 ,  MODI, HARDIK BHUPENDRA ,  阮 紅孟 ,  NGUYEN, HOANG MONG ,  歐扎拉斯 麥修 湯瑪斯 ,  OZALAS, MATTHEW THOMAS ,  培帝 威克 山德拉 路易斯 ,  PETTY-WEEKS, SANDRA LOUISE ,  瑞德 麥修 尚 ,  READ, MATTHEW SEAN ,  理吉 詹斯 阿爾布雷希特 ,  RIEGE, JENS ALBRECHT ,  雷普利 大衛 史蒂芬 ,  RIPLEY, DAVID STEVEN ,  邵宏曉 ,  SHAO, HONGXIAO ,  沈宏 ,  SHEN, HONG ,  孫衛明 ,  SUN, WEIMIN ,  孫祥志 ,  SUN, HSIANG-CHIH ,  衛屈 派崔克 勞倫斯 ,  WELCH, PATRICK LAWRENCE ,  札帕帝 彼得J 二世 ,  ZAMPARDI, PETER J., JR. ,  章國豪 ,  ZHANG, GUOHAO

IPC分类号： H03F3/19

CPC分类号： H03F1/0205 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明揭示一種功率放大器模組，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs雙極電晶體，該GaAs雙極電晶體具有一集極、鄰接該集極之一基極、及一射極，該集極在與該基極之一接面處具有至少約3×1016cm-3之一摻雜濃度，該集極亦具有其中摻雜濃度隨遠離該基極而增加之至少一第一分級；及一RF傳輸線，其由該功率放大器驅動，該RF傳輸線包括一導電層及該導電層上之表面處理鍍層，該表面處理鍍層包括一金層、接近該金層之一鈀層及接近該鈀層之一擴散障壁層，該擴散障壁層包括鎳且具有約小於鎳在0.9GHz下之集膚深度之一厚度。本發明亦提供該模組之其他實施例連同其相關方法及組件。

简体摘要： 本发明揭示一种功率放大器模块，其包括：一功率放大器，其包括一GaAs双极晶体管，该GaAs双极晶体管具有一集极、邻接该集极之一基极、及一射极，该集极在与该基极之一接面处具有至少约3×1016cm-3之一掺杂浓度，该集极亦具有其中掺杂浓度随远离该基极而增加之至少一第一分级；及一RF传输线，其由该功率放大器驱动，该RF传输线包括一导电层及该导电层上之表面处理镀层，该表面处理镀层包括一金层、接近该金层之一钯层及接近该钯层之一扩散障壁层，该扩散障壁层包括镍且具有约小于镍在0.9GHz下之集肤深度之一厚度。本发明亦提供该模块之其他实施例连同其相关方法及组件。

公开(公告)号：TW201630362A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104132329

申请日：2015-09-30

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 萊普利 大衛 史蒂芬 ,  RIPLEY, DAVID STEVEN

IPC分类号： H04B1/40

CPC分类号： H03F3/211 ,  H03F1/0227 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/565 ,  H03F3/191 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21142 ,  H04B1/0475 ,  H04B2001/0416

摘要： 本發明係關於具有電源供應控制之功率放大器模組。一功率放大控制系統可包括經組態以自一收發器接收一收發器控制信號之一介面。該功率放大控制系統可包括：一功率放大器控制組件，其經組態以基於來自該收發器之該收發器控制信號而產生一功率放大器控制信號；及一電源供應控制組件，其經組態以基於來自該收發器之該收發器控制信號而產生一電源供應控制信號，且基於來自該功率放大器控制組件之一局部控制信號而產生該電源供應控制信號。

简体摘要： 本发明系关于具有电源供应控制之功率放大器模块。一功率放大控制系统可包括经组态以自一收发器接收一收发器控制信号之一界面。该功率放大控制系统可包括：一功率放大器控制组件，其经组态以基于来自该收发器之该收发器控制信号而产生一功率放大器控制信号；及一电源供应控制组件，其经组态以基于来自该收发器之该收发器控制信号而产生一电源供应控制信号，且基于来自该功率放大器控制组件之一局部控制信号而产生该电源供应控制信号。

公开(公告)号：TWI533596B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：TW103109767

申请日：2014-03-14

申请人： 席特帝微波有限公司 ,  HITTITE MICROWAVE CORPORATION

发明人： 庫吉諾 喬瑟夫 ,  CUGGINO, JOSEPH

IPC分类号： H03F1/30

CPC分类号： H03F3/195 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/555 ,  H03F2200/93

公开(公告)号：TW201613286A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104126768

申请日：2015-08-17

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 金 喬治 李察 ,  KING, JOEL RICHARD ,  鄭亨泰 ,  JEONG HYEONG TAE ,  鄭 尼克 ,  CHENG, NICK ,  張 為函 ,  CHANG, WEIHENG ,  羅伊 豆 ,  ROY, DOEL

IPC分类号： H04B1/40

CPC分类号： H03F1/0277 ,  H03F3/19 ,  H03F3/191 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/225 ,  H03F2200/231 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/21109 ,  H03F2203/21139 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/21145 ,  H03F2203/7209 ,  H03F2203/7215 ,  H04B1/0053 ,  H04B1/18 ,  H04B1/401

摘要： 本發明揭示用於使用3G/4G線性路徑組合之2G放大之電路及方法。在一些實施例中，一前端架構可包含一第一放大路徑及一第二放大路徑，其中各個放大路徑經組態以放大一3G/4G信號，且該第一放大路徑包含一移相電路。該前端架構可進一步包含：一分離器，其經組態以接收一2G信號且將該2G信號分離至該第一放大路徑及該第二放大路徑中；及一組合器，其經組態以將來自該第一放大路徑及該第二放大路徑之放大2G信號組合至一共同輸出路徑中。該前端架構可進一步包含沿著該共同輸出路徑實施以對該組合2G信號提供一所要阻抗之一阻抗變換器。

简体摘要： 本发明揭示用于使用3G/4G线性路径组合之2G放大之电路及方法。在一些实施例中，一前端架构可包含一第一放大路径及一第二放大路径，其中各个放大路径经组态以放大一3G/4G信号，且该第一放大路径包含一移相电路。该前端架构可进一步包含：一分离器，其经组态以接收一2G信号且将该2G信号分离至该第一放大路径及该第二放大路径中；及一组合器，其经组态以将来自该第一放大路径及该第二放大路径之放大2G信号组合至一共同输出路径中。该前端架构可进一步包含沿着该共同输出路径实施以对该组合2G信号提供一所要阻抗之一阻抗变换器。

公开(公告)号：TW201613258A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW104143619

申请日：2013-08-15

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 蓋伯葉 涅森特 ,  GEBEYEHU, NETSANET ,  熹 殷 ,  SHI, YING ,  凱納威 瑞薩 ,  KASNAVI, REZA ,  奧玆 翁德 ,  OZ, ONDER ,  馮景航 ,  FENG, JINGHANG

IPC分类号： H03F3/189 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F1/0233 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/462 ,  H03F2200/528 ,  H03G3/30 ,  H03G3/3042

摘要： 用於射頻功率放大器之電流模式控制。在一些實施例中，RF功率放大器控制電路可包含一感測器，其經組態以量測一功率放大器之一基極電流及產生一感測電流。該控制電路可進一步包含一感測節點，其經組態以接收一參考電流及運用該感測電流執行一電流模式操作以產生一誤差電流。該控制電路可進一步包含一控制迴路，其經組態以基於該誤差電流而產生一控制信號以調整該功率放大器之一操作參數。

简体摘要： 用于射频功率放大器之电流模式控制。在一些实施例中，RF功率放大器控制电路可包含一传感器，其经组态以量测一功率放大器之一基极电流及产生一传感电流。该控制电路可进一步包含一传感节点，其经组态以接收一参考电流及运用该传感电流运行一电流模式操作以产生一误差电流。该控制电路可进一步包含一控制回路，其经组态以基于该误差电流而产生一控制信号以调整该功率放大器之一操作参数。