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公开(公告)号：TWI612186B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102124104
申请日：2013-07-05
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU
IPC分类号： C30B29/12 , C01F11/22 , H01L21/3065 , B23K20/00
CPC分类号： H01J37/32642 , C01F11/22 , C04B35/553 , C04B37/001 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/963 , C04B2235/9669 , C04B2237/36 , C04B2237/76 , C04B2237/78 , C23C16/4585 , Y10T428/256
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公开(公告)号：TWI602897B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW102134355
申请日：2013-09-24
发明人： 藤井宏中 , FUJII, HIRONAKA , 白川真廣 , SHIRAKAWA, MASAHIRO , 伊藤久貴 , ITO, HISATAKA
IPC分类号： C09J7/02 , C09J9/00 , C09J183/04 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , B32B18/00 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2237/343 , C08G77/16 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J183/06 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , C09K11/025 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2924/0002 , Y10T428/2852 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI541231B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100120182
申请日：2011-06-09
发明人： 可汗 沙查德 瑞門 , KHAN, SAZZADUR RAHMAN , 望月天音 , MOCHIZUKI, AMANE , 李昇 , LI, SHENG , 西斯克 大衛T , SISK, DAVID T. , 穆克赫里 拉傑許 , MUKHERJEE, RAJESH , 岡田圭策 , OKADA, KEISAKU
IPC分类号： C07D211/00 , C07D209/00 , C07D215/00 , C07D217/00 , A61N5/06
CPC分类号： C09K11/7708 , A61N2005/0653 , C04B35/44 , C04B35/6264 , C04B35/638 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/483 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/663 , C04B2235/9623 , C04B2235/9653 , C09K11/06 , C09K11/685 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L33/50 , H01L51/0037 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/50 , H01L51/5016 , H01L2251/5361
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公开(公告)号：TWI535660B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101118684
申请日：2012-05-25
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 藤原誠志 , FUJIWARA, SEISHI , 上原直保 , UEHARA, NAOYASU , 成川由佳 , NARUKAWA, YUKA
CPC分类号： C01F11/22 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C04B35/553 , C04B2235/3208 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6027 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/963 , C30B29/12 , G02B1/02 , Y10T428/218
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公开(公告)号：TW201522658A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103139007
申请日：2014-11-11
申请人： 道康寧公司 , DOW CORNING CORPORATION
发明人： 莎瑪米恩 法斯格A , SHAMAMIAN, VASGEN A. , 蘇史門 約瑟夫R , SOOTSMAN, JOSEPH R.
CPC分类号： C04B35/58092 , C04B35/653 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/6581 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C22C1/02
摘要： 本發明揭示添加0.15至5.0wt.% Al的矽鈦共熔合金。從這樣的合金製成的主體可以包含矽、二矽化鈦、及鋁相之一聚集。在一個實施例中，該主體係由這樣的合金所澆鑄製成的無裂紋組件。
简体摘要： 本发明揭示添加0.15至5.0wt.% Al的硅钛共熔合金。从这样的合金制成的主体可以包含硅、二硅化钛、及铝相之一聚集。在一个实施例中，该主体系由这样的合金所浇铸制成的无裂纹组件。
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公开(公告)号：TW201420821A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102124104
申请日：2013-07-05
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 上原直保 , UEHARA, NAOYASU
IPC分类号： C30B29/12 , C01F11/22 , H01L21/3065 , B23K20/00
CPC分类号： H01J37/32642 , C01F11/22 , C04B35/553 , C04B37/001 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/94 , C04B2235/963 , C04B2235/9669 , C04B2237/36 , C04B2237/76 , C04B2237/78 , C23C16/4585 , Y10T428/256
摘要： 本發明之課題在於不使用接著劑或帶構件等污染源而使複數構件接合。多晶CaF2構件係由組合體構成，該組合體係將由CaF2構成之複數多晶體壓接而成。
简体摘要： 本发明之课题在于不使用接着剂或带构件等污染源而使复数构件接合。多晶CaF2构件系由组合体构成，该组合体系将由CaF2构成之复数多晶体压接而成。
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公开(公告)号：TW201412928A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134355
申请日：2013-09-24
发明人： 藤井宏中 , FUJII, HIRONAKA , 白川真廣 , SHIRAKAWA, MASAHIRO , 伊藤久貴 , ITO, HISATAKA
IPC分类号： C09J7/02 , C09J9/00 , C09J183/04 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/502 , B32B18/00 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2237/343 , C08G77/16 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J183/06 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , C09K11/025 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2924/0002 , Y10T428/2852 , H01L2924/00
摘要： 本發明之螢光接著片材包含：螢光體層，其含有螢光體；及接著劑層，其積層於螢光體層之厚度方向一面上。接著劑層係由聚矽氧壓感接著劑組合物所形成。螢光接著片材之剝離強度之百分率為30%以上。
简体摘要： 本发明之萤光接着片材包含：萤光体层，其含有萤光体；及接着剂层，其积层于萤光体层之厚度方向一面上。接着剂层系由聚硅氧压感接着剂组合物所形成。萤光接着片材之剥离强度之百分率为30%以上。
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公开(公告)号：TW201408622A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102129292
申请日：2013-08-15
发明人： 哈里斯 強納森H , HARRIS, JONATHAN H. , 內梅切克 湯瑪斯 , NEMECEK, THOMAS , 泰斯奇 羅伯特 , TESCH, ROBERT
IPC分类号： C04B35/581
CPC分类号： C04B35/581 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3895 , C04B2235/402 , C04B2235/46 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661
摘要： 本發明提供一種燒結氮化鋁基板，其具有約60 W/m-K至約150 W/m-K之熱導率、約200 MPa至約325 MPa之撓曲強度、大於1010 Ohm cm之體積電阻率、至少約95%之理論值(視情況至少97%之理論值)之密度，及實質上在360 nm至820 nm波長範圍內之至少約60%之反射率因子。一種用於燒結氮化鋁之低溫方法包括提供AlN粉末及由氧化釔、氧化鈣及視情況添加之氧化鋁組成之燒結助劑之AlN燒結調配物，使該AlN燒結調配物成形為坯體，及在約1675℃至1750℃之溫度下燒結該坯體。
简体摘要： 本发明提供一种烧结氮化铝基板，其具有约60 W/m-K至约150 W/m-K之热导率、约200 MPa至约325 MPa之挠曲强度、大于1010 Ohm cm之体积电阻率、至少约95%之理论值(视情况至少97%之理论值)之密度，及实质上在360 nm至820 nm波长范围内之至少约60%之反射率因子。一种用于烧结氮化铝之低温方法包括提供AlN粉末及由氧化钇、氧化钙及视情况添加之氧化铝组成之烧结助剂之AlN烧结调配物，使该AlN烧结调配物成形为坯体，及在约1675℃至1750℃之温度下烧结该坯体。
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公开(公告)号：TW201335408A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101141156
申请日：2012-11-06
发明人： 張守斌 , ZHANG, SHOUBIN , 小路雅弘 , SHOJI, MASAHIRO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0623 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/6266 , C04B35/6455 , C04B2235/3201 , C04B2235/3281 , C04B2235/3286 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/6581 , C04B2235/723 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C22C9/00 , C23C14/3414 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 本發明為提供一種濺鍍靶，其係可藉由濺鍍法而成膜成由良好添加有Na的Cu-In-Ga-Se所成之膜，以及提供該濺鍍靶之製造方法。該濺鍍靶具有由下述所成的成份組成：含有Cu、In、Ga及Se，更以NaF化合物、Na2S化合物或Na2Se化合物之至少1種之狀態並以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05~5原子%之比例來含有Na，氧濃度為200~2000重量ppm，殘部為不可避免之雜質。
简体摘要： 本发明为提供一种溅镀靶，其系可借由溅镀法而成膜成由良好添加有Na的Cu-In-Ga-Se所成之膜，以及提供该溅镀靶之制造方法。该溅镀靶具有由下述所成的成份组成：含有Cu、In、Ga及Se，更以NaF化合物、Na2S化合物或Na2Se化合物之至少1种之状态并以Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100：0.05~5原子%之比例来含有Na，氧浓度为200~2000重量ppm，残部为不可避免之杂质。
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公开(公告)号：TW201311564A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101118684
申请日：2012-05-25
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 藤原誠志 , FUJIWARA, SEISHI , 上原直保 , UEHARA, NAOYASU , 成川由佳 , NARUKAWA, YUKA
CPC分类号： C01F11/22 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C04B35/553 , C04B2235/3208 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6027 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/963 , C30B29/12 , G02B1/02 , Y10T428/218
摘要： 一種CaF2多晶體及CaF2多晶體之製造方法，該CaF2多晶體係由CaF2構成之多晶體，晶粒之平均粒徑為200μm以上，而該CaF2多晶體之製造方法具有如下步驟：將使用CaF2粉末原料而獲得之成形體導入至真空燒結爐，於1400℃以下燒結6小時以上，獲得CaF2多晶體。
简体摘要： 一种CaF2多晶体及CaF2多晶体之制造方法，该CaF2多晶体系由CaF2构成之多晶体，晶粒之平均粒径为200μm以上，而该CaF2多晶体之制造方法具有如下步骤：将使用CaF2粉末原料而获得之成形体导入至真空烧结炉，于1400℃以下烧结6小时以上，获得CaF2多晶体。
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