-
公开(公告)号:TWI616425B
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW103108109
申请日:2014-03-10
发明人: 高見英生 , TAKAMI, HIDEO , 中村祐一郎 , NAKAMURA, YUICHIRO , 荒川篤俊 , ARAKAWA, ATSUTOSHI , 荻野真一 , OGINO, SHIN-ICHI
IPC分类号: C04B35/04 , C04B35/46 , C23C14/34 , C04B35/626 , C04B35/645 , G11B5/65 , G11B5/851 , G11B5/82 , G11B5/84
CPC分类号: G11B5/3909 , C04B35/053 , C04B35/46 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B5/82 , G11B5/851
-
公开(公告)号:TW201802060A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW106103920
申请日:2017-02-07
申请人: 日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C14/34 , H01C7/10 , H01C7/18 , H01C17/30 , G01N27/12
CPC分类号: H01C7/18 , C04B35/453 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00844 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3275 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C04B2235/5454 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6583 , C04B2235/663 , C04B2235/75 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01C7/102 , H01C7/112 , H01C17/30 , C04B41/4556 , C04B41/5049 , C04B41/4529 , C04B41/5027
摘要: 本發明之課題,係在氧化鋅區域接合其它金屬氧化物區域結構之電壓非線性電阻元件,相較於先前,將電壓非線性指數增大。本發明之解決手段,係提供一種電壓非線性電阻元件10,其包括電壓非線性電阻體(簡稱為電阻體)20、及一對電極14、16夾入上述電阻體20。電阻體20,係將以氧化鋅作為主成分之第1層21、相同地以氧化鋅作為主成分之第2層22及以與氧化鋅不同的金屬氧化物作為主成分之第3層23層積而成之結構。第2層22係接合在第1層21,其厚度較第1層21為薄,其體積電阻率較第1層21為高。第3層23係接合在第2層22。
简体摘要: 本发明之课题,系在氧化锌区域接合其它金属氧化物区域结构之电压非线性电阻组件,相较于先前,将电压非线性指数增大。本发明之解决手段,系提供一种电压非线性电阻组件10,其包括电压非线性电阻体(简称为电阻体)20、及一对电极14、16夹入上述电阻体20。电阻体20,系将以氧化锌作为主成分之第1层21、相同地以氧化锌作为主成分之第2层22及以与氧化锌不同的金属氧化物作为主成分之第3层23层积而成之结构。第2层22系接合在第1层21,其厚度较第1层21为薄,其体积电阻率较第1层21为高。第3层23系接合在第2层22。
-
公开(公告)号:TWI611032B
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:TW103126722
申请日:2014-08-05
发明人: 波爾瑟克 彼德 , POLCIK, PETER , 法蘭斯格 安瑞克 , FRANZKE, ENRICO , 沃爾夫 馬克思 , WOLFF, MARCUS
IPC分类号: C23C14/06 , H01M10/0585 , B22F3/14 , B22F3/105
CPC分类号: H01J37/3429 , C04B35/447 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/666 , C04B2235/94 , C23C14/0605 , C23C14/14 , C23C14/3414 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
-
公开(公告)号:TWI606993B
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:TW103101610
申请日:2014-01-16
发明人: 田中雅人 , TANAKA, MASATO , 塩濱晴 , SHIOHAMA, MICHIHARU , 松尾賢典 , MATSUO, YOSHINORI , 吉富丈記 , YOSHITOMI, JOUKI
IPC分类号: C04B35/043
CPC分类号: C04B35/043 , C04B35/013 , C04B35/0435 , C04B2235/3206 , C04B2235/3821 , C04B2235/402 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/652 , C04B2235/77
-
公开(公告)号:TWI603937B
公开(公告)日:2017-11-01
申请号:TW101111484
申请日:2012-03-30
发明人: 西緹 奧利維 , CITTI, OLIVIER , 卡斯美亞薩克 安德亞 L , KAZMIERCZAK, ANDREA L.
IPC分类号: C04B35/101 , C03C15/00
CPC分类号: C04B35/10 , C03B17/064 , C04B35/1015 , C04B35/111 , C04B35/117 , C04B35/443 , C04B35/62665 , C04B2235/3206 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/3813 , C04B2235/3839 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/77 , C04B2235/9692
-
公开(公告)号:TWI600634B
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW103108320
申请日:2014-03-11
申请人: 日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人: 神藤明日美 , JINDO, ASUMI , 井上勝弘 , INOUE, KATSUHIRO , 勝田祐司 , KATSUDA, YUJI
IPC分类号: C04B35/565 , C04B35/645
CPC分类号: H01L21/67109 , B21D53/02 , B32B9/005 , B32B37/10 , B32B38/0012 , B32B2311/00 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B35/5615 , C04B35/575 , C04B35/62635 , C04B37/006 , C04B2235/3826 , C04B2235/3843 , C04B2235/3891 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/708 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68757 , Y10T29/4935
-
公开(公告)号:TW201730357A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:TW105129144
申请日:2016-09-08
申请人: 福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人: 伊部博之 , IBE, HIROYUKI , 佐藤和人 , SATO, KAZUTO , 都築一志 , TSUZUKI, KAZUYUKI , 益田敬也 , MASUDA, TAKAYA
IPC分类号: C23C4/04 , C23C4/134 , C23C4/129 , C04B35/553
CPC分类号: C23C4/129 , C04B35/5152 , C04B35/553 , C04B35/62222 , C04B2235/3225 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C09D1/00 , C23C4/04 , C23C4/134
摘要: 本發明提供可良好地形成耐電漿腐蝕性更優異之熔射皮膜之熔射用漿料。依據本發明,提供熔射用漿料,其包含由含有釔(Y)及鹵元素(X)作為構成元素之化合物所成之熔射粒子與分散介質。該熔射用漿料中,熔射粒子含量為10質量%以上70質量%以下,且黏度為300mPa.s以下。
简体摘要: 本发明提供可良好地形成耐等离子腐蚀性更优异之熔射皮膜之熔射用浆料。依据本发明,提供熔射用浆料,其包含由含有钇(Y)及卤元素(X)作为构成元素之化合物所成之熔射粒子与分散介质。该熔射用浆料中,熔射粒子含量为10质量%以上70质量%以下,且黏度为300mPa.s以下。
-
公开(公告)号:TWI594969B
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:TW102111261
申请日:2013-03-28
申请人: 馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人: 溫克勒 豪格 , WINKLER, HOLGER , 約舒泰 湯瑪斯 , JUESTEL, THOMAS , 布落娃 朱麗安 , PLEWA, JULIAN
IPC分类号: C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/44 , C09K11/80 , H01L33/50
CPC分类号: C09K11/7776 , C04B35/195 , C04B35/44 , C04B35/62675 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62886 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/443 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C09K11/7774 , H01L33/502 , Y02B20/181
-
公开(公告)号:TW201716604A
公开(公告)日:2017-05-16
申请号:TW105137667
申请日:2013-02-06
发明人: 齋藤淳 , SAITO, ATSUSHI , 森理惠 , MORI, RIE
CPC分类号: G11B7/254 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/547 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3217 , C04B2235/3241 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , H01J37/3429
摘要: 本發明提供一種氧化物濺鍍靶,其係作為光記錄媒體保護膜形成用,可成膜為保存性高、具有柔軟性之不易破裂之膜,而且可進行直流濺鍍,於濺鍍時之顆粒亦少。氧化物濺鍍靶係由相對於全部金屬成分量含有Al、Ga及In中之一種以上之合計:0.15at%以上,且Sn:7at%以上,Al、Ga、In及Sn之合計:36at%以下,其餘為Zn及不可避免雜質所組成之氧化物燒結體。
简体摘要: 本发明提供一种氧化物溅镀靶,其系作为光记录媒体保护膜形成用,可成膜为保存性高、具有柔软性之不易破裂之膜,而且可进行直流溅镀,于溅镀时之颗粒亦少。氧化物溅镀靶系由相对于全部金属成分量含有Al、Ga及In中之一种以上之合计:0.15at%以上,且Sn:7at%以上,Al、Ga、In及Sn之合计:36at%以下,其余为Zn及不可避免杂质所组成之氧化物烧结体。
-
公开(公告)号:TW201711954A
公开(公告)日:2017-04-01
申请号:TW105118789
申请日:2016-06-15
发明人: 納哈斯 納畢 , NAHAS, NABIL , 巴鴻 愛歐戴 , BAHON, ELODIE , 伯桑洛克斯 依維斯 , BOUSSANT-ROUX, YVES
IPC分类号: C01B21/064 , C04B26/02
CPC分类号: C04B26/04 , C01B21/064 , C01P2004/32 , C01P2004/60 , C01P2006/10 , C01P2006/16 , C01P2006/80 , C04B26/08 , C04B26/10 , C04B26/32 , C04B35/583 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/6268 , C04B35/62695 , C04B38/009 , C04B2111/00465 , C04B2111/00844 , C04B2235/386 , C04B2235/528 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/608 , C04B2235/72 , C04B2235/728 , C04B2235/767 , C04B14/327 , C04B20/002 , C04B2103/0041 , C04B38/0054 , C04B38/0058
摘要: 本發明關於基本上由以氮化硼為底的聚集體所構成之粉末,該粉末展現包含以重量百分比表示之介於40與45%之間的硼、介於53與57%之間的氮、少於400ppm(重量計)之鈣、總計少於5%之其他元素的整體化學組成,以及多於90%之氮化硼(包括端值),以重量百分比表示且以組合結晶相為基準,平均圓度為大於或等於0.90、中位孔徑為小於或等於1.5μm,且視孔隙度為小於或等於55%。
简体摘要: 本发明关于基本上由以氮化硼为底的聚集体所构成之粉末,该粉末展现包含以重量百分比表示之介于40与45%之间的硼、介于53与57%之间的氮、少于400ppm(重量计)之钙、总计少于5%之其他元素的整体化学组成,以及多于90%之氮化硼(包括端值),以重量百分比表示且以组合结晶相为基准,平均圆度为大于或等于0.90、中位孔径为小于或等于1.5μm,且视孔隙度为小于或等于55%。
-
-
-
-
-
-
-
-
-