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    真空蒸鍍裝置
    7.
    发明专利
    真空蒸鍍裝置 审中-公开
    真空蒸镀设备

    公开(公告)号：TW201814771A

    公开(公告)日：2018-04-16

    申请号：TW106125454

    申请日：2017-07-28

    Applicant: 日商愛發科股份有限公司 ,  ULVAC, INC.

    Inventor： 北沢僚也 ,  KITAZAWA, RYOYA ,  汲田健太郎 ,  KUMITA, KENTARO ,  菊地誠 ,  KIKUCHI, MAKOTO

    IPC: H01L21/203 ,  C23C14/24 ,  C23C14/56

    CPC classification number: C23C14/04 ,  C23C14/24

    Abstract: 提供一種真空蒸鍍裝置，可以將屏蔽效果有效地抑制，且可以蒸鍍物質的附著效率佳地鍍膜。 　　具備：被配置於真空腔室（1）內的蒸鍍源（3）、及對於蒸鍍源將基板（S）朝一方向相對移動的移動手段、及屏蔽材（4）。將蒸鍍源及基板的相對移動方向設成X軸方向，將基板的寬度方向設成Y軸方向，在蒸鍍源的收容箱（31），使噴出噴嘴（32）在Y軸方向由規定的間隔被列設。分別位置在Y軸方向兩端的噴出噴嘴相互之間的間隔，是被設定成對應噴出噴嘴及被鍍膜物的距離（NS）比基板的寬度（Ws）更短。將位於Y軸方向中央領域的各噴出噴嘴設成主噴嘴（32m），將位於比其更Y軸方向各側的外方的噴出噴嘴設成副噴嘴（32s），主噴嘴的噴嘴孔是具有與基板（S）交叉的孔軸（33），副噴嘴的噴嘴孔是具有對於主噴嘴的孔軸朝Y軸方向外方傾斜的孔軸（34）。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种真空蒸镀设备，可以将屏蔽效果有效地抑制，且可以蒸镀物质的附着效率佳地镀膜。 　　具备：被配置于真空腔室（1）内的蒸镀源（3）、及对于蒸镀源将基板（S）朝一方向相对移动的移动手段、及屏蔽材（4）。将蒸镀源及基板的相对移动方向设成X轴方向，将基板的宽度方向设成Y轴方向，在蒸镀源的收容箱（31），使喷出喷嘴（32）在Y轴方向由规定的间隔被列设。分别位置在Y轴方向两端的喷出喷嘴相互之间的间隔，是被设置成对应喷出喷嘴及被镀膜物的距离（NS）比基板的宽度（Ws）更短。将位于Y轴方向中央领域的各喷出喷嘴设成主喷嘴（32m），将位于比其更Y轴方向各侧的外方的喷出喷嘴设成副喷嘴（32s），主喷嘴的喷嘴孔是具有与基板（S）交叉的孔轴（33），副喷嘴的喷嘴孔是具有对于主喷嘴的孔轴朝Y轴方向外方倾斜的孔轴（34）。

    半導體裝置的製造方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201738940A

    公开(公告)日：2017-11-01

    申请号：TW106108746

    申请日：2011-08-18

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: H01L21/203 ,  H01L21/316

    CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02694 ,  H01L29/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

    Abstract: 本發明之一目標為具有穩定電特性及高可靠性，及製造包括半導電氧化物膜之半導體裝置。使用一靶材藉由濺鍍法執行膜形成係，其中氧化鎵添加至一材料，當例如鋅之該材料以400℃至700℃加熱時相較於鎵而易於揮發，形成之膜以400℃至700℃加熱，藉此該添加之材料分離於該膜之表面附近，且該氧化物結晶。此外。半導電氧化物膜沉積於其上，藉此形成具有結晶之半導電氧化物，其完成藉由熱處理而結晶之該氧化物的結晶結構。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之一目标为具有稳定电特性及高可靠性，及制造包括半导电氧化物膜之半导体设备。使用一靶材借由溅镀法运行膜形成系，其中氧化镓添加至一材料，当例如锌之该材料以400℃至700℃加热时相较于镓而易于挥发，形成之膜以400℃至700℃加热，借此该添加之材料分离于该膜之表面附近，且该氧化物结晶。此外。半导电氧化物膜沉积于其上，借此形成具有结晶之半导电氧化物，其完成借由热处理而结晶之该氧化物的结晶结构。

    半導體裝置
    9.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201733133A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW106117660

    申请日：2011-08-02

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 野田耕生 ,  NODA, KOSEI ,  遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L21/203 ,  H01L29/94 ,  G02F1/1368

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733

    Abstract: 本發明提供包含以下組件之半導體裝置及該半導體裝置的製造方法。該半導體裝置包含基板；氧化物半導體層，在該基板上；源極電極及汲極電極，其末端部分具有錐形角度且其上端部分具有彎曲表面，該源極電極及該汲極電極係電性連接至該氧化物半導體層；閘極絕緣層，係與該氧化物半導體層的一部分接觸，且覆蓋該氧化物半導體層、該源極電極、及該汲極電極；以及閘極電極，係與該氧化物半導體層重疊且在該閘極絕緣層之上。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供包含以下组件之半导体设备及该半导体设备的制造方法。该半导体设备包含基板；氧化物半导体层，在该基板上；源极电极及汲极电极，其末端部分具有锥形角度且其上端部分具有弯曲表面，该源极电极及该汲极电极系电性连接至该氧化物半导体层；闸极绝缘层，系与该氧化物半导体层的一部分接触，且覆盖该氧化物半导体层、该源极电极、及该汲极电极；以及闸极电极，系与该氧化物半导体层重叠且在该闸极绝缘层之上。

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