公开(公告)号：US06661642B2

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10268433

申请日：2002-10-10

申请人： Craig S. Allen ,  Maria Anna Rzeznik ,  S. Matthew Cairns

发明人： Craig S. Allen ,  Maria Anna Rzeznik ,  S. Matthew Cairns

IPC分类号： H01G420

CPC分类号： H05K1/162 ,  H01G4/06 ,  H01L21/2885 ,  H01L28/56 ,  H01L28/60 ,  H05K3/181 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0236 ,  H05K2201/09309

摘要： Multilayer dielectric structures particularly suitable for use in capacitors and having a plating dopant in an amount sufficient to promote plating of a conductive layer are provided, together with methods of forming such structures. Such dielectric structures show increased adhesion of subsequently applied conductive layers.

摘要翻译： 提供特别适用于电容器并具有足以促进导电层镀覆的电镀掺杂剂的多层电介质结构，以及形成这种结构的方法。 这种介电结构显示随后施加的导电层的附着力增加。