公开(公告)号：US20100102412A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12404275

申请日：2009-03-13

Applicant: Dongwoo SUH ,  Sam Hoon KIM ,  Gyungock KIM ,  JiHo JOO

Inventor： Dongwoo SUH ,  Sam Hoon KIM ,  Gyungock KIM ,  JiHo JOO

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is a germanium photodetector having a germanium epitaxial layer formed without using a buffer layer and a method of fabricating the same. In the method, an amorphous germanium layer is formed on a substrate. The amorphous germanium layer is heated up to a high temperature to form a crystallized germanium layer. A germanium epitaxial layer is formed on the crystallized germanium layer.

Abstract translation: 提供了具有不使用缓冲层形成的锗外延层的锗光电检测器及其制造方法。 在该方法中，在基板上形成无定形锗层。 将非晶锗层加热至高温以形成结晶的锗层。 在结晶的锗层上形成锗外延层。