-
公开(公告)号：US20090079001A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：US11859624
申请日：2007-09-21
申请人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, JR. , Francine Y. Robb , Ki Chang
发明人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, JR. , Francine Y. Robb , Ki Chang
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , Y10S438/983 , H01L2924/00
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管。
-
公开(公告)号：US07579632B2
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：US11859624
申请日：2007-09-21
申请人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, Jr. , Francine Y. Robb , Ki Chang
发明人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Sudhama C. Shastri , Thomas Keena , Gordon M. Grivna , John Michael Parsey, Jr. , Francine Y. Robb , Ki Chang
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L23/60 , H01L2924/0002 , Y10S438/983 , H01L2924/00
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管。
-
公开(公告)号：US20090162988A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：US12395076
申请日：2009-02-27
申请人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, JR. , George Chang
发明人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, JR. , George Chang
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L27/0255 , H01L29/8618 , Y10S257/929 , Y10S438/966 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.
-
公开(公告)号：US08039359B2
公开(公告)日：2011-10-18
申请号：US12395076
申请日：2009-02-27
申请人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, Jr. , George Chang
发明人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, Jr. , George Chang
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L27/0255 , H01L29/8618 , Y10S257/929 , Y10S438/966 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件使用ESD器件内深度的高掺杂P和N区域形成具有受控击穿电压的齐纳二极管。
-
公开(公告)号：US07538395B2
公开(公告)日：2009-05-26
申请号：US11859570
申请日：2007-09-21
申请人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, Jr. , George Chang
发明人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, Jr. , George Chang
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L27/0255 , H01L29/8618 , Y10S257/929 , Y10S438/966 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件使用ESD器件内深度的高掺杂P和N区域形成具有受控击穿电压的齐纳二极管。
-
公开(公告)号：US20090079022A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：US11859570
申请日：2007-09-21
申请人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, JR. , George Chang
发明人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, JR. , George Chang
IPC分类号： H01L29/866 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L27/0255 , H01L29/8618 , Y10S257/929 , Y10S438/966 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件使用ESD器件内深度的高掺杂P和N区域形成具有受控击穿电压的齐纳二极管。
-
公开(公告)号：US20110021009A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：US12890878
申请日：2010-09-27
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
-
公开(公告)号：US20100006889A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：US12170630
申请日：2008-07-10
IPC分类号： H01L29/866 , H01L21/20
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
-
公开(公告)号：US07842969B2
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：US12170630
申请日：2008-07-10
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
-
公开(公告)号：US08309422B2
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：US12890878
申请日：2010-09-27
IPC分类号： H01L29/866
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
53 条记录 (耗时 0.035 秒)
