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公开(公告)号：US20120064675A1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：US13299193
申请日：2011-11-17
申请人： Ali Salih , Mingjiao Liu
发明人： Ali Salih , Mingjiao Liu
IPC分类号： H01L21/329
CPC分类号： H01L29/866 , H01L27/0255 , H01L29/861 , Y10S148/174 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, a two terminal multi-channel ESD device is configured to include a zener diode and a plurality of P-N diodes. In another embodiment, the ESD devices has an asymmetrical, characteristic.
摘要翻译： 在一个实施例中，双端子多通道ESD器件被配置为包括齐纳二极管和多个P-N二极管。 在另一个实施例中，ESD器件具有不对称的特性。
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公开(公告)号：US20110021009A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：US12890878
申请日：2010-09-27
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
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公开(公告)号：US07812367B2
公开(公告)日：2010-10-12
申请号：US12251978
申请日：2008-10-15
申请人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Thomas Keena
发明人： Ali Salih , Mingjiao Liu , Thomas Keena
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/74 , H01L31/111 , H01L29/30 , H01L29/866 , H01L29/88 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/72 , H01L29/73 , H01L23/58
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, a two terminal multi-channel ESD device is configured to include a zener diode and a plurality of P-N diodes.
摘要翻译： 在一个实施例中，双端子多通道ESD器件被配置为包括齐纳二极管和多个P-N二极管。
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公开(公告)号：US08093133B2
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：US12098369
申请日：2008-04-04
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/87 , H01L29/747 , H01L29/866
摘要： Transient voltage suppressor and method for manufacturing the transient voltage suppressor having a dopant or carrier concentration in a portion of a gate region near a Zener region that is different from a dopant concentration in a portion of a gate region that is away from the Zener region.
摘要翻译： 瞬态电压抑制器和制造瞬态电压抑制器的方法，该电压抑制器在齐纳一区域附近的栅极区域的与偏离齐纳一区域的栅极区域的一部分中的掺杂浓度不同的部分中具有掺杂剂或载流子浓度。
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公开(公告)号：US20100006889A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：US12170630
申请日：2008-07-10
IPC分类号： H01L29/866 , H01L21/20
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
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公开(公告)号：US20090250720A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：US12098369
申请日：2008-04-04
IPC分类号： H01L29/866 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/87 , H01L29/747 , H01L29/866
摘要： Transient voltage suppressor and method for manufacturing the transient voltage suppressor having a dopant or carrier concentration in a portion of a gate region near a Zener region that is different from a dopant concentration in a portion of a gate region that is away from the Zener region.
摘要翻译： 瞬态电压抑制器和制造瞬态电压抑制器的方法，该电压抑制器在齐纳一区域附近的栅极区域的与偏离齐纳一区域的栅极区域的一部分中的掺杂浓度不同的部分中具有掺杂剂或载流子浓度。
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公开(公告)号：US20090162988A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：US12395076
申请日：2009-02-27
申请人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, JR. , George Chang
发明人： Thomas Keena , Ki Chang , Francine Y. Robb , Mingjiao Liu , Ali Salih , John Michael Parsey, JR. , George Chang
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/8613 , H01L27/0255 , H01L29/8618 , Y10S257/929 , Y10S438/966 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, the ESD device uses highly doped P and N regions deep within the ESD device to form a zener diode that has a controlled breakdown voltage.
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公开(公告)号：US08236625B2
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：US13299193
申请日：2011-11-17
申请人： Ali Salih , Mingjiao Liu
发明人： Ali Salih , Mingjiao Liu
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L29/866 , H01L27/0255 , H01L29/861 , Y10S148/174 , Y10S438/983
摘要： In one embodiment, a two terminal multi-channel ESD device is configured to include a zener diode and a plurality of P-N diodes. In another embodiment, the ESD devices has an asymmetrical, characteristic.
摘要翻译： 在一个实施例中，双端子多通道ESD器件被配置为包括齐纳二极管和多个P-N二极管。 在另一个实施例中，ESD器件具有不对称的特性。
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公开(公告)号：US08188572B2
公开(公告)日：2012-05-29
申请号：US13094085
申请日：2011-04-26
IPC分类号： H01L27/08
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L27/0255 , H03H7/0107
摘要： In one embodiment, a plurality of ESD devices are used to form an integrated semiconductor filter circuit. Additional diodes are formed in parallel with the ESD structures in order to increase the input capacitance.
摘要翻译： 在一个实施例中，使用多个ESD器件来形成集成半导体滤波器电路。 额外的二极管与ESD结构并联形成，以增加输入电容。
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公开(公告)号：US07842969B2
公开(公告)日：2010-11-30
申请号：US12170630
申请日：2008-07-10
IPC分类号： H01L23/60
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/8611 , H01L29/866
摘要： In one embodiment, an ESD device is configured to include a zener diode and a P-N diode and to have a conductor that provides a current path between the zener diode and the P-N diode.
摘要翻译： 在一个实施例中，ESD器件被配置为包括齐纳二极管和P-N二极管，并且具有在齐纳二极管和P-N二极管之间提供电流路径的导体。
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