公开(公告)号：US20070292721A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11789891

申请日：2007-04-25

申请人： Andreas Berger ,  Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Hoa Do ,  Eric Fullerton ,  Bernd Heinz ,  Yoshihiro Ikeda ,  David Margulies ,  Mary Minardi ,  Mohammad Mirzamaani ,  Hal Rosen ,  Natacha Supper ,  Kentaro Takano ,  Min Xiao

发明人： Andreas Berger ,  Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Hoa Do ,  Eric Fullerton ,  Bernd Heinz ,  Yoshihiro Ikeda ,  David Margulies ,  Mary Minardi ,  Mohammad Mirzamaani ,  Hal Rosen ,  Natacha Supper ,  Kentaro Takano ,  Min Xiao

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/706

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/851

摘要： A perpendicular magnetic recording medium including improvements to the recording layer (RL), exchange break layer (EBL), soft underlayer (SUL), overcoat (OC), adhesion layer (AL) and the combination of the layers. Advances in the RL include a cap layer. Improvements in the EBL include a multiple layer EBL.

摘要翻译： 包括对记录层（RL），交换破坏层（EBL），软底层（SUL），外涂层（OC），粘合层（AL）以及这些层的组合的改进的垂直磁记录介质。 RL的进步包括盖层。 EBL的改进包括多层EBL。

公开(公告)号：US20080096053A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11584992

申请日：2006-10-23

申请人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Hoa Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  David Margulies ,  Mary Frances Minardi ,  Natacha Frederique Supper ,  Kentaro Takano ,  Min Xiao ,  Qi-Fan Xiao

发明人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Hoa Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  David Margulies ,  Mary Frances Minardi ,  Natacha Frederique Supper ,  Kentaro Takano ,  Min Xiao ,  Qi-Fan Xiao

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

摘要： An improved structure for the construction of perpendicular recording media is disclosed. The structure includes a perpendicular recording layer with at least two oxide sublayers or a lower sublayer of a non-oxide. One structure includes an upper sublayer comprised of a Silicon-oxide, while a lower sublayer is comprised of a Tantalum-oxide. The structures provide for increased coercivity and corrosion resistance.

摘要翻译： 公开了用于构建垂直记录介质的改进的结构。 该结构包括具有至少两个氧化物层的垂直记录层或非氧化物的下层。 一个结构包括由氧化硅构成的上层，而下层由钽氧化物构成。 该结构提供增强的矫顽力和耐腐蚀性。

公开(公告)号：US07862913B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11584992

申请日：2006-10-23

申请人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Hoa Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  David Margulies ,  Mary Frances Minardi ,  Natacha Frederique Supper ,  Kentaro Takano ,  Min Xiao ,  Qi-Fan Xiao

发明人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Hoa Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  David Margulies ,  Mary Frances Minardi ,  Natacha Frederique Supper ,  Kentaro Takano ,  Min Xiao ,  Qi-Fan Xiao

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/706

CPC分类号： G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

摘要： An improved structure for the construction of perpendicular recording media is disclosed. The structure includes a perpendicular recording layer with at least two oxide sublayers or a lower sublayer of a non-oxide. One structure includes an upper sublayer comprised of a Silicon-oxide, while a lower sublayer is comprised of a Tantalum-oxide. The structures provide for increased coercivity and corrosion resistance.

摘要翻译： 公开了用于构建垂直记录介质的改进的结构。 该结构包括具有至少两个氧化物层的垂直记录层或非氧化物的下层。 一个结构包括由氧化硅构成的上层，而下层由钽氧化物构成。 该结构提供增强的矫顽力和耐腐蚀性。

公开(公告)号：US08747628B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13438804

申请日：2012-04-03

申请人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

发明人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

IPC分类号： C23C14/08

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/65

摘要： A method according to one embodiment includes forming a high Ku first oxide magnetic layer above a substrate by sputtering; forming a low Ku second oxide magnetic layer above the first oxide magnetic layer by sputtering; forming an exchange coupling layer of CoCrPt-oxide above the second oxide magnetic layer; and forming a magnetic cap layer above the exchange coupling layer. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施例的方法包括通过溅射在衬底上方形成高Ku第一氧化物磁性层; 通过溅射在第一氧化物磁性层上方形成低Ku第二氧化物磁性层; 在所述第二氧化物磁性层上方形成CoCrPt氧化物的交换耦合层; 以及在所述交换耦合层上方形成磁性覆盖层。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US20120186974A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13438804

申请日：2012-04-03

申请人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

发明人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/06

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/65

摘要： A method according to one embodiment includes forming a high Ku first oxide magnetic layer above a substrate by sputtering; forming a low Ku second oxide magnetic layer above the first oxide magnetic layer by sputtering; forming an exchange coupling layer of CoCrPt-oxide above the second oxide magnetic layer; and forming a magnetic cap layer above the exchange coupling layer. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施例的方法包括通过溅射在衬底上方形成高Ku第一氧化物磁性层; 通过溅射在第一氧化物磁性层上方形成低Ku第二氧化物磁性层; 在所述第二氧化物磁性层上方形成CoCrPt氧化物的交换耦合层; 以及在所述交换耦合层上方形成磁性覆盖层。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US08168310B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12638905

申请日：2009-12-15

申请人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

发明人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/65

摘要： A magnetic storage medium according to one embodiment includes a substrate; a first oxide magnetic layer formed above the substrate; a second oxide magnetic layer formed above the first oxide magnetic layer; an exchange coupling layer formed above the second oxide magnetic layer, the exchange coupling layer comprising an oxide; and a magnetic cap layer formed above the exchange coupling layer. A method according to one embodiment includes forming a high Ku first oxide magnetic layer above a substrate by sputtering; forming a low Ku second oxide magnetic layer above the first oxide magnetic layer by sputtering; forming an exchange coupling layer of CoCrPt-oxide above the second oxide magnetic layer; and forming a magnetic cap layer above the exchange coupling layer. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施例的磁存储介质包括基板; 形成在所述基板上的第一氧化物磁性层; 形成在所述第一氧化物磁性层上方的第二氧化物磁性层; 在所述第二氧化物磁性层上形成的交换耦合层，所述交换耦合层包含氧化物; 以及形成在所述交换耦合层上方的磁性盖层。 根据一个实施例的方法包括通过溅射在衬底上方形成高Ku第一氧化物磁性层; 通过溅射在第一氧化物磁性层上方形成低Ku第二氧化物磁性层; 在所述第二氧化物磁性层上方形成CoCrPt氧化物的交换耦合层; 以及在所述交换耦合层上方形成磁性覆盖层。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US20110141621A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12638905

申请日：2009-12-15

申请人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

发明人： Xiaoping Bian ,  Jack Jyh-Kau Chang ,  Qing Dai ,  Hoa V. Do ,  Yoshihiro Ikeda ,  Kentaro Takano ,  Chu S. Tran

IPC分类号： G11B5/82 ,  C23C14/34

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/65

摘要： A magnetic storage medium according to one embodiment includes a substrate; a first oxide magnetic layer formed above the substrate; a second oxide magnetic layer formed above the first oxide magnetic layer; an exchange coupling layer formed above the second oxide magnetic layer, the exchange coupling layer comprising an oxide; and a magnetic cap layer formed above the exchange coupling layer. A method according to one embodiment includes forming a high Ku first oxide magnetic layer above a substrate by sputtering; forming a low Ku second oxide magnetic layer above the first oxide magnetic layer by sputtering; forming an exchange coupling layer of CoCrPt-oxide above the second oxide magnetic layer; and forming a magnetic cap layer above the exchange coupling layer. Additional systems and methods are also presented.

摘要翻译： 根据一个实施例的磁存储介质包括基板; 形成在所述基板上的第一氧化物磁性层; 形成在所述第一氧化物磁性层上方的第二氧化物磁性层; 在所述第二氧化物磁性层上形成的交换耦合层，所述交换耦合层包含氧化物; 以及形成在所述交换耦合层上方的磁性盖层。 根据一个实施例的方法包括通过溅射在衬底上方形成高Ku第一氧化物磁性层; 通过溅射在第一氧化物磁性层上方形成低Ku第二氧化物磁性层; 在所述第二氧化物磁性层上方形成CoCrPt氧化物的交换耦合层; 以及在所述交换耦合层上方形成磁性覆盖层。 还介绍了其他系统和方法。

公开(公告)号：US20080213629A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11681693

申请日：2007-03-02

申请人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Mary F. Minardi ,  Mohammad T. Mirzamaani ,  Kentaro Takano ,  Kai Tang

发明人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Mary F. Minardi ,  Mohammad T. Mirzamaani ,  Kentaro Takano ,  Kai Tang

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/147

CPC分类号： G11B5/7325

摘要： Perpendicular magnetic recording media and methods of fabricating perpendicular magnetic recording media are described. The perpendicular magnetic recording medium of one embodiment includes an interlayer, an underlayer, and a perpendicular magnetic recording layer. The interlayer is formed from a NiWCr alloy.

摘要翻译： 描述垂直磁记录介质和制造垂直磁记录介质的方法。 一个实施例的垂直磁记录介质包括中间层，底层和垂直磁记录层。 中间层由NiWCr合金形成。

公开(公告)号：US07736767B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11681693

申请日：2007-03-02

申请人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Mary F. Minardi ,  Mohammad T. Mirzamaani ,  Kentaro Takano ,  Kai Tang

发明人： Xiaoping Bian ,  Qing Dai ,  Mary F. Minardi ,  Mohammad T. Mirzamaani ,  Kentaro Takano ,  Kai Tang

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/7325

摘要： Perpendicular magnetic recording media and methods of fabricating perpendicular magnetic recording media are described. The perpendicular magnetic recording medium of one embodiment includes an interlayer, an underlayer, and a perpendicular magnetic recording layer. The interlayer is formed from a NiWCr alloy.

摘要翻译： 描述垂直磁记录介质和制造垂直磁记录介质的方法。 一个实施例的垂直磁记录介质包括中间层，底层和垂直磁记录层。 中间层由NiWCr合金形成。

公开(公告)号：US07419730B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US10931642

申请日：2004-08-31

申请人： Xiaoping Bian ,  Mary Frances Doerner ,  Tetsuya Kanbe ,  Mark Mercado ,  Mohammad Mirzamaani ,  Adam Polcyn ,  Kai Tang

发明人： Xiaoping Bian ,  Mary Frances Doerner ,  Tetsuya Kanbe ,  Mark Mercado ,  Mohammad Mirzamaani ,  Adam Polcyn ,  Kai Tang

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/732 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

摘要： An antiferromagnetically coupled (AFC) magnetic recording medium with an AFC master layer comprising at least two magnetic layers with the top magnetic layer including copper is described. The slave layer is separated from the master layer structure by a nonmagnetic spacer layer selected to antiferromagnetically couple the layers. The master layer structure according to the invention includes a bottom and top layer of distinct ferromagnetic materials. Preferably, the top layer of the master layer is a cobalt alloy including from 1 to 5 at. % copper with an example being CoPt13Cr20B8Cu2. The AFC magnetic layer structure can be used with a variety of substrates including circumferentially textured glass and NiP/AlMg.

摘要翻译： 描述了具有包括至少两个具有顶部磁性层包括铜的磁性层的AFC主层的反铁磁耦合（AFC）磁记录介质。 通过选择用于反铁磁耦合层的非磁性间隔层将从属层与主层结构分离。 根据本发明的主层结构包括不同铁磁材料的底层和顶层。 优选地，主层的顶层是包括1至5个的钴合金。 ％铜，例如CoPt 13 C 20 20 B 2 Cu 2。 AFC磁性层结构可以与各种基材一起使用，包括圆周纹理玻璃和NiP / AlMg。