公开(公告)号：US20150225845A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：US14608856

申请日：2015-01-29

Applicant: Electronics and Telecommunications Research Institute

Inventor： Jonghyurk PARK ,  Jong-Heon YANG ,  Seunghyup YOO ,  Jungmin CHOI ,  Hye Yong CHU ,  Chi-Sun HWANG

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/48 ,  C23C16/511 ,  C23C16/448

CPC classification number: C23C16/48 ,  C23C16/047 ,  C23C16/407 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/482 ,  C23C16/545

Abstract: Provided is a metal oxide thin film forming method including: vaporizing a first metal oxide precursor; allowing the vaporized first metal oxide precursor to flow into a mixture chamber by using a first carrier gas; injecting the flowed first metal oxide precursor on a substrate through a micro nozzle connected to the mixture chamber to form a first metal oxide precursor layer on the substrate; and emitting electromagnetic waves to the first metal oxide precursor layer to form a first metal oxide layer.

Abstract translation: 提供一种金属氧化物薄膜形成方法，包括：蒸发第一金属氧化物前体; 允许蒸发的第一金属氧化物前体通过使用第一载气流入混合室; 通过连接到混合室的微喷嘴将流动的第一金属氧化物前体注入到基底上，以在基底上形成第一金属氧化物前体层; 并向第一金属氧化物前体层发射电磁波，以形成第一金属氧化物层。