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    Semiconductor device
    2.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US07538433B2

    公开(公告)日：2009-05-26

    申请号：US11452957

    申请日：2006-06-15

    申请人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    发明人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    IPC分类号： H01L23/52

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device includes at least three or more wiring layers stacked in an interlayer insulating film on a semiconductor substrate, a seal ring provided at the outer periphery of a chip region of the semiconductor substrate and a chip strength reinforcement provided in part of the chip region near the seal ring. The chip strength reinforcement is made of a plurality of dummy wiring structures and each of the plurality of dummy wiring structures is formed to extend across and within two or more of the wiring layers including one or none of the bottommost wiring layer and the topmost wiring layer using a via portion.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括在半导体衬底上的层间绝缘膜中堆叠的至少三个或更多个布线层，设置在半导体衬底的芯片区域的外周处的密封环和在芯片区域的一部分中提供的芯片强度增强 靠近密封圈。 芯片强度加强件由多个虚拟布线结构构成，并且多个虚设布线结构中的每一个形成为跨越两个或更多个布线层中的两个或更多个布线层，包括最下面的布线层和最上面的布线层 使用通孔部分。

    Semiconductor device
    3.
    发明申请
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20070001308A1

    公开(公告)日：2007-01-04

    申请号：US11452957

    申请日：2006-06-15

    申请人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    发明人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device includes at least three or more wiring layers stacked in an interlayer insulating film on a semiconductor substrate, a seal ring provided at the outer periphery of a chip region of the semiconductor substrate and a chip strength reinforcement provided in part of the chip region near the seal ring. The chip strength reinforcement is made of a plurality of dummy wiring structures and each of the plurality of dummy wiring structures is formed to extend across and within two or more of the wiring layers including one or none of the bottommost wiring layer and the topmost wiring layer using a via portion.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括在半导体衬底上的层间绝缘膜中堆叠的至少三个或更多个布线层，设置在半导体衬底的芯片区域的外周处的密封环和在芯片区域的一部分中提供的芯片强度增强 靠近密封圈。 芯片强度加强件由多个虚拟布线结构构成，并且多个虚设布线结构中的每一个形成为跨越两个或更多个布线层中的两个或更多个布线层，包括最下面的布线层和最上面的布线层 使用通孔部分。

    SEMICONDUCTOR DEVICE
    5.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20110095430A1

    公开(公告)日：2011-04-28

    申请号：US12984142

    申请日：2011-01-04

    申请人： Koji TAKEMURA ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    发明人： Koji TAKEMURA ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    IPC分类号： H01L23/485

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device includes at least three or more wiring layers stacked in an interlayer insulating film on a semiconductor substrate, a seal ring provided at the outer periphery of a chip region of the semiconductor substrate and a chip strength reinforcement provided in part of the chip region near the seal ring. The chip strength reinforcement is made of a plurality of dummy wiring structures and each of the plurality of dummy wiring structures is formed to extend across and within two or more of the wiring layers including one or none of the bottommost wiring layer and the topmost wiring layer using a via portion.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括在半导体衬底上的层间绝缘膜中堆叠的至少三个或更多个布线层，设置在半导体衬底的芯片区域的外周处的密封环和在芯片区域的一部分中提供的芯片强度增强 靠近密封圈。 芯片强度加强件由多个虚拟布线结构构成，并且多个虚设布线结构中的每一个形成为跨越两个或更多个布线层中的两个或更多个布线层，包括最下面的布线层和最上面的布线层 使用通孔部分。

    Semiconductor device
    6.
    发明申请
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20080036042A1

    公开(公告)日：2008-02-14

    申请号：US11889210

    申请日：2007-08-09

    申请人： Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Hiroshige Hirano ,  Koji Takemura

    发明人： Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Hiroshige Hirano ,  Koji Takemura

    IPC分类号： H01L23/544

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device includes: a circuit region having a function element formed on a semiconductor substrate; a scribe region located between the circuit region and another circuit region formed spaced from the circuit region, the scribe region including a cutting region and non-cutting regions provided at both sides of the cutting region; a first interlayer insulating film formed in the scribe region on the semiconductor substrate; a first dummy pattern made of conductive material and formed in the first interlayer insulating film in the cutting region; and a second dummy pattern made of conductive material and formed in the first interlayer insulating film in each of the non-cutting regions. The ratio, per unit area, of the area of the first dummy pattern to the area of the cutting region is lower than the ratio, per unit area, of the area of the second dummy pattern to the area of the non-cutting regions.

    摘要翻译： 半导体器件包括：具有形成在半导体衬底上的功能元件的电路区域; 位于所述电路区域和与所述电路区域间隔开的另一电路区域之间的划线区域，所述划线区域包括切割区域和设置在所述切割区域两侧的非切割区域; 形成在半导体衬底上的划线区域中的第一层间绝缘膜; 由导电材料制成并形成在切割区域中的第一层间绝缘膜中的第一虚设图形; 以及由导电材料制成并形成在每个非切割区域中的第一层间绝缘膜中的第二虚设图案。 第一虚设图形的面积与切割区域的面积的单位面积的比率低于第二虚拟图案的面积与非切割区域的面积的每单位面积的比率。

    Semiconductor device
    7.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US08237281B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US12984142

    申请日：2011-01-04

    申请人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    发明人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    IPC分类号： H01L23/495

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device includes at least three or more wiring layers stacked in an interlayer insulating film on a semiconductor substrate, a seal ring provided at the outer periphery of a chip region of the semiconductor substrate and a chip strength reinforcement provided in part of the chip region near the seal ring. The chip strength reinforcement is made of a plurality of dummy wiring structures and each of the plurality of dummy wiring structures is formed to extend across and within two or more of the wiring layers including one or none of the bottommost wiring layer and the topmost wiring layer using a via portion.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括在半导体衬底上的层间绝缘膜中堆叠的至少三个或更多个布线层，设置在半导体衬底的芯片区域的外周处的密封环和在芯片区域的一部分中提供的芯片强度增强 靠近密封圈。 芯片强度加强件由多个虚拟布线结构构成，并且多个虚设布线结构中的每一个形成为跨越两个或更多个布线层中的两个或更多个布线层，包括最下面的布线层和最上面的布线层 使用通孔部分。

    Semiconductor device
    9.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US07696607B2

    公开(公告)日：2010-04-13

    申请号：US11889210

    申请日：2007-08-09

    申请人： Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Hiroshige Hirano ,  Koji Takemura

    发明人： Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Hiroshige Hirano ,  Koji Takemura

    IPC分类号： H01L23/544

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device includes: a circuit region having a function element formed on a semiconductor substrate; a scribe region located between the circuit region and another circuit region formed spaced from the circuit region, the scribe region including a cutting region and non-cutting regions provided at both sides of the cutting region; a first interlayer insulating film formed in the scribe region on the semiconductor substrate; a first dummy pattern made of conductive material and formed in the first interlayer insulating film in the cutting region; and a second dummy pattern made of conductive material and formed in the first interlayer insulating film in each of the non-cutting regions. The ratio, per unit area, of the area of the first dummy pattern to the area of the cutting region is lower than the ratio, per unit area, of the area of the second dummy pattern to the area of the non-cutting regions.

    摘要翻译： 半导体器件包括：具有形成在半导体衬底上的功能元件的电路区域; 位于所述电路区域和与所述电路区域间隔开的另一电路区域之间的划线区域，所述划线区域包括切割区域和设置在所述切割区域两侧的非切割区域; 形成在半导体衬底上的划线区域中的第一层间绝缘膜; 由导电材料制成并形成在切割区域中的第一层间绝缘膜中的第一虚设图形; 以及由导电材料制成并形成在每个非切割区域中的第一层间绝缘膜中的第二虚设图案。 第一虚设图形的面积与切割区域的面积的单位面积的比率低于第二虚拟图案的面积与非切割区域的面积的每单位面积的比率。

    Semiconductor device
    10.
    发明授权
    Semiconductor device 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US07888801B2

    公开(公告)日：2011-02-15

    申请号：US12430439

    申请日：2009-04-27

    申请人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    发明人： Koji Takemura ,  Hiroshige Hirano ,  Yutaka Itoh ,  Hikari Sano ,  Masao Takahashi ,  Koji Koike

    IPC分类号： H01L23/522

    CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor device includes at least three or more wiring layers stacked in an interlayer insulating film on a semiconductor substrate, a seal ring provided at the outer periphery of a chip region of the semiconductor substrate and a chip strength reinforcement provided in part of the chip region near the seal ring. The chip strength reinforcement is made of a plurality of dummy wiring structures and each of the plurality of dummy wiring structures is formed to extend across and within two or more of the wiring layers including one or none of the bottommost wiring layer and the topmost wiring layer using a via portion.

    摘要翻译： 一种半导体器件包括在半导体衬底上的层间绝缘膜中堆叠的至少三个或更多个布线层，设置在半导体衬底的芯片区域的外周处的密封环和在芯片区域的一部分中提供的芯片强度增强 靠近密封圈。 芯片强度加强件由多个虚拟布线结构构成，并且多个虚设布线结构中的每一个形成为跨越两个或更多个布线层中的两个或更多个布线层，包括最下面的布线层和最上面的布线层 使用通孔部分。