公开(公告)号：US20160161957A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：US15019740

申请日：2016-02-09

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： KYU OH LEE ,  SASHA N. OSTER ,  FERAS EID ,  SARAH HANEY

IPC: G05D16/20 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: G05D16/2026 ,  B81B3/0027 ,  B81B7/007 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/056 ,  B81C2203/0172 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0792

Abstract: A pressure sensor is integrated into an integrated circuit fabrication and packaging flow. In one example, a releasable layer is formed over a removable core. A first dielectric layer is formed. A metal layer is patterned to form conductive metal paths and to form a diaphragm with the metal. A second dielectric layer is formed over the metal layer and the diaphragm. A second metal layer is formed to connect with formed vias and to form a metal mesh layer over the diaphragm. The first dielectric layer is etched under the diaphragm to form a cavity and the cavity is covered to form a chamber adjoining the diaphragm.

Abstract translation: 压力传感器集成到集成电路制造和封装流程中。 在一个示例中，在可移除的核上形成可释放层。 形成第一介电层。 图案化金属层以形成导电金属路径并与金属形成隔膜。 第二电介质层形成在金属层和隔膜上。 形成第二金属层以与形成的通孔连接并在隔膜上形成金属网格层。 第一电介质层被刻蚀在隔膜下面以形成空腔，并且空腔被覆盖以形成与隔膜相邻的室。