公开(公告)号：US20120214316A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13398895

申请日：2012-02-17

申请人： Jin-Woo Bae ,  Inseak Hwang ,  Myangsik Han ,  Se Jung Park ,  Sung-Min Cho ,  YoungHo Koh ,  Yi Koan Hong

发明人： Jin-Woo Bae ,  Inseak Hwang ,  Myangsik Han ,  Se Jung Park ,  Sung-Min Cho ,  YoungHo Koh ,  Yi Koan Hong

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/76819

摘要： A semiconductor device and a method of fabricating a semiconductor device including a step of providing a substrate having a first region and a second region adjacent to each other, a step of forming a structure on the substrate in the first region, the structure including a top surface and a sidewall, a step of forming a first insulation layer on the substrate including the structure, the first insulation layer including a first top surface in the first region, an inclined sidewall on the sidewall of structure, and a second top surface in the second region, a step of forming a second insulation layer on the first insulation layer, and a step of planarizing the second and first insulation layers to form a common planarized surface.

摘要翻译： 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，包括提供具有彼此相邻的第一区域和第二区域的衬底的步骤，在所述第一区域中在所述衬底上形成结构的步骤，所述结构包括顶部 表面和侧壁，在包括所述结构的所述基板上形成第一绝缘层的步骤，所述第一绝缘层包括所述第一区域中的第一顶表面，所述结构的侧壁上的倾斜侧壁和所述第二绝缘层中的第二顶表面 第二区域，在第一绝缘层上形成第二绝缘层的步骤，以及平坦化第二绝缘层和第一绝缘层以形成共同的平坦化表面的步骤。