公开(公告)号：US20110049666A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12900294

申请日：2010-10-07

申请人： John Victor D. VELIADIS ,  Megan J. Snook

发明人： John Victor D. VELIADIS ,  Megan J. Snook

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8083 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A guard ring structure for use in a semiconductor device. The guard ring structure includes a semiconductor layer stack having a first layer and a second layer on top of the first layer, gates structures formed in the first layer; and guard rings formed in the first layer. The second layer has a dopant concentration that is higher than the dopant concentration of the first layer. The gates and the guard rings are formed simultaneously using a single mask.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的保护环结构。 保护环结构包括在第一层顶部具有第一层和第二层的半导体层堆叠，形成在第一层中的栅极结构; 并在第一层形成保护环。 第二层具有高于第一层的掺杂剂浓度的掺杂剂浓度。 门和保护环是使用单个掩模同时形成的。